公开(公告)号：KR1020120129166A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：KR1020110047264

申请日：2011-05-19

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 손현철 ,  오훈정 ,  김종기 ,  이강준

IPC: G01N27/414 ,  G01N33/483

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film transistor base biosensor is provided to form a passive layer on a chalcogenide channel layer by an atomic layer deposition method, thereby enhancing the physical chemicals stability of the chalcogenide channel layer. CONSTITUTION: A method for manufacturing a thin film transistor base biosensor comprises next steps. A gate electrode(2) is formed on a substrate. A gate insulating film(3) is formed on the gage electrode. A chalcogenide channel layer(4) is formed on the gate insulating film. A passive layer is formed on the chalcogenide channel layer by using an atomic layer deposition method. A source/drain region is formed by using a photoresist and the chalcogenide channel layer on the source/drain region. A source/drain region electrode is formed. [Reference numerals] (1) Substrate; (2) Gate electrode; (3) Gate insulating film; (4) Chalcogenide chanel; (41) Passivation ALD thin film

Abstract translation: 目的：提供一种制造薄膜晶体管基底生物传感器的方法，通过原子层沉积方法在硫属化物沟道层上形成钝化层，从而提高硫属化物沟道层的物理化学稳定性。 构成：制造薄膜晶体管基底生物传感器的方法包括以下步骤。 在基板上形成栅电极（2）。 在规格电极上形成栅绝缘膜（3）。 在栅极绝缘膜上形成硫族化物沟道层（4）。 通过使用原子层沉积方法在硫族化物沟道层上形成钝化层。 通过使用源极/漏极区上的光致抗蚀剂和硫族化物沟道层来形成源/漏区。 形成源/漏区电极。 （附图标记）（1）基板; （2）栅电极; （3）栅极绝缘膜; （4）硫族化物香烟; （41）钝化ALD薄膜

公开(公告)号：KR101300564B1

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：KR1020110047264

申请日：2011-05-19

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 손현철 ,  오훈정 ,  김종기 ,  이강준

IPC: G01N27/414 ,  G01N33/483

Abstract: 본 발명에 따라서 원하는 바이오 물질을 감지하기 위한 박막 트랜지스터(TFT) 기반 바이오 센서 제조 방법이 제공되는데, 상기 방법은 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막 상에 칼코지나이드 채널층을 형성하는 단계와; 상기 칼코지나이드 채널층 상에 원자층 증착법에 의해 부동태층을 형성하는 단계와; 포토레지스트를 이용하여, 소스/드레인 영역을 형성하고, 상기 소스/드레인 영역 상의 상기 부동태층을 제거하는 단계와; 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 부동태층은 상기 칼코지나이드 채널층을 외부의 환경으로부터 보호함과 아울러, 상기 채널층의 바이오 물질 센싱 감도를 향상시키는 고유전체 물질로 형성되는 것을 특징으로 한다.