公开(公告)号：KR100834846B1

公开(公告)日：2008-06-09

申请号：KR1020060123845

申请日：2006-12-07

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 김기훈 ,  오윤석

IPC: G01R33/035

CPC classification number: G01R33/16 ,  G01R33/035

Abstract: A magnetoelectric susceptibility measurement system is provided to widen an application range by measuring a magnetoelectric effect of magnetoelectric materials in low and high frequency bands. A magnetoelectric susceptibility measurement system is composed of a magnet(120) for applying a DC(Direct Current) magnetic field(Hbias) to a magnetoelectric sample(110), an AC(Alternating Current) induction coil for applying an AC magnetic field(deltaH) to the magnetoelectric sample, a charge amplifier for applying a charge signal of the magnetoelectric sample vibrated by the AC magnetic field, and a phase sensitive detector for detecting a charge signal amplified in the charge amplifier while supplying induction current to the AC induction coil. The electromagnet or superconductive magnet is used. The charge amplifier has a resistor, a condenser, and an operational amplifier connected in parallel.

Abstract translation: 提供了一种磁电敏感性测量系统，通过测量低频和高频带中的电磁材料的磁电效应来扩大应用范围。 磁电敏感性测量系统由用于将DC（直流）磁场（Hbias）施加到磁电样品（110）的磁体（120），用于施加AC磁场的AC（交流）感应线圈 ）到磁电样本，用于施加由交流磁场振动的磁电样品的电荷信号的电荷放大器，以及相位敏感检测器，用于检测在电荷放大器中放大的电荷信号，同时向AC感应线圈提供感应电流。 使用电磁体或超导磁体。 电荷放大器具有并联连接的电阻器，电容器和运算放大器。

公开(公告)号：KR100911090B1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：KR1020080008384

申请日：2008-01-28

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기훈 ,  박윤 ,  김형준 ,  김재욱 ,  서기성

IPC: G01N25/20 ,  G01N25/00 ,  B82Y35/00

Abstract: 본 발명은 나노전자기계시스템 (NEMS) 처리 기술에 의해 구현되는 실리콘 니트라이드 박막 플랫폼 기반의 새로운 디자인을 가진 정확도가 향상된 마이크로칼로리미터 소자에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 본 발명은 극미세물질의 비열측정장치를 위한 실리콘니트라이드 박막형 마이크로칼로리미터 소자에 관한 것으로, 특히 20 K 내지 800 K의 넓은 온도 구간에서 미세시료의 비열측정이 가능한 정확도가 향상된 마이크로칼로리미터 소자에 관한 것이다.
이를 위해 본 발명은 양면 연마된 실리콘 프레임(11a,11b)의 상면에 제 1실리콘니트라이드 박막(12a,12b)을 포함하고, 하면에는 제2실리콘니트라이드 박막(13)을 포함하되, 상기 제2실리콘니트라이드 박막(13)의 하면에는 전기인출선과 체결되는 히터/센서(14a, 14b)를 포함하고 그 상면에는 등온층(15)을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 정확도가 향상된 마이크로칼로리미터 소자를 제시한다.
본 발명은 센서 및 히터에 대한 전기인출선(electrical leads)의 구조를 조절함으로써, 비열 측정 시 불필요한 열전도성 열손실을 줄여 20 K에서 800 K 에 이르는 넓은 온도 범위에 대해 전형적으로 5% 미만의 절대적 비열 측정 정확도를 제공할 수 있는 새로운 형태의 정확도가 향상된 마이크로칼로리미터 소자 구조를 제시한다.
마이크로칼로리미터, 비열, 열용량, 고온구동, 멤브레인, 실리콘니트라이드

公开(公告)号：KR1020090082563A

公开(公告)日：2009-07-31

申请号：KR1020080008384

申请日：2008-01-28

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기훈 ,  박윤 ,  김형준 ,  김재욱 ,  서기성

IPC: G01N25/20 ,  G01N25/00 ,  B82Y35/00

CPC classification number: G01K17/006 ,  B82Y35/00 ,  G01N25/20

Abstract: A micro calorimeter device with enhanced accuracy is provided to measure the minute heat capacity of 10-6J/K accurately to material having various micrometer and nano sizes within temperature range of 20K~800K. A micro calorimeter device with enhanced accuracy comprises a first silicon nitride thin film(12a,12b), second silicon nitride thin film(13), heater/sensor(14a,14b), and an isothermal layer(15). The first silicon nitride thin film is equipped at the upper side of a duplex-grinded silicon frame(11a,11b). The second silicon nitride thin film is equipped at the lower-part. The heater/sensor is connected to an electricity leader line on the lower surface of the second silicon nitride thin film.

Abstract translation: 提供了一种精度更高的微量热计装置，可以在20K〜800K的温度范围内对具有各种微米和纳米尺寸的材料精确测量10-6J / K的分热容量。 具有增强的精度的微量热计装置包括第一氮化硅薄膜（12a，12b），第二氮化硅薄膜（13），加热器/传感器（14a，14b）和等温层（15）。 第一氮化硅薄膜配置在双面研磨硅框架（11a，11b）的上侧。 第二氮化硅薄膜装配在下部。 加热器/传感器连接到第二氮化硅薄膜的下表面上的电引线。