루테늄 박막 형성 방법
    1.
    发明公开
    루테늄 박막 형성 방법 有权
    形成薄膜薄膜的方法

    公开(公告)号:KR1020030093737A

    公开(公告)日:2003-12-11

    申请号:KR1020020031577

    申请日:2002-06-05

    Inventor: 김재정 권오중

    Abstract: PURPOSE: A method for forming a ruthenium thin film is provided to be capable of conserving constant charge and simultaneously improving surface roughness characteristics by using an electrolytic plating process. CONSTITUTION: After preparing a semiconductor substrate, the semiconductor substrate is activated by dipping the semiconductor substrate in an activation solution for depositing activation material on the surface of the semiconductor substrate. After dipping the activated semiconductor substrate in a ruthenium electrolytic plating solution, a ruthenium thin film is deposited on the surface of the activated substrate by applying reduction potential. Preferably, a diffusion barrier is formed at the semiconductor substrate by using TiN, TaN, WN, or TiSiN.

    Abstract translation: 目的:提供一种形成钌薄膜的方法,其能够通过使用电解电镀工艺来保持恒定电荷并同时改善表面粗糙度特性。 构成:在制备半导体衬底之后,通过将半导体衬底浸入用于在半导体衬底的表面上沉积活化材料的活化溶液中来激活半导体衬底。 在将活化的半导体衬底浸渍在钌电解电镀溶液中后,通过施加还原电位将钌薄膜沉积在活化的衬底的表面上。 优选地,通过使用TiN,TaN,WN或TiSiN在半导体衬底处形成扩散阻挡层。

    마이크로 반응기의 제조방법
    2.
    发明授权
    마이크로 반응기의 제조방법 有权
    微反应器的制造方法

    公开(公告)号:KR100832040B1

    公开(公告)日:2008-05-27

    申请号:KR1020060091234

    申请日:2006-09-20

    Abstract: 본 발명은 마이크로 반응기 내부에 형성된 미세 유로에서의 촉매 반응을 수반하는 화학 반응을 일으키기 위하여 미세 유로가 촉매 층에 의한 막힘 현상이 없도록 미세 유로의 내벽에만 효과적으로 촉매 층을 코팅할 수 있는 방법을 제시한다. 본 발명에서는 슬러리 형태의 촉매 코팅액을 이용하여 채우기-건조법(fill and dry coating)을 적용함으로써, 마이크로 반응기의 미세 유로 내벽에만 촉매 층의 코팅이 이루어지도록 하였다. 또한 미세 유로 표면과 촉매 층과의 접착력 향상을 위하여 미세 유로 표면에 실리콘 산화막을 형성하였다. 본 발명의 기본 개념인 채우기-건조법에 따르면, 미세 유로의 크기와 더불어 촉매 슬러리의 점도에 따라 코팅되는 촉매 층의 두께 및 미세 유로의 막힘 현상에 영향을 주므로 이를 적절히 조절하여 최적화된 촉매 층을 갖는 마이크로 반응기를 얻을 수 있다.
    마이크로 반응기, 미세 유로, 촉매 코팅액, 촉매 층, 슬러리

    루테늄 박막 형성 방법
    3.
    发明授权
    루테늄 박막 형성 방법 有权
    钌薄膜形成方法

    公开(公告)号:KR100475402B1

    公开(公告)日:2005-03-10

    申请号:KR1020020031577

    申请日:2002-06-05

    Inventor: 김재정 권오중

    Abstract: 반도체 배선용 전극으로 사용되는 루테늄 박막을 전해 도금으로 형성하는 방법에 대하여 개시한다. 본 발명의 루테늄 박막 형성 방법은: 반도체 기판을 마련하는 단계와, 활성화 용액에 기판을 침지시켜서 기판 표면에 활성화 물질을 증착하여 기판을 활성화하는 단계, 활성화된 기판을 루테늄 전해 도금 용액에 침지시키고 환원 전위를 인가하여 활성화된 기판 표면에 루테늄을 전해 도금하는 루테늄 증착 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 활성화된 기판은 전해 도금법에 의한 보다 균일하게 루테늄이 증착되도록 유도함으로써, 누설 전류가 감소 및 항복 전압이 증가, 즉 전기적 특성이 좋아지게 되는 효과를 나타낸다. 또한, 간단한 공정으로 보다 얇은 단차 패턴의 고품질 루테늄 박막을 형성할 수 있어서, 유전 물질을 쉽게 채워 넣을 수 있는 디램 커패시터의 하부 전극을 형성할 수 있기 때문에 반도체 산업에 지대한 영향을 끼칠 수 있다.

    접착력이 우수한 다층 박막 및 이의 제조방법
    4.
    发明授权
    접착력이 우수한 다층 박막 및 이의 제조방법 失效
    具有优异粘合性的多层及其制造方法

    公开(公告)号:KR100578976B1

    公开(公告)日:2006-05-12

    申请号:KR1020040082581

    申请日:2004-10-15

    Abstract: 본 발명은 접착력이 우수한 다층 박막 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판 상에 형성된 질화탄탈륨막과, 상기 질화탄탈륨막 상에 형성된 탄탈륨막과, 상기 탄탈륨막 상에 형성된 금 박막을 포함하는 다층 박막에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 질화탄탈륨막이 형성된 기판 상에 탄탈륨을 소정 두께로 증착시킨 다음, 금 박막을 증착시켜 250 내지 800 ℃에서 열처리하여 제조되는 다층 박막의 제조방법에 관한 것이다.
    상기 질화탄탈륨막 및 금 박막 사이에 탄탈륨막을 형성하여 상기 층간 사이의 접착력을 효과적으로 증가시켜 반도체 소자, MEMS 및 연료전지 분야에 바람직하게 적용할 수 있다.
    금, 질화탄탈륨, 탄탈륨, 열처리, 접착, 반도체 소자, MEMS, 연료전지

    마이크로 반응기의 제조방법
    5.
    发明公开
    마이크로 반응기의 제조방법 有权
    微反应器制备方法

    公开(公告)号:KR1020080026337A

    公开(公告)日:2008-03-25

    申请号:KR1020060091234

    申请日:2006-09-20

    Abstract: A method for fabricating a micro-reactor is provided to prevent a catalyst from being coated on unnecessary regions in the micro-reactor fabricating process, simplify the cumbersome fabricating process, effectively form a catalyst layer only on inner walls of microchannels even after reactor bonding, and prevent cracking or exfoliation of the catalyst layer even after the reaction is proceeded. A method for fabricating a micro-reactor comprises: a first step of preparing a substrate having microchannels; a second step of flowing a catalyst coating solution into the microchannels of the substrate to fill the microchannels with the catalyst coating solution; and a third step of drying the substrateto form a catalyst layer on inner walls of the microchannels only by surface tension of a solvent contained in the catalyst coating solution. The first step includes the steps of: (a) forming microchannels on at least one of two substrates to be bonded; and (b) bonding the two substrates. The second step is conducted by flowing the catalyst coating solution into the microchannels by a syringe. The third step of drying the substrate includes the steps of: drying the substrate at room temperature; heat-treating the substrate dried at the room temperature at a temperature higher than the room temperature. The method further comprises the step of forming an oxide layer on the substrate prior to the second step to form easily the catalyst layer on the substrate.

    Abstract translation: 提供了制造微反应器的方法,以防止在微反应器制造过程中催化剂被涂覆在不需要的区域上,简化繁琐的制造工艺,即使在反应器接合之后也仅在微通道的内壁上有效地形成催化剂层, 并且即使在反应进行之后也可以防止催化剂层的开裂或剥离。 微反应器的制造方法包括:制备具有微通道的基板的第一步骤; 使催化剂涂布溶液流入基板的微通道以用催化剂涂布溶液填充微通道的第二步骤; 以及仅通过催化剂涂布溶液中所含溶剂的表面张力使基材干燥以在微通道的内壁上形成催化剂层的第三步骤。 第一步包括以下步骤:(a)在要接合的两个基板中的至少一个上形成微通道; 和(b)粘合两个基底。 第二步是通过注射器将催化剂涂层溶液流入微通道进行。 干燥基材的第三步骤包括以下步骤:在室温下干燥基材; 对在高于室温的室温下室温干燥的基板进行热处理。 该方法还包括在第二步骤之前在衬底上形成氧化物层以在衬底上容易地形成催化剂层的步骤。

    접착력이 우수한 다층 박막 및 이의 제조방법
    7.
    发明公开
    접착력이 우수한 다층 박막 및 이의 제조방법 失效
    具有优异附着力的多层薄膜及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020060033456A

    公开(公告)日:2006-04-19

    申请号:KR1020040082581

    申请日:2004-10-15

    Abstract: 본 발명은 접착력이 우수한 다층 박막 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판 상에 형성된 질화탄탈륨막과, 상기 질화탄탈륨막 상에 형성된 탄탈륨막과, 상기 탄탈륨막 상에 형성된 금 박막을 포함하는 다층 박막에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 질화탄탈륨막이 형성된 기판 상에 탄탈륨을 소정 두께로 증착시킨 다음, 금 박막을 증착시켜 250 내지 800 ℃에서 열처리하여 제조되는 다층 박막의 제조방법에 관한 것이다.
    상기 질화탄탈륨막 및 금 박막 사이에 탄탈륨막을 형성하여 상기 층간 사이의 접착력을 효과적으로 증가시켜 반도체 소자, MEMS 및 연료전지 분야에 바람직하게 적용할 수 있다.
    금, 질화탄탈륨, 탄탈륨, 열처리, 접착, 반도체 소자, MEMS, 연료전지

    Abstract translation: 本发明包括的是,更具体地,氮化钽膜和形成在所述钽薄膜金薄膜,对形成在基板上的氮化钽膜,根据制造多层薄膜的方法和它的优良的粘合形成的钽薄膜 分层薄膜。 本发明还涉及一种制造多层薄膜,该薄膜是通过在250〜800℃热处理制得的方法沉积,然后具有沉积至厚度钽形成的衬底上的期望的氮化钽膜的金薄膜。

    전해도금에 의한 고비저항 기판에서의 금속박막 형성방법
    8.
    发明公开
    전해도금에 의한 고비저항 기판에서의 금속박막 형성방법 失效
    使用电镀方法在高电阻率基板上形成金属薄膜的方法

    公开(公告)号:KR1020040080463A

    公开(公告)日:2004-09-20

    申请号:KR1020030015225

    申请日:2003-03-11

    Abstract: PURPOSE: A method for forming a metallic thin film on a high resistivity substrate using an electroplating method is provided to form easily a metallic thin film on the high resistivity substrate by using a surface activation method. CONSTITUTION: A preprocessing procedure is performed. The preprocessing procedure includes an etching process for removing oxides from a high resistivity substrate by using an etching solution and a surface activation process for activating a surface of the high resistivity substrate by using a metal activation solution. A metallic thin film is formed on an upper surface of the surface-activated substrate by using an electroplating solution. The etching solution is formed with HF solution.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用电镀方法在高电阻率基板上形成金属薄膜的方法,通过使用表面活化方法容易地在高电阻率基板上形成金属薄膜。 构成:执行预处理程序。 预处理方法包括通过使用蚀刻溶液从高电阻率基板去除氧化物的蚀刻工艺和通过使用金属活化溶液来激活高电阻率基板的表面的表面活化方法。 通过使用电镀液在表面活化基板的上表面上形成金属薄膜。 蚀刻溶液由HF溶液形成。

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