公开(公告)号：WO2019098477A1

公开(公告)日：2019-05-23

申请号：PCT/KR2018/006727

申请日：2018-06-14

Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  탁영준 ,  정주성 ,  문정민 ,  최수석 ,  유성필 ,  정지환 ,  장기석

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/52

Abstract: 본 발명은 산화물 반도체 포토 트랜지스터에 용액 공정을 통해 결함이 있는 산화물 광 흡수층(Defective Oxide Ray Absorption Layer)을 도입하거나, 게이트 절연막과 산화물 반도체층 사이의 계면에 데미지(Damage)를 형성하는 계면 제어를 통해 결함이 있는 산화물 광 흡수부(Defective Oxide Ray Absorption Part)를 도입한 포토 트랜지스터와 그 제조 방법을 제공하여, 가시광 영역 대의 광 흡수 향상을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：WO2022154368A1

公开(公告)日：2022-07-21

申请号：PCT/KR2022/000195

申请日：2022-01-06

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  김동우 ,  민원경 ,  정주성 ,  이진혁 ,  최동현 ,  김민성 ,  김관인

IPC: G09F9/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/20

Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 스트레처블 디스플레이 구동 장치는 스트레처블 디스플레이에 디스플레이 하고자 하는 데이터를 포함하는 제1 픽셀 구동 신호를 생성하도록 구성되는 제1 픽셀 구동 신호 생성 모듈; 상기 제1 픽셀 구동 신호를 수신하여 상기 제1 픽셀을 구동하도록 구성되는 제1 픽셀 구동 회로; 상기 스트레처블 디스플레이의 인장 여부에 따라 구동 여부가 결정될 수 있는 제2 픽셀을 구동하도록 구성되는 제2 픽셀 구동 회로; 및 상기 제1 픽셀 구동 신호 및 전원 신호를 수신하고, 상기 스트레처블 디스플레이의 인장 여부에 따라 생성된 인장 여부 신호를 기반으로 상기 제1 픽셀 구동 신호 및 상기 전원 신호 중 어느 하나를 이용하여 상기 제2 픽셀 구동 회로에 인가할 제2 픽셀 구동 신호를 생성하도록 구성되는 제2 픽셀 구동 신호 생성 모듈을 포함한다.

公开(公告)号：KR102218375B1

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：KR1020190109710

申请日：2019-09-04

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  홍성환 ,  김중철 ,  정주성 ,  이이삭 ,  정수진

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L27/085

Abstract: 본실시예들은상보적으로동작하는제1 트랜지스터의활성층과제2 트랜지스터의활성층을수직으로배치하여, 입력신호를반전시켜출력신호를출력하는인버터의면적을최소화한 3차원인버터를제공한다.

公开(公告)号：KR102199338B1

公开(公告)日：2021-01-06

申请号：KR1020190109685

申请日：2019-09-04

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  홍성환 ,  김형태 ,  정주성 ,  이이삭 ,  정수진

IPC: G09G3/3233 ,  H01L29/786

Abstract: 본실시예들은다결정실리콘트랜지스터와산화물트랜지스터를병렬연결하고, 다결정실리콘트랜지스터와산화물트랜지스터에동형외인성반도체를적용하여, 히스테리시스특성을보상하는디스플레이의구동트랜지스터를제공한다.

公开(公告)号：KR102163565B1

公开(公告)日：2020-10-12

申请号：KR1020180156553

申请日：2018-12-07

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  홍성환 ,  나재원 ,  강병하 ,  정주성 ,  이이삭 ,  정수진

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR101829970B1

公开(公告)日：2018-02-19

申请号：KR1020160012152

申请日：2016-02-01

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  박정우 ,  탁영준 ,  정태수 ,  이희수 ,  김원기 ,  정주성

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

Abstract: 산화물박막트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 본발명의실시예에따른산화물박막트랜지스터는기판상에형성된게이트전극, 상기게이트전극상에형성된게이트절연층, 반도체활성층으로서산화물반도체층, 및상기산화물반도체층상에형성된소스및 드레인전극을포함하고, 상기산화물반도체층은 300℃미만의열 및인가되는자기장의자기선속의변화로부터활성화되고, 상기활성화는상기자기선속의변화로부터상기산화물반도체층내에발생한맴돌이전류로부터생성되는줄열과, 상기 300℃미만의열로부터활성화에너지를공급받아수행된다.

公开(公告)号：KR1020170091309A

公开(公告)日：2017-08-09

申请号：KR1020160012152

申请日：2016-02-01

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 김현재 ,  박정우 ,  탁영준 ,  정태수 ,  이희수 ,  김원기 ,  정주성

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

Abstract: 산화물박막트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 본발명의실시예에따른산화물박막트랜지스터는기판상에형성된게이트전극, 상기게이트전극상에형성된게이트절연층, 반도체활성층으로서산화물반도체층, 및상기산화물반도체층상에형성된소스및 드레인전극을포함하고, 상기산화물반도체층은 300℃미만의열 및인가되는자기장의자기선속의변화로부터활성화되고, 상기활성화는상기자기선속의변화로부터상기산화물반도체층내에발생한맴돌이전류로부터생성되는줄열과, 상기 300℃미만의열로부터활성화에너지를공급받아수행된다.

Abstract translation: 公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法。 根据本发明实施例的氧化物薄膜晶体管包括形成在衬底上的栅电极，形成在栅电极上的栅极绝缘层，作为半导体活性层的氧化物半导体层以及形成在氧化物半导体层上的源电极和漏电极， 其中氧化物半导体层由于小于300的热量变化和施加于其上的磁基线而被激活，并且由于磁线的变化而由氧化物半导体层中产生的涡流产生的涡电流产生激活， Lt能量“。