公开(公告)号：KR100856543B1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：KR1020070052737

申请日：2007-05-30

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김재정 ,  강민철

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76841

Abstract: A method for forming an oxidation barrier or a diffusion barrier of a metal line of a semiconductor device is provided to enhance productivity and efficiency by performing only a continuously chemical mechanical polishing process without causing activation of a copper line using palladium. A surface of a copper layer for a semiconductor device is substituted with Ag by performing a chemical mechanical polishing process using a chemical mechanical polishing slurry includes an Ag-based compound. An oxidation barrier and a diffusion barrier are formed on a surface of the copper layer substituted with Ag by performing the chemical mechanical polishing process using the chemical mechanical polishing slurry including a reducing agent comprising a cobalt compound, a tungsten compound, and phosphorus.

Abstract translation: 提供一种用于形成半导体器件的金属线的氧化屏障或扩散阻挡层的方法，以通过仅进行连续化学机械抛光工艺而不引起使用钯的铜线的激活来提高生产率和效率。 通过使用包含Ag基化合物的化学机械抛光浆料进行化学机械抛光工艺，用Ag代替半导体器件用铜层的表面。 通过使用包含钴化合物，钨化合物和磷的还原剂的化学机械抛光浆料进行化学机械抛光工艺，在由Ag取代的铜层的表面上形成氧化屏障和扩散阻挡层。

公开(公告)号：KR100856542B1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：KR1020060087350

申请日：2006-09-11

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김재정 ,  강민철

IPC: H01L21/304

Abstract: 구리 배선 형성 공정 중 평탄화를 목적으로 사용되는 화학적 기계적 연마(CMP, Chemical Mechanical Polishing) 공정 후에 공기 또는 물에 노출된 구리의 저항을 증가시키는 산화를 억제하거나 확산을 방지하기 위한 슬러리 및 이를 이용한 구리 배선 형성방법에 대해 개시한다. 본 발명의 가장 큰 특징은, 슬러리의 주성분이 용매제, 연마제, 산화제, 부식억제제, 착물형성제로 구성되어 있으며, 구리의 산화 또는 확산 방지를 위해 은(silver)계 화합물을 더 포함한다는 것이다. 이러한 슬러리를 이용하여 구리 CMP 공정을 진행하면, 구리 표면이 은으로 치환되며, 산화에 대한 저항성이 증가하여 산화 분위기에서 구리의 면저항의 증가가 억제되며, 낮은 비저항 및 높은 신뢰성을 갖는 금속 배선을 형성할 수 있다.
구리, 배선, CMP, 화학적, 기계적, 연마, 은계 화합물, 산화, 확산, 방지막

公开(公告)号：KR1020080023443A

公开(公告)日：2008-03-14

申请号：KR1020060087350

申请日：2006-09-11

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김재정 ,  강민철

IPC: H01L21/304

Abstract: Slurry for copper CMP(Chemical Mechanical Polishing) and a method for forming a copper wire using the same are provided to obtain the copper wire having excellent surface resistance against oxidation by adding silver-based compound to the slurry. Slurry for copper CMP(Chemical Mechanical Polishing) is characterized by containing oxidizing agent, corrosion inhibitor agent, complex forming agent, and silver-based compound. The silver-based compound increases resistance against oxidation of a copper wire(60).

Abstract translation: 提供了用于铜CMP（化学机械抛光）的浆料和使用其的铜线形成方法，以通过向浆料中添加银基化合物来获得具有优异的耐氧化表面电阻的铜线。 用于铜CMP（化学机械抛光）的浆料的特征在于含有氧化剂，缓蚀剂，络合物形成剂和银基化合物。 银基化合物增加了对铜线（60）的氧化的抗性。

公开(公告)号：KR100963842B1

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：KR1020080065545

申请日：2008-07-07

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김재정 ,  강민철 ,  구효철

IPC: H01L21/304

Abstract: 구리배선 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 방법은, CMP 공정을 실시함에 있어서 용매제와, 환원제와, pH 조절제와, 착물형성제와, Co(Ⅱ) 이온 또는 Co(Ⅲ) 이온을 포함하는 화합물이 포함된 세정액을 사용하여 완화단계을 실시함으로써 구리배선 상에 캡핑막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 세정액을 사용하여 CMP 공정의 완화단계를 수행하면 추가 공정 없이도 구리배선의 산화 및 확산 방지막으로서의 Co 계열 캡핑막을 형성할 수 있으므로, 공정이 간단해지고 생산성을 향상시킬 수 있다.
반도체, 구리배선, 캡핑막, 화학적 기계적 연마, 세정액

公开(公告)号：KR1020100005493A

公开(公告)日：2010-01-15

申请号：KR1020080065545

申请日：2008-07-07

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김재정 ,  강민철 ,  구효철

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/3212

Abstract: PURPOSE: A copper wiring formation method is provided to simplify the process and improve productivity by forming Co capping layer as an oxide and diffusion prevention layer through a CMP relief process using a cleaning agent. CONSTITUTION: A copper wiring formation method comprises a step of forming a copper layer on a semiconductor substrate, a polishing process, and a relief process. A cleaning agent including a solvent, a reducer, a pH regulator, a complexing agent, and a compound containing Co(II) ion or Co(III) ion is used. Through the relief process, a capping layer is formed on the copper wiring.

Abstract translation: 目的：提供铜布线形成方法，以通过使用清洁剂的CMP浮雕工艺形成作为氧化物和扩散防止层的覆盖层来简化工艺并提高生产率。 构成：铜布线形成方法包括在半导体基板上形成铜层的步骤，抛光工艺和浮雕工艺。 使用包含溶剂，还原剂，pH调节剂，络合剂和含有Co（II）离子或Co（III）离子的化合物的清洁剂。 通过释放处理，在铜布线上形成覆盖层。