公开(公告)号：KR101257336B1

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：KR1020120038419

申请日：2012-04-13

Applicant: 유비머트리얼즈주식회사

Inventor： 박재근 ,  이곤섭 ,  박진형 ,  임재형 ,  조종영 ,  황희섭 ,  최호

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23F1/14 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: PURPOSE: Slurry for polishing tungsten is provided to improve polishing selection ratio of a tungsten and insulative film by using titanium oxide as an abrasive. CONSTITUTION: Slurry for polishing tungsten comprises an abrasive(300) for polishing tungsten; and an oxidation accelerator for accelerating the formation of oxide. The abrasive comprises a titanium dioxide particle. A polishing method of a substrate comprises a step of arranging a substrate(100) on which a tungsten layer(120) is formed; a step of arranging a primary slurry including a titanium oxide and oxidation accelerator; and a step of polishing the tungsten layer while supplying a primary slurry on a substrate. On the upper surface of the tungsten layer, a tungsten oxide layer is formed.

Abstract translation: 目的：提供用于抛光钨的浆料，以通过使用氧化钛作为研磨剂来改善钨和绝缘膜的抛光选择比。 构成：用于抛光钨的浆料包括用于抛光钨的磨料（300） 和用于加速氧化物形成的氧化促进剂。 研磨剂包含二氧化钛颗粒。 衬底的抛光方法包括布置其上形成有钨层（120）的衬底（100）的步骤; 布置包括氧化钛和氧化促进剂的一次浆料的步骤; 以及在基板上供给一次浆料的同时研磨钨层的步骤。 在钨层的上表面上形成氧化钨层。