公开(公告)号：WO2014133293A1

公开(公告)日：2014-09-04

申请号：PCT/KR2014/001487

申请日：2014-02-25

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 고대홍 ,  김병주

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66795

Abstract: 본 발명에 따라서, (a) 기판을 제공하는 단계; (b) 상기 기판 상에 복수 종류의 재료에 의해 복수의 희생막 층으로 구성되는 희생막 복합층을 형성하는 단계로서, 상기 희생막 층을 구성하는 각각의 재료는 에칭 속도가 다르고 엣천트(etchant)에 대해 반응성이 다른 물질들로 구성되는 것인, 상기 희생막 복합층 형성 단계와; (c) 상기 희생막 복합층을 패터닝하여, 트렌치 구조를 형성하는 단계; (d) 상기 트렌치 구조 내에 Ge 및 III-V족 화합물 반도체 중 적어도 하나를 성장시켜 활성 채널층을 형성하는 단계; (e) 상기 희생막 복합층의 최상부의 희생막 층을 선택적으로 에칭하여 제거하여, 상기 활성 채널층의 일부를 노출시키는 단계; (f) 상기 노출된 활성 채널층을 둘러싸도록 게이트 유전막과 금속 게이트를 순차적으로 형성하는 단계; (g) 상기 금속 게이트의 특정 영역만 식각하여 소스와 드레인을 형성하는 단계; (h) 상기 소스와 드레인 영역에 n형 및 p형 불순물을 포함한 III-V족 막과 Ge 막을 형성하는 단계를 포함하는 3차원 FinFET 소자 제조 방법이 제공된다.

Abstract translation: 本发明提供一种制造三维FinFET器件的方法，包括：（a）提供衬底的步骤; （b）通过多种类型的材料在衬底上形成由多个牺牲膜层组成的牺牲膜复合层的步骤，其中形成牺牲膜层的每种材料由具有不同蚀刻速率和不同反应的物质组成 蚀刻剂 （c）通过图案化所述牺牲膜复合层来形成沟槽结构的步骤; （d）通过在沟槽结构内生长Ge和III-V族化合物半导体中的至少一种来形成有源沟道层的步骤; （e）通过选择性地蚀刻和去除牺牲膜复合层的最上面的牺牲膜层来暴露有源沟道层的一部分的步骤; （f）用于顺序地形成栅介质膜和金属栅极以包围曝光的有源沟道层的步骤; （g）通过仅蚀刻金属栅极的特定区域形成源极和漏极的步骤; 以及（h）在源极和漏极区域上形成包含p型和n型杂质的Ge膜和III-V族膜的步骤。

公开(公告)号：KR102198344B1

公开(公告)日：2021-01-04

申请号：KR1020180174284

申请日：2018-12-31

Applicant: 연세대학교 산학협력단 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 고대홍 ,  김형섭 ,  박진홍 ,  류화연 ,  최용준 ,  변대섭

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/13 ,  H01L23/29 ,  H01L23/48 ,  H01L21/321 ,  H01L27/146

Abstract: 본발명은 3 차원적층소자제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른 3 차원적층소자제조방법은제 1 베이스층, 상기제 1 베이스층상의제 1 희생층, 상기제 1 희생층상의적어도하나이상의제 1 소자가형성된제 1 반도체층 및상기제 1 반도체층을덮어상기제 1 소자를절연시키는제 1 페시베이션층을포함하는제 1 디바이스기판을준비하는단계; 상기제 1 디바이스기판의상기페시베이션층과대향되도록, 접합표면을갖는핸들기판을준비하는단계; 상기제 1 디바이스기판과상기핸들기판을서로접합시켜제 1 접합기판적층체를형성하는단계; 및상기제 1 접합기판적층체의상기제 1 희생층을선택적으로제거하여, 상기제 1 디바이스기판의제 1 반도체층과상기제 1 페시베이션층을상기핸들기판측으로전달하여상기제 1 반도체층의저면이노출되도록역전되어상기핸들기판상에접합된제 1 모놀리식소자기판을형성하는단계를포함할수 있다.

公开(公告)号：KR102106721B1

公开(公告)日：2020-05-06

申请号：KR1020180169742

申请日：2018-12-26

Applicant: 연세대학교 산학협력단 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 고대홍 ,  김형섭 ,  박진홍 ,  구상모 ,  장현철

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

公开(公告)号：KR102106720B1

公开(公告)日：2020-05-06

申请号：KR1020180169733

申请日：2018-12-26

Applicant: 연세대학교 산학협력단 ,  성균관대학교산학협력단 ,  경북대학교 산학협력단 ,  (재)한국나노기술원

Inventor： 고대홍 ,  김형섭 ,  김대현 ,  신찬수 ,  장현철 ,  이인근

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304

公开(公告)号：KR101603505B1

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：KR1020150028869

申请日：2015-03-02

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 고대홍 ,  김정훈

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01051

Abstract: 본발명의한 가지양태에따라서, 상변화메모리용상변화물질이제공되는데, 상기상변화물질은 GeSbSez (Ge, Sb 및 Se의조성의합이 100 atomic%이고, Ge:Sb:Se의상대적인함량비가 10:90:z)으로이루어지며, Se의함량이증가함에따라결정화온도가증가하는것을특징으로한다.

Abstract translation: 根据本发明的实施例，提供了一种用于相变随机存取存储器的相变材料。 相变材料由Ge_10 Sb_90 Sez组成，其中Ge，Sb和Se的组成之和为100原子％，Ge：Sb:Se的相对含量比为10：90：z。

公开(公告)号：KR101603508B1

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：KR1020140015238

申请日：2014-02-11

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 고대홍 ,  김병주

IPC: H01L21/337

Abstract: 본발명에따라서 (a) 기판을제공하는단계; (b) 상기기판상에절연막을형성하는단계; (c) 상기절연막을패터닝하여, 하부트렌치구조를형성하는단계; (d) 상기하부트렌치구조내에 Ge 및 III-V족화합물반도체중 적어도하나를증착및 성장시키는단계; (e) 제2 절연막을추가로형성하는단계; (f) 상기제2 절연막을패터닝하여, 상부트렌치구조를형성하는단계로서, 상기상부트렌치구조는상기하부트렌치구조와수직한방향으로연장되는것인, 상기상부트렌치구조를형성하는단계; (g) 상기상부트렌치구조내에상기하부트렌치구조에증착및 성장시킨물질과동일한물질을증착및 성장시키는단계; (e) 연마공정을수행하여상기 (g) 단계에서성장시킨물질의표면을평탄화하는단계를포함하는것을특징으로하는반도체소자제조방법이제공된다.

公开(公告)号：KR1020150125748A

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：KR1020140052061

申请日：2014-04-30

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 고대홍 ,  김병주

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/8238

Abstract: 본발명에따라서 Si 기판을제공하는단계; 상기 Si 기판상에 Ge 에피층을성장시키는단계를포함하고, 상기 Ge 에피층을성장시킬때 붕소또는인을추가적으로공급하여, 상기붕소또는인이상기 Ge 에피층에포함되도록하여, 상기 Si 기판과 Ge 에피층의격자상수불일치에서비롯되는, 상기 Ge 에피층의표면이울퉁불퉁해지는것을방지하는것을특징으로하는 Ge 에피층의표면거칠기개선방법이제공된다.

Abstract translation: 根据本发明，提供了一种改善Ge外延层的表面粗糙度的方法，其包括以下步骤：提供Si衬底; 并且在Si衬底上生长Ge外延层，并且通过在生长Ge外延层时另外提供硼或磷来防止由于Si衬底和Ge外延层的晶格常数失配而导致的Ge外延层的表面不均匀 ，并且在Ge外延层中包括硼或磷。

公开(公告)号：KR101566224B1

公开(公告)日：2015-11-05

申请号：KR1020130142835

申请日：2013-11-22

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 고대홍 ,  김병주

IPC: H01L21/337 ,  H01L29/80

Abstract: 본발명에따라서, (a) 기판을제공하는단계; (b) 상기기판상에절연막을형성하는단계; (c) 상기절연막을패터닝하여, 트렌치구조를형성하는단계로서, 상기트렌치구조는기판쪽의제1 트렌치영역과제1 트렌치영역상의제2 트렌치영역으로구분되고, 제1 트렌치영역과제2 트렌치영역의폭은상이한것인, 상기트렌치구조를형성하는단계; (d) 상기트렌치구조내에 Ge 및 III-V족화합물반도체중 적어도하나를성장시켜상기제2 트렌치영역에결함없는활성채널층을형성하는단계로서, 상기트렌치구조내의활성채널층은인접트렌치구조내의활성채널층과전기적으로고립되어있는것인, 상기활성채널층을형성하는단계; (e) 연마공정을수행하여상기활성채널층을평탄화하는단계를포함하는것을특징으로하는반도체소자제조방법이제공된다.

公开(公告)号：KR1020150118222A

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：KR1020140043396

申请日：2014-04-11

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 오훈정 ,  고대홍 ,  이인근 ,  변대섭 ,  구상모 ,  장현철 ,  이환

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3065

Abstract: 본발명에따라서기판상에고유전율금속산화막을형성하는단계와; 상기금속산화막에대하여플라즈마가스를이용하여건식세정하는단계로서, 상기건식세정단계는질소, 수소및 불소를포함하는반응가스에플라즈마가스를적용하여활성화된불소(F)를형성하고, 이활성화된불소가상기금속산화막을통해확산하여상기기판과금속산화막사이에형성되는계면산화막과반응하도록하는것인, 상기건식세정단계와; 상기금속산화막상에게이트전극막을형성하는단계와; 상기금속산화막과게이트전극막을식각하여게이트영역을형성하는단계와; 소스/드레인을형성하는단계와; 층간절연막을형성하는단계와; 상기층간절연막에컨택트홀을형성하고통전물질을증착하여컨택트를형성하는단계와; 상기컨택트를비롯한층간절연막상에금속막을형성하고패터닝하여금속배선을형성하는단계를포함하고, 상기계면산화막의두께는상기건식세정공정을수행하지않은경우의계면산화막의두께보다작은것을특징으로하는반도체소자제조방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成具有高介电常数的金属氧化物膜; 使用等离子体气体对金属氧化物膜进行干洗，其中在干法中通过将等离子气体施加到包括氮，氢和氟的反应气体中而形成活性氟（F），并且活性氟通过 所述金属氧化物膜与形成在所述基板和所述金属氧化物膜之间的界面氧化膜反应; 在所述金属氧化物膜上形成栅电极膜; 通过蚀刻金属氧化物膜和栅极电极膜形成栅极区域; 形成源和漏极; 形成层间绝缘膜; 通过在层间绝缘膜上形成接触孔然后沉积导电材料形成接触; 以及通过在层间绝缘膜上形成金属膜和接触，然后对金属膜进行构图来形成金属线。 在不进行干洗处理的情况下，界面氧化膜的厚度小于界面氧化膜的厚度。

公开(公告)号：KR101536174B1

公开(公告)日：2015-07-14

申请号：KR1020140015458

申请日：2014-02-11

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 오훈정 ,  고대홍 ,  구상모 ,  이인근 ,  이환 ,  변대섭 ,  장현철

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02049 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28506 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 본발명에따라서, 기판(M)의표면을플라즈마가스를이용하여건식세정하는단계로서, 상기건식세정공정은질소, 수소및 불소를포함하는반응가스에플라즈마가스를적용하여상기기판표면에 (NH4)xMFx 또는 MFx (M=Si, Ge 또는금속) 부산물을형성하고, 이부산물을휘발시켜, 상기기판의표면을 F-terminated 표면으로만드는공정인, 상기건식세정단계와; 상기건식세정된기판표면상에게이트유전막을형성하는단계와; 상기게이트유전막에대해상기건식세정공정과동일한건식세정공정을수행한후, 게이트전극막을형성하는단계와; 상기게이트유전막과게이트전극막을식각하여게이트영역을형성하는단계와; 소스/드레인을형성하는단계와; 상기소스/드레인이형성된반도체구조에대해상기건식세정공정과동일한건식세정공정을수행한후, 층간절연막을형성하는단계와; 상기층간절연막에컨택트홀을형성하고통전물질을증착하여컨택트를형성하는단계; 상기컨택트를비롯한층간절연막상에금속막을형성하고패터닝하여금속배선을형성하는단계를포함하고, 상기건식세정공정에의해형성되는 F-terminated surface가산소의확산을방지하는장벽역할을수행하는것을특징으로하는반도체소자제조방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：干洗步骤，其是使用等离子体气体对基片（M）的表面进行干法清洗的步骤，通过所述步骤将等离子体气体施加到反应 气体包括氮，氢和氟，以形成（NH 4）x MF x或MF x（M为Si，Ge或金属）副产物，以使副产物挥发并使基材的表面作为F- 终止表面 在干洗基板的表面上形成栅电介质层的工序; 在进行与干燥步骤相同的干法清洗步骤相对于栅介质层形成栅电极层的步骤; 通过蚀刻栅极电介质层和栅极电极层形成栅极区域的步骤; 形成源极和漏极的步骤; 在对其中形成有源极和漏极的半导体结构进行相同的干洗步骤之后形成层间电介质层的步骤; 在所述层间电介质层上形成接触孔并通过沉积电流流动材料形成接触的步骤; 以及在所述层间电介质层上形成金属层并将其图案化以形成金属线的步骤，其中通过所述干法步骤形成的所述F端接表面用作防止氧扩散的屏障。