公开(公告)号：KR102198344B1

公开(公告)日：2021-01-04

申请号：KR1020180174284

申请日：2018-12-31

Applicant: 연세대학교 산학협력단 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 고대홍 ,  김형섭 ,  박진홍 ,  류화연 ,  최용준 ,  변대섭

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/13 ,  H01L23/29 ,  H01L23/48 ,  H01L21/321 ,  H01L27/146

Abstract: 본발명은 3 차원적층소자제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른 3 차원적층소자제조방법은제 1 베이스층, 상기제 1 베이스층상의제 1 희생층, 상기제 1 희생층상의적어도하나이상의제 1 소자가형성된제 1 반도체층 및상기제 1 반도체층을덮어상기제 1 소자를절연시키는제 1 페시베이션층을포함하는제 1 디바이스기판을준비하는단계; 상기제 1 디바이스기판의상기페시베이션층과대향되도록, 접합표면을갖는핸들기판을준비하는단계; 상기제 1 디바이스기판과상기핸들기판을서로접합시켜제 1 접합기판적층체를형성하는단계; 및상기제 1 접합기판적층체의상기제 1 희생층을선택적으로제거하여, 상기제 1 디바이스기판의제 1 반도체층과상기제 1 페시베이션층을상기핸들기판측으로전달하여상기제 1 반도체층의저면이노출되도록역전되어상기핸들기판상에접합된제 1 모놀리식소자기판을형성하는단계를포함할수 있다.

公开(公告)号：KR101623462B1

公开(公告)日：2016-05-24

申请号：KR1020140043396

申请日：2014-04-11

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 오훈정 ,  고대홍 ,  이인근 ,  변대섭 ,  구상모 ,  장현철 ,  이환

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3065

Abstract: 본발명에따라서기판상에고유전율금속산화막을형성하는단계와; 상기금속산화막에대하여플라즈마가스를이용하여건식세정하는단계로서, 상기건식세정단계는질소, 수소및 불소를포함하는반응가스에플라즈마가스를적용하여활성화된불소(F)를형성하고, 이활성화된불소가상기금속산화막을통해확산하여상기기판과금속산화막사이에형성되는계면산화막과반응하도록하는것인, 상기건식세정단계와; 상기금속산화막상에게이트전극막을형성하는단계와; 상기금속산화막과게이트전극막을식각하여게이트영역을형성하는단계와; 소스/드레인을형성하는단계와; 층간절연막을형성하는단계와; 상기층간절연막에컨택트홀을형성하고통전물질을증착하여컨택트를형성하는단계와; 상기컨택트를비롯한층간절연막상에금속막을형성하고패터닝하여금속배선을형성하는단계를포함하고, 상기계면산화막의두께는상기건식세정공정을수행하지않은경우의계면산화막의두께보다작은것을특징으로하는반도체소자제조방법이제공된다.

公开(公告)号：KR1020150118222A

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：KR1020140043396

申请日：2014-04-11

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 오훈정 ,  고대홍 ,  이인근 ,  변대섭 ,  구상모 ,  장현철 ,  이환

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3065

Abstract: 본발명에따라서기판상에고유전율금속산화막을형성하는단계와; 상기금속산화막에대하여플라즈마가스를이용하여건식세정하는단계로서, 상기건식세정단계는질소, 수소및 불소를포함하는반응가스에플라즈마가스를적용하여활성화된불소(F)를형성하고, 이활성화된불소가상기금속산화막을통해확산하여상기기판과금속산화막사이에형성되는계면산화막과반응하도록하는것인, 상기건식세정단계와; 상기금속산화막상에게이트전극막을형성하는단계와; 상기금속산화막과게이트전극막을식각하여게이트영역을형성하는단계와; 소스/드레인을형성하는단계와; 층간절연막을형성하는단계와; 상기층간절연막에컨택트홀을형성하고통전물질을증착하여컨택트를형성하는단계와; 상기컨택트를비롯한층간절연막상에금속막을형성하고패터닝하여금속배선을형성하는단계를포함하고, 상기계면산화막의두께는상기건식세정공정을수행하지않은경우의계면산화막의두께보다작은것을특징으로하는반도체소자제조방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成具有高介电常数的金属氧化物膜; 使用等离子体气体对金属氧化物膜进行干洗，其中在干法中通过将等离子气体施加到包括氮，氢和氟的反应气体中而形成活性氟（F），并且活性氟通过 所述金属氧化物膜与形成在所述基板和所述金属氧化物膜之间的界面氧化膜反应; 在所述金属氧化物膜上形成栅电极膜; 通过蚀刻金属氧化物膜和栅极电极膜形成栅极区域; 形成源和漏极; 形成层间绝缘膜; 通过在层间绝缘膜上形成接触孔然后沉积导电材料形成接触; 以及通过在层间绝缘膜上形成金属膜和接触，然后对金属膜进行构图来形成金属线。 在不进行干洗处理的情况下，界面氧化膜的厚度小于界面氧化膜的厚度。

公开(公告)号：KR101536174B1

公开(公告)日：2015-07-14

申请号：KR1020140015458

申请日：2014-02-11

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 오훈정 ,  고대홍 ,  구상모 ,  이인근 ,  이환 ,  변대섭 ,  장현철

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02049 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28506 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 본발명에따라서, 기판(M)의표면을플라즈마가스를이용하여건식세정하는단계로서, 상기건식세정공정은질소, 수소및 불소를포함하는반응가스에플라즈마가스를적용하여상기기판표면에 (NH4)xMFx 또는 MFx (M=Si, Ge 또는금속) 부산물을형성하고, 이부산물을휘발시켜, 상기기판의표면을 F-terminated 표면으로만드는공정인, 상기건식세정단계와; 상기건식세정된기판표면상에게이트유전막을형성하는단계와; 상기게이트유전막에대해상기건식세정공정과동일한건식세정공정을수행한후, 게이트전극막을형성하는단계와; 상기게이트유전막과게이트전극막을식각하여게이트영역을형성하는단계와; 소스/드레인을형성하는단계와; 상기소스/드레인이형성된반도체구조에대해상기건식세정공정과동일한건식세정공정을수행한후, 층간절연막을형성하는단계와; 상기층간절연막에컨택트홀을형성하고통전물질을증착하여컨택트를형성하는단계; 상기컨택트를비롯한층간절연막상에금속막을형성하고패터닝하여금속배선을형성하는단계를포함하고, 상기건식세정공정에의해형성되는 F-terminated surface가산소의확산을방지하는장벽역할을수행하는것을특징으로하는반도체소자제조방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：干洗步骤，其是使用等离子体气体对基片（M）的表面进行干法清洗的步骤，通过所述步骤将等离子体气体施加到反应 气体包括氮，氢和氟，以形成（NH 4）x MF x或MF x（M为Si，Ge或金属）副产物，以使副产物挥发并使基材的表面作为F- 终止表面 在干洗基板的表面上形成栅电介质层的工序; 在进行与干燥步骤相同的干法清洗步骤相对于栅介质层形成栅电极层的步骤; 通过蚀刻栅极电介质层和栅极电极层形成栅极区域的步骤; 形成源极和漏极的步骤; 在对其中形成有源极和漏极的半导体结构进行相同的干洗步骤之后形成层间电介质层的步骤; 在所述层间电介质层上形成接触孔并通过沉积电流流动材料形成接触的步骤; 以及在所述层间电介质层上形成金属层并将其图案化以形成金属线的步骤，其中通过所述干法步骤形成的所述F端接表面用作防止氧扩散的屏障。