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公开(公告)号：KR101885802B1
公开(公告)日：2018-08-06
申请号：KR1020160088585
申请日：2016-07-13
Applicant: 인하대학교 산학협력단
IPC: C01B31/04 , C07C211/03 , C07C211/15
Abstract: 본발명은딘-스탁트랩을이용한그래핀분산액제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는그래핀전구체를준비하는단계; 물을포함하는플라스크에상기준비된그래핀전구체를분산시킨후 아민전구체와비수계유기용제를투입하여혼합용액을준비하는단계; 딘-스탁트랩(dean-stark trap)과컨덴서를플라스크에설치한후 교반시켜탈수반응을진행하는단계; 및상기탈수반응이후상온에서냉각시켜비수계유기용제상에분산된알킬화그래핀전구체를제조하는단계;를포함하는, 딘-스탁트랩을이용한그래핀분산액제조방법을제공한다. 본발명에따른딘-스탁트랩을이용할경우원스탭공정으로그래핀분산액을제조할수 있어공정을간소화할 수있을뿐만아니라특히다양한비수계유기용제상에분산된알킬화산화그래핀을빠른시간내에제조할수 있다. 또한, 알킬사슬을물에녹이기위해필수적으로첨가되는상전이촉매를사용할필요가없으므로친환경적인방법으로그래핀분산액을제조할수 있다.
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公开(公告)号：KR101588287B1
公开(公告)日：2016-01-26
申请号：KR1020140077598
申请日：2014-06-24
Applicant: 인하대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은기판상부에과불소중합체패턴을형성하는단계(단계 1); 상기단계 1의패턴이형성된기판에나노물질이분산되어있는분산액을도포하는단계(단계 2); 및상기단계 2의기판에형성된과불소중합체패턴을제거하는단계(단계 3);를포함하는나노물질패턴의제조방법을제공한다. 본발명에따른나노물질패턴의제조방법은리프트-오프방법으로나노물질패턴을제조함에있어서, 과불소중합체를사용하여나노물질패턴을형성하고난후의과불소중합체패턴을제거하는것이용이하며, 기판및 나노물질에손상을가하지않기때문에우수한나노물질패턴을형성할수 있다. 또한, 기능성물질을통해더욱우수한나노물질패턴을형성할수 있다.
Abstract translation: 本发明包括形成所述含氟聚合物的图案egwa顶部基板（步骤1）的工序; 施加的分散液是分散在基体纳米材料以一定图案形成的第1步（步骤2）; 并除去步骤2（步骤3）的基材上形成的过量含氟聚合物图案。 根据本发明，升降在制备离方法，所述纳米材料的图案，使用全氟烷基的聚合物，所述纳米材料图案，并且形成，并且从医疗含氟聚合物图案南湖纳米材料图案除去使用haneungeot，衬底的生产工艺和 因为它不会损伤纳米材料，所以它可以形成出色的纳米材料图案。 另外，功能材料可以形成更好的纳米材料图案。
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公开(公告)号：KR20180007492A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：KR20160088585
申请日：2016-07-13
Applicant: 인하대학교 산학협력단
IPC: C07C211/03 , C07C211/15
CPC classification number: C01B32/194 , C07C211/03 , C07C211/15
Abstract: 본발명은딘-스탁트랩을이용한그래핀분산액제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는그래핀전구체를준비하는단계; 물을포함하는플라스크에상기준비된그래핀전구체를분산시킨후 아민전구체와비수계유기용제를투입하여혼합용액을준비하는단계; 딘-스탁트랩(dean-stark trap)과컨덴서를플라스크에설치한후 교반시켜탈수반응을진행하는단계; 및상기탈수반응이후상온에서냉각시켜비수계유기용제상에분산된알킬화그래핀전구체를제조하는단계;를포함하는, 딘-스탁트랩을이용한그래핀분산액제조방법을제공한다. 본발명에따른딘-스탁트랩을이용할경우원스탭공정으로그래핀분산액을제조할수 있어공정을간소화할 수있을뿐만아니라특히다양한비수계유기용제상에분산된알킬화산화그래핀을빠른시간내에제조할수 있다. 또한, 알킬사슬을물에녹이기위해필수적으로첨가되는상전이촉매를사용할필요가없으므로친환경적인방법으로그래핀분산액을제조할수 있다.
Abstract translation: 本发明迪安 - 涉及一种用于制造石墨烯分散体与斯达克榻分水器，所述方法包括：制备更具体地，所述石墨烯前体; 还包括：在通过导入的胺前体侘含水有机溶剂中以制备混合溶液含有水的烧瓶中制备石墨烯前体分散后; 将迪安 - 斯达克分水器和冷凝器放入烧瓶中，随后搅拌进行脱水反应; 和制备分散在水性任命除霜gyeyu烷基化的石墨烯的前体在室温下冷却脱水反应;，迪安含有后 - 提供通过所述方法斯达克榻分水器中制备的石墨烯分散体。 迪安在根据本发明的使用Stark阱圆人员过程是它可以制造的不仅一个销分散体的情况下简化了工艺，特别是分散在各种任命在短时间内除霜烷基化氧化的石墨烯可以制造非水gyeyu的 。 此外，由于没有必要使用其基本上加入相转移催化剂以溶解该烷基链可以在水中制备，在对环境无害的方式石墨烯分散体。
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公开(公告)号：KR1020170070361A
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：KR1020150177385
申请日：2015-12-11
Applicant: 인하대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은기판; 및상기기판상부에형성된폴리(퍼플루오로알킬메타크릴레이트)(Poly(perfluoroalkyl methacrylate) 또는폴리(퍼플루오로알킬아크릴레이트)(Poly(perfluoroalkyl acrylate)를포함하는불소계고분자박막;을포함하고, 상기불소계고분자박막은규칙적으로반복된원형패턴이볼록하게형성된것을특징으로하는항균소재를제공한다. 본발명에따른불소계고분자박막이형성된항균소재는, 패턴이형성된불소계고분자박막으로인해, 상기박막표면의세균증식을억제하고, 높은소수성을띄며, 광투과율이높아의료기기용카메라등에적용가능한장점이있다. 또한, 본발명에따른불소계고분자박막이형성된항균소재의제조방법은, 복잡한공정과정으로수행되지않고, 후처리가필요하지않으며, 박막의제거역시간단한장점이있다.
Abstract translation: 基板本发明涉及基板， 并且含有聚氟系聚合物的薄膜（甲基丙烯酸烷基酯全氟烷基）所形成的基板上（聚（全氟烷基甲基丙烯酸酯）或聚（丙烯酸烷基酯全氟烷基）（聚（全氟烷基丙烯酸酯），其特征在于，包括在所述 基于氟的聚合物薄膜是提供一种抗菌材料，其特征在于形成为规则的圆形图案的凸重复。形成抗微生物材料，根据本发明，因为基于氟的聚合物薄膜图案的基于氟的聚合物薄膜，形成在膜表面的， 制造根据本发明形成氟化聚合物薄膜的抗菌材料的方法不在复杂的工艺步骤中进行， ，后处理不是必需的，并且去除薄膜也是简单的。
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公开(公告)号：KR101665037B1
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：KR1020150020081
申请日：2015-02-10
Applicant: 인하대학교 산학협력단
IPC: G01B7/16
Abstract: 본발명은엘라스토머기판상부에과불소중합체패턴을형성하는단계(단계 1); 은나노와이어단독; 또는은 나노와이어및 전도성고분자, 탄소나노플레이트, 금속입자, 세라믹입자, 그래핀및 산화그래핀으로이루어지는군으로부터선택되는 1 종이상을포함하는보조물질의혼합물;과, 이소프로필알콜, 에탄올, 메탄올및 물로이루어지는군으로부터선택되는 1 종이상의용매;가혼합된은 나노와이어분산액을상기단계 1의과불소중합체패턴이형성된엘라스토머기판상부에도포하는단계(단계 2); 상기과불소중합체패턴을플루오르계용매로제거하여은 나노와이어패턴을형성하는단계(단계 3); 및상기단계 3에서형성된은 나노와이어패턴양 말단에접촉하는금속전극을형성시키는단계(단계 4);를포함하는스트레인게이지의제조방법을제공한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160098638A
公开(公告)日：2016-08-19
申请号：KR1020150020081
申请日：2015-02-10
Applicant: 인하대학교 산학협력단
IPC: G01B7/16
CPC classification number: G01B7/18
Abstract: 본발명은엘라스토머기판상부에과불소중합체패턴을형성하는단계(단계 1); 은나노와이어단독; 또는은 나노와이어및 전도성고분자, 탄소나노플레이트, 금속입자, 세라믹입자, 그래핀및 산화그래핀으로이루어지는군으로부터선택되는 1 종이상을포함하는보조물질의혼합물;과, 이소프로필알콜, 에탄올, 메탄올및 물로이루어지는군으로부터선택되는 1 종이상의용매;가혼합된은 나노와이어분산액을상기단계 1의과불소중합체패턴이형성된엘라스토머기판상부에도포하는단계(단계 2); 상기과불소중합체패턴을플루오르계용매로제거하여은 나노와이어패턴을형성하는단계(단계 3); 및상기단계 3에서형성된은 나노와이어패턴양 말단에접촉하는금속전극을형성시키는단계(단계 4);를포함하는스트레인게이지의제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种应变计的制造方法，包括：在弹性体板的顶部形成全氟聚合物图案的工序（工序1） 仅涂覆银纳米线或银纳米线分散溶液的步骤（步骤2），其中含有或含有选自银纳米线和导电聚合物的组中的至少一种的辅助物质的混合物，碳纳米板， 金属颗粒，陶瓷颗粒，石墨烯和氧化石墨烯以及选自异丙醇，乙醇，甲醇和水中的至少一种溶剂混合在弹性体板的顶部，其中全氟聚合物图案为 通过步骤1形成; 通过用氟系溶剂除去全氟聚合物图案形成银纳米线图案的工序（工序3） 以及形成与步骤3中形成的银纳米线图案的两端接触的金属电极的步骤（步骤4）。
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公开(公告)号：KR101601830B1
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：KR1020140194212
申请日：2014-12-30
Applicant: 인하대학교 산학협력단
CPC classification number: H05B3/10 , H05B3/20 , H05B3/38 , H05B2214/04
Abstract: 본발명은기판상부에과불소중합체패턴을형성하는단계(단계 1); 상기단계 1에서패턴이형성된기판에탄소나노튜브를포함하는나노물질; 및전도성고분자, 탄소나노플레이트, 금속나노와이어, 금속입자, 세라믹입자, 그래핀및 산화그래핀으로이루어지는군으로부터선택되는 1 종이상을포함하는보조물질;을도포하는단계(단계 2); 상기단계 2의기판에형성된과불소중합체패턴을제거하는단계(단계 3);를포함하는발열기판의제조방법을제공한다. 본발명에따른발열기판의제조방법은리프트-오프방법으로탄소나노튜브를포함하는나노물질패턴을제조함에있어서, 과불소중합체를사용하기때문에포토레지스트와탄소나노튜브등의나노물질을도포할때 사용되는용매의화학적반응에대한문제가없으며, 과불소중합체패턴을제거하는것이용이한효과가있다. 이와같이, 기판및 탄소나노튜브를포함하는패턴에손상을가하지않기때문에발열기판으로서의성능이우수한효과가있다.
Abstract translation: 本发明提供一种加热基板的制造方法，包括以下步骤：（1）形成基板上侧的全氟聚合物图案; （2）扩展包括碳纳米管和辅助材料的纳米材料，其包括选自由导电聚合物，碳纳米板，金属纳米线，金属颗粒，陶瓷颗粒，石墨烯和碳纳米管组成的组中的至少一种 在其中在步骤（1）中形成图案的基板上形成氧化石墨; 和（3）除去在步骤（2）的基板上形成的全氟聚合物图案。 当以剥离法制造包括碳纳米管的纳米材料图案时，根据本发明的加热基板的制造方法对于用于铺展纳米材料如光致抗蚀剂的溶剂的化学反应没有问题 ，碳纳米管等，由于使用全氟聚合物，能够容易地除去全氟聚合物图案。 因此，作为加热基板的性能优异，因为包括基板和碳纳米管的图案不被损坏。
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公开(公告)号：KR101588290B1
公开(公告)日：2016-01-26
申请号：KR1020140077599
申请日：2014-06-24
Applicant: 인하대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은기판상부에과불소중합체패턴을형성하는단계(단계 1); 상기단계 1의패턴이형성된기판에나노물질이분산되어있는분산액을도포하는단계(단계 2); 및상기단계 2의기판에형성된과불소중합체패턴을제거하는단계(단계 3);를포함하는나노물질패턴의제조방법을제공한다. 본발명에따른나노물질패턴의제조방법은리프트-오프방법으로유기기판에삽입된나노물질패턴을제조함에있어서, 과불소중합체를사용하여나노물질패턴을형성하고난후의과불소중합체패턴을제거하는것이용이하며, 기판및 나노물질에손상을가하지않기때문에우수한나노물질패턴을형성할수 있다.
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公开(公告)号：KR102215511B1
公开(公告)日：2021-02-17
申请号：KR1020190016033
申请日：2019-02-12
Applicant: 인하대학교 산학협력단
IPC: G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/32 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 레지스트화합물, 이를사용한패턴형성방법, 및반도체소자제조방법이제공된다. 본발명에따르면, 레지스트화합물은아래의화학식 1로표시될수 있다. [화학식 1] JPEG112019014577918-pat00074.jpg6789
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公开(公告)号：KR101926386B1
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：KR1020170127424
申请日：2017-09-29
Applicant: 인하대학교 산학협력단 , 서울시립대학교 산학협력단
IPC: C08F220/18 , G03F7/039 , C08F220/34 , C08F220/22 , H01L51/00
Abstract: 본 발명은 고불소계 용제로 가공이 가능한 고불소화 포지티브형 포토레지스트 및 이를 이용한 유기전자소자의 제조방법에 관한 것으로서, 고불소계 용제로 가공이 가능한 고불소화 포지티브형 포토레지스트를 이용할 경우 자외선(UV) 조사 시 노광 부위의 용해도가 증가하여 패턴 형성이 가능함을 보여준다.
또한 고불소계 용제로 가공이 가능한 고불소화 포지티브형 포토레지스트를 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성한 후 패턴 상에 유기전자재료를 증착한 후에 리프트-오프 공정 또는 RIE 공정 시 추가적인 첨가제 없이 고불소계 용제만을 이용하여 미세패턴을 형성할 수 있음을 보여준다.
이러한 고불소화 포지티브형 포토레지스트는 PAG나 후속 열처리가 필요없이 패턴을 제작할 수 있으므로 유기전자재료층 상부 위에서 포토패터닝을 진행하여도 하부 유기전자재료층에 대한 영향을 최소화할 수 있고, 추후 고불소계 용제로 가공이 가능한 고불소화 포지티브형 포토레지스트를 이용하여 다색 OLED 픽셀 어레이 패터닝 공정 및 기타 유기전자재료를 이용한 유기전자소자를 제조할 수 있다.
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