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公开(公告)号:KR101821493B1
公开(公告)日:2018-01-23
申请号:KR1020160078599
申请日:2016-06-23
Applicant: 인피니언 테크놀로지스 아게
Inventor: 아난시고욘수앙 , 데헤알폰스 , 콜브스테판 , 라자라만비자이쿠라므
CPC classification number: B81B7/02 , B81B3/0018 , B81B2201/0214 , B81B2201/0257 , B81B2201/0278 , B81C1/00166 , B81C1/00182 , B81C1/00206 , G01N27/223 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/003 , H04R2201/003
Abstract: 일실시예에따르면, 미세전자기계시스템(microelectromechanical system: MEMS) 트랜듀서는기판을포함하는데이 기판은기판의후면으로부터이 기판을통과하는제1 캐비티를포함한다. MEMS 트랜듀서는기판의상단면상에서제1 캐비티위에놓이는다공형제1 전극판(perforated first electrode plate)과, 기판의상단면상에서제1 캐비티위에놓이고다공형제1 전극판으로부터이격영역에의해이격된제2 전극판과, 다공형제1 전극판과제2 전극판사이의이격영역내의가스감응물질(gas sensitive material)을또한포함한다. 가스감응물질은타겟가스의농도에의존하는전기적특성을갖는다.
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公开(公告)号:KR1020170000796A
公开(公告)日:2017-01-03
申请号:KR1020160078599
申请日:2016-06-23
Applicant: 인피니언 테크놀로지스 아게
Inventor: 아난시고욘수앙 , 데헤알폰스 , 콜브스테판 , 라자라만비자이쿠라므
CPC classification number: B81B7/02 , B81B3/0018 , B81B2201/0214 , B81B2201/0257 , B81B2201/0278 , B81C1/00166 , B81C1/00182 , B81C1/00206 , G01N27/223 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/003 , H04R2201/003
Abstract: 일실시예에따르면, 미세전자기계시스템(microelectromechanical system: MEMS) 트랜듀서는기판을포함하는데이 기판은기판의후면으로부터이 기판을통과하는제1 캐비티를포함한다. MEMS 트랜듀서는기판의상단면상에서제1 캐비티위에놓이는다공형제1 전극판(perforated first electrode plate)과, 기판의상단면상에서제1 캐비티위에놓이고다공형제1 전극판으로부터이격영역에의해이격된제2 전극판과, 다공형제1 전극판과제2 전극판사이의이격영역내의가스감응물질(gas sensitive material)을또한포함한다. 가스감응물질은타겟가스의농도에의존하는전기적특성을갖는다.
Abstract translation: 根据实施例,微机电系统(MEMS)换能器包括具有第一空腔的衬底,该衬底从衬底的背面穿过衬底。 所述MEMS换能器还包括覆盖所述基底顶面上的所述第一空腔的穿孔第一电极板,覆盖所述基底的顶侧上的所述第一空腔并与穿孔的第一电极板间隔开间隔区域的第二电极板,以及 在穿孔的第一电极板和第二电极板之间的间隔区域中的气体敏感材料。 气体敏感材料具有取决于目标气体浓度的电性质。
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