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公开(公告)号：KR102114855B1
公开(公告)日：2020-05-25
申请号：KR1020180140942
申请日：2018-11-15
Applicant: 연세대학교 산학협력단 , 한경대학교 산학협력단
IPC: H01L21/02 , C23C16/455
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公开(公告)号：KR101848992B1
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：KR1020160049132
申请日：2016-04-22
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/02 , H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/66
Abstract: 본발명은플라즈마공정장치및 이의제어방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 플라즈마를이용하여공정이수행되는피처리체가장착되는기판부전극, 플라즈마방전을위한전력이인가되는플라즈마전극, 및상기플라즈마전극의국부적온도제어를위해상기플라즈마전극에결합되는냉각부를갖는플라즈마공정장치가제공될수 있다.
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公开(公告)号：KR101300564B1
公开(公告)日：2013-08-27
申请号：KR1020110047264
申请日：2011-05-19
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: G01N27/414 , G01N33/483
Abstract: 본 발명에 따라서 원하는 바이오 물질을 감지하기 위한 박막 트랜지스터(TFT) 기반 바이오 센서 제조 방법이 제공되는데, 상기 방법은 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막 상에 칼코지나이드 채널층을 형성하는 단계와; 상기 칼코지나이드 채널층 상에 원자층 증착법에 의해 부동태층을 형성하는 단계와; 포토레지스트를 이용하여, 소스/드레인 영역을 형성하고, 상기 소스/드레인 영역 상의 상기 부동태층을 제거하는 단계와; 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 부동태층은 상기 칼코지나이드 채널층을 외부의 환경으로부터 보호함과 아울러, 상기 채널층의 바이오 물질 센싱 감도를 향상시키는 고유전체 물질로 형성되는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR102114857B1
公开(公告)日：2020-05-25
申请号：KR1020180140944
申请日：2018-11-15
Applicant: 연세대학교 산학협력단 , 한경대학교 산학협력단
IPC: H01L21/02 , C23C16/455
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公开(公告)号：KR1020170121357A
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：KR1020160049132
申请日：2016-04-22
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/02 , H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/02274 , H01L21/02315 , H01L21/0234 , H01L21/3065 , H01L22/12 , H05H1/46
Abstract: 본발명은플라즈마공정장치및 이의제어방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따르면, 플라즈마를이용하여공정이수행되는피처리체가장착되는기판부전극, 플라즈마방전을위한전력이인가되는플라즈마전극, 및상기플라즈마전극의국부적온도제어를위해상기플라즈마전극에결합되는냉각부를갖는플라즈마공정장치가제공될수 있다.
Abstract translation: 等离子体处理装置及其控制方法技术领域本发明涉及等离子体处理装置及其控制方法 根据本发明的一个实施例，提供了一种等离子体处理装置，包括：基板子电极，等离子体被施加待处理对象;等离子体电极，被施加电力用于等离子体放电; 可以提供具有耦合到等离子体处理设备的冷却部分的等离子体处理设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150118222A
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：KR1020140043396
申请日：2014-04-11
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/335 , H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/3065
Abstract: 본발명에따라서기판상에고유전율금속산화막을형성하는단계와; 상기금속산화막에대하여플라즈마가스를이용하여건식세정하는단계로서, 상기건식세정단계는질소, 수소및 불소를포함하는반응가스에플라즈마가스를적용하여활성화된불소(F)를형성하고, 이활성화된불소가상기금속산화막을통해확산하여상기기판과금속산화막사이에형성되는계면산화막과반응하도록하는것인, 상기건식세정단계와; 상기금속산화막상에게이트전극막을형성하는단계와; 상기금속산화막과게이트전극막을식각하여게이트영역을형성하는단계와; 소스/드레인을형성하는단계와; 층간절연막을형성하는단계와; 상기층간절연막에컨택트홀을형성하고통전물질을증착하여컨택트를형성하는단계와; 상기컨택트를비롯한층간절연막상에금속막을형성하고패터닝하여금속배선을형성하는단계를포함하고, 상기계면산화막의두께는상기건식세정공정을수행하지않은경우의계면산화막의두께보다작은것을특징으로하는반도체소자제조방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成具有高介电常数的金属氧化物膜; 使用等离子体气体对金属氧化物膜进行干洗，其中在干法中通过将等离子气体施加到包括氮，氢和氟的反应气体中而形成活性氟（F），并且活性氟通过 所述金属氧化物膜与形成在所述基板和所述金属氧化物膜之间的界面氧化膜反应; 在所述金属氧化物膜上形成栅电极膜; 通过蚀刻金属氧化物膜和栅极电极膜形成栅极区域; 形成源和漏极; 形成层间绝缘膜; 通过在层间绝缘膜上形成接触孔然后沉积导电材料形成接触; 以及通过在层间绝缘膜上形成金属膜和接触，然后对金属膜进行构图来形成金属线。 在不进行干洗处理的情况下，界面氧化膜的厚度小于界面氧化膜的厚度。
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公开(公告)号：KR101536174B1
公开(公告)日：2015-07-14
申请号：KR1020140015458
申请日：2014-02-11
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/02046 , H01L21/02049 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/02359 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28506 , H01L29/51 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 본발명에따라서, 기판(M)의표면을플라즈마가스를이용하여건식세정하는단계로서, 상기건식세정공정은질소, 수소및 불소를포함하는반응가스에플라즈마가스를적용하여상기기판표면에 (NH4)xMFx 또는 MFx (M=Si, Ge 또는금속) 부산물을형성하고, 이부산물을휘발시켜, 상기기판의표면을 F-terminated 표면으로만드는공정인, 상기건식세정단계와; 상기건식세정된기판표면상에게이트유전막을형성하는단계와; 상기게이트유전막에대해상기건식세정공정과동일한건식세정공정을수행한후, 게이트전극막을형성하는단계와; 상기게이트유전막과게이트전극막을식각하여게이트영역을형성하는단계와; 소스/드레인을형성하는단계와; 상기소스/드레인이형성된반도체구조에대해상기건식세정공정과동일한건식세정공정을수행한후, 층간절연막을형성하는단계와; 상기층간절연막에컨택트홀을형성하고통전물질을증착하여컨택트를형성하는단계; 상기컨택트를비롯한층간절연막상에금속막을형성하고패터닝하여금속배선을형성하는단계를포함하고, 상기건식세정공정에의해형성되는 F-terminated surface가산소의확산을방지하는장벽역할을수행하는것을특징으로하는반도체소자제조방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：干洗步骤，其是使用等离子体气体对基片（M）的表面进行干法清洗的步骤，通过所述步骤将等离子体气体施加到反应 气体包括氮，氢和氟，以形成（NH 4）x MF x或MF x（M为Si，Ge或金属）副产物，以使副产物挥发并使基材的表面作为F- 终止表面 在干洗基板的表面上形成栅电介质层的工序; 在进行与干燥步骤相同的干法清洗步骤相对于栅介质层形成栅电极层的步骤; 通过蚀刻栅极电介质层和栅极电极层形成栅极区域的步骤; 形成源极和漏极的步骤; 在对其中形成有源极和漏极的半导体结构进行相同的干洗步骤之后形成层间电介质层的步骤; 在所述层间电介质层上形成接触孔并通过沉积电流流动材料形成接触的步骤; 以及在所述层间电介质层上形成金属层并将其图案化以形成金属线的步骤，其中通过所述干法步骤形成的所述F端接表面用作防止氧扩散的屏障。
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公开(公告)号：KR1020120129166A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020110047264
申请日：2011-05-19
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: G01N27/414 , G01N33/483
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film transistor base biosensor is provided to form a passive layer on a chalcogenide channel layer by an atomic layer deposition method, thereby enhancing the physical chemicals stability of the chalcogenide channel layer. CONSTITUTION: A method for manufacturing a thin film transistor base biosensor comprises next steps. A gate electrode(2) is formed on a substrate. A gate insulating film(3) is formed on the gage electrode. A chalcogenide channel layer(4) is formed on the gate insulating film. A passive layer is formed on the chalcogenide channel layer by using an atomic layer deposition method. A source/drain region is formed by using a photoresist and the chalcogenide channel layer on the source/drain region. A source/drain region electrode is formed. [Reference numerals] (1) Substrate; (2) Gate electrode; (3) Gate insulating film; (4) Chalcogenide chanel; (41) Passivation ALD thin film
Abstract translation: 目的：提供一种制造薄膜晶体管基底生物传感器的方法，通过原子层沉积方法在硫属化物沟道层上形成钝化层，从而提高硫属化物沟道层的物理化学稳定性。 构成：制造薄膜晶体管基底生物传感器的方法包括以下步骤。 在基板上形成栅电极（2）。 在规格电极上形成栅绝缘膜（3）。 在栅极绝缘膜上形成硫族化物沟道层（4）。 通过使用原子层沉积方法在硫族化物沟道层上形成钝化层。 通过使用源极/漏极区上的光致抗蚀剂和硫族化物沟道层来形成源/漏区。 形成源/漏区电极。 （附图标记）（1）基板; （2）栅电极; （3）栅极绝缘膜; （4）硫族化物香烟; （41）钝化ALD薄膜
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公开(公告)号：KR102094540B1
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：KR1020180011891
申请日：2018-01-31
Applicant: 연세대학교 산학협력단 , 한경대학교 산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455
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公开(公告)号：KR101623462B1
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：KR1020140043396
申请日：2014-04-11
Applicant: 연세대학교 산학협력단
IPC: H01L21/335 , H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/3065
Abstract: 본발명에따라서기판상에고유전율금속산화막을형성하는단계와; 상기금속산화막에대하여플라즈마가스를이용하여건식세정하는단계로서, 상기건식세정단계는질소, 수소및 불소를포함하는반응가스에플라즈마가스를적용하여활성화된불소(F)를형성하고, 이활성화된불소가상기금속산화막을통해확산하여상기기판과금속산화막사이에형성되는계면산화막과반응하도록하는것인, 상기건식세정단계와; 상기금속산화막상에게이트전극막을형성하는단계와; 상기금속산화막과게이트전극막을식각하여게이트영역을형성하는단계와; 소스/드레인을형성하는단계와; 층간절연막을형성하는단계와; 상기층간절연막에컨택트홀을형성하고통전물질을증착하여컨택트를형성하는단계와; 상기컨택트를비롯한층간절연막상에금속막을형성하고패터닝하여금속배선을형성하는단계를포함하고, 상기계면산화막의두께는상기건식세정공정을수행하지않은경우의계면산화막의두께보다작은것을특징으로하는반도체소자제조방법이제공된다.
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