公开(公告)号：KR100727214B1

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020040106238

申请日：2004-12-15

Applicant: 주식회사 엘지화학 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김재정 ,  안응진 ,  구효철

IPC: C25D3/46

Abstract: 본 발명은 팔라듐-은 활성화 방법을 이용한 은 전해도금방법에 관한 것으로서, 반도체 금속 배선 공정에서 높은 비저항을 갖는 기판 위에 활성화 방법을 통하여 전해도금이 가능하도록 씨앗층 없이 핵을 생성시킨 후 은 전해도금을 실시하여 균일하고 결함이 없는 은 박막을 형성시키며, 비저항이 낮은 은을 현재보다 고집적화된 반도체 배선공정의 재료로 사용할 수 있는 효과가 있다.
팔라듐, 은, 활성화, 전해도금, 핵, 씨앗층, 확산방지층, 금속배선, 비저항

公开(公告)号：KR1020060067453A

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：KR1020040106238

申请日：2004-12-15

Applicant: 주식회사 엘지화학 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김재정 ,  안응진 ,  구효철

IPC: C25D3/46

CPC classification number: C25D3/46 ,  C25D5/50 ,  C25D7/12 ,  H01L21/2885

Abstract: 본 발명은 팔라듐-은 활성화 방법을 이용한 은 전해도금방법에 관한 것으로서, 반도체 금속 배선 공정에서 높은 비저항을 갖는 기판 위에 활성화 방법을 통하여 전해도금이 가능하도록 씨앗층 없이 핵을 생성시킨 후 은 전해도금을 실시하여 균일하고 결함이 없는 은 박막을 형성시키며, 비저항이 낮은 은을 현재보다 고집적화된 반도체 배선공정의 재료로 사용할 수 있는 효과가 있다.
팔라듐, 은, 활성화, 전해도금, 핵, 씨앗층, 확산방지층, 금속배선, 비저항

公开(公告)号：KR100963842B1

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：KR1020080065545

申请日：2008-07-07

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김재정 ,  강민철 ,  구효철

IPC: H01L21/304

Abstract: 구리배선 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 방법은, CMP 공정을 실시함에 있어서 용매제와, 환원제와, pH 조절제와, 착물형성제와, Co(Ⅱ) 이온 또는 Co(Ⅲ) 이온을 포함하는 화합물이 포함된 세정액을 사용하여 완화단계을 실시함으로써 구리배선 상에 캡핑막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 세정액을 사용하여 CMP 공정의 완화단계를 수행하면 추가 공정 없이도 구리배선의 산화 및 확산 방지막으로서의 Co 계열 캡핑막을 형성할 수 있으므로, 공정이 간단해지고 생산성을 향상시킬 수 있다.
반도체, 구리배선, 캡핑막, 화학적 기계적 연마, 세정액

公开(公告)号：KR1020100005493A

公开(公告)日：2010-01-15

申请号：KR1020080065545

申请日：2008-07-07

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김재정 ,  강민철 ,  구효철

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/3212

Abstract: PURPOSE: A copper wiring formation method is provided to simplify the process and improve productivity by forming Co capping layer as an oxide and diffusion prevention layer through a CMP relief process using a cleaning agent. CONSTITUTION: A copper wiring formation method comprises a step of forming a copper layer on a semiconductor substrate, a polishing process, and a relief process. A cleaning agent including a solvent, a reducer, a pH regulator, a complexing agent, and a compound containing Co(II) ion or Co(III) ion is used. Through the relief process, a capping layer is formed on the copper wiring.

Abstract translation: 目的：提供铜布线形成方法，以通过使用清洁剂的CMP浮雕工艺形成作为氧化物和扩散防止层的覆盖层来简化工艺并提高生产率。 构成：铜布线形成方法包括在半导体基板上形成铜层的步骤，抛光工艺和浮雕工艺。 使用包含溶剂，还原剂，pH调节剂，络合剂和含有Co（II）离子或Co（III）离子的化合物的清洁剂。 通过释放处理，在铜布线上形成覆盖层。