公开(公告)号：KR101030633B1

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：KR1020097002569

申请日：2007-07-20

Applicant: 오므론 가부시키가이샤

Inventor： 카사이타카시 ,  호리모토야스히로 ,  카토후미히토 ,  무네치카마사키 ,  와카바야시슈이치 ,  타카하시토시유키 ,  이누가마사유키

IPC: H01L29/84 ,  H01L21/306 ,  H04R19/04

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0285 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0353 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: Si기판(12)의 표면에 SiO
2 박막으로 이루어지는 보호막(20)을 형성하고, 그 일부를 제거하여 개구한 에칭창(22)에 다결정 Si로 이루어지는 희생층(23)을 성막한다. 희생층(23)의 위로부터 Si기판(12) 표면에 SiO
2 로 이루어지는 보호막(24)을 성막하고, 그 위로부터 다결정 Si로 이루어지는 소자박막(13)을 성막한다. 이면의 보호막(21)에 이면 에칭창(26)을 개구한다. TMAH에 Si기판(12)을 침지하여 이면 에칭창(26)으로부터 Si기판(12)을 결정이방성 에칭하여, Si기판(12)에 관통구멍(14)을 마련한다. 희생층(23)이 관통구멍(14) 내에 노출하면, 희생층(23)을 에칭 제거하고, 보호막(24)과 Si기판(12) 사이에 간극(19)을 생성하고, Si기판(12)을 표면측과 이면측으로부터 결정이방성 에칭한다.

公开(公告)号：KR1020090039750A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：KR1020097002569

申请日：2007-07-20

Applicant: 오므론 가부시키가이샤

Inventor： 카사이타카시 ,  호리모토야스히로 ,  카토후미히토 ,  무네치카마사키 ,  와카바야시슈이치 ,  타카하시토시유키 ,  이누가마사유키

IPC: H01L29/84 ,  H01L21/306 ,  H04R19/04

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0285 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0353 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04

Abstract: A protective film (20) of an SiO2 thin film is formed on a front surface of an Si substrate (12), and a part of the protective film (20) is removed to form an etching window (22). A sacrifice layer (23) of polycrystalline Si is formed in the etching window (22). A protective film (24) of SiO2 is formed on the front surface of the Si substrate (12) from the top of the sacrifice layer (23), and a thin film (13) as an element formed of polycrystalline Si is further formed on the protective film (24). A backside etching window (26) is opened in a protective film (21) on the back side of the Si substrate (12). The Si substrate (12) is soaked in TMAH to perform crystal anisotropic etching in the Si substrate (12) through the backside etching window (26) to provide a through-hole (14) in the Si substrate (12). When the sacrifice layer (23) is exposed to the interior of the through-hole (14), the sacrifice layer (23) is etching-removed to provide a gap (19) between the protective film (24) and the Si substrate (12) and crystal anisotropic etching of the Si substrate (12) is carried out from its front side and backside.

Abstract translation: 在Si衬底（12）的前表面上形成SiO 2薄膜的保护膜（20），并且去除保护膜（20）的一部分以形成蚀刻窗口（22）。 在蚀刻窗（22）中形成多晶Si的牺牲层（23）。 在牺牲层（23）的顶部的Si衬底（12）的前表面上形成SiO 2的保护膜（24），并且作为由多晶Si形成的元件的薄膜（13）还形成在 保护膜（24）。 在Si衬底（12）的背侧上的保护膜（21）中打开背面蚀刻窗（26）。 Si衬底（12）浸泡在TMAH中，通过背面蚀刻窗（26）在Si衬底（12）中进行晶体各向异性蚀刻，以在Si衬底（12）中提供通孔（14）。 当牺牲层（23）暴露于通孔（14）的内部时，牺牲层（23）被蚀刻去除，以在保护膜（24）和Si衬底（24）之间提供间隙（19） 12）和Si衬底（12）的晶体各向异性蚀刻从其正面和背面进行。