公开(公告)号：KR100911090B1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：KR1020080008384

申请日：2008-01-28

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기훈 ,  박윤 ,  김형준 ,  김재욱 ,  서기성

IPC: G01N25/20 ,  G01N25/00 ,  B82Y35/00

Abstract: 본 발명은 나노전자기계시스템 (NEMS) 처리 기술에 의해 구현되는 실리콘 니트라이드 박막 플랫폼 기반의 새로운 디자인을 가진 정확도가 향상된 마이크로칼로리미터 소자에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 본 발명은 극미세물질의 비열측정장치를 위한 실리콘니트라이드 박막형 마이크로칼로리미터 소자에 관한 것으로, 특히 20 K 내지 800 K의 넓은 온도 구간에서 미세시료의 비열측정이 가능한 정확도가 향상된 마이크로칼로리미터 소자에 관한 것이다.
이를 위해 본 발명은 양면 연마된 실리콘 프레임(11a,11b)의 상면에 제 1실리콘니트라이드 박막(12a,12b)을 포함하고, 하면에는 제2실리콘니트라이드 박막(13)을 포함하되, 상기 제2실리콘니트라이드 박막(13)의 하면에는 전기인출선과 체결되는 히터/센서(14a, 14b)를 포함하고 그 상면에는 등온층(15)을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 정확도가 향상된 마이크로칼로리미터 소자를 제시한다.
본 발명은 센서 및 히터에 대한 전기인출선(electrical leads)의 구조를 조절함으로써, 비열 측정 시 불필요한 열전도성 열손실을 줄여 20 K에서 800 K 에 이르는 넓은 온도 범위에 대해 전형적으로 5% 미만의 절대적 비열 측정 정확도를 제공할 수 있는 새로운 형태의 정확도가 향상된 마이크로칼로리미터 소자 구조를 제시한다.
마이크로칼로리미터, 비열, 열용량, 고온구동, 멤브레인, 실리콘니트라이드

公开(公告)号：KR1020090082563A

公开(公告)日：2009-07-31

申请号：KR1020080008384

申请日：2008-01-28

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김기훈 ,  박윤 ,  김형준 ,  김재욱 ,  서기성

IPC: G01N25/20 ,  G01N25/00 ,  B82Y35/00

CPC classification number: G01K17/006 ,  B82Y35/00 ,  G01N25/20

Abstract: A micro calorimeter device with enhanced accuracy is provided to measure the minute heat capacity of 10-6J/K accurately to material having various micrometer and nano sizes within temperature range of 20K~800K. A micro calorimeter device with enhanced accuracy comprises a first silicon nitride thin film(12a,12b), second silicon nitride thin film(13), heater/sensor(14a,14b), and an isothermal layer(15). The first silicon nitride thin film is equipped at the upper side of a duplex-grinded silicon frame(11a,11b). The second silicon nitride thin film is equipped at the lower-part. The heater/sensor is connected to an electricity leader line on the lower surface of the second silicon nitride thin film.

Abstract translation: 提供了一种精度更高的微量热计装置，可以在20K〜800K的温度范围内对具有各种微米和纳米尺寸的材料精确测量10-6J / K的分热容量。 具有增强的精度的微量热计装置包括第一氮化硅薄膜（12a，12b），第二氮化硅薄膜（13），加热器/传感器（14a，14b）和等温层（15）。 第一氮化硅薄膜配置在双面研磨硅框架（11a，11b）的上侧。 第二氮化硅薄膜装配在下部。 加热器/传感器连接到第二氮化硅薄膜的下表面上的电引线。

公开(公告)号：KR100686717B1

公开(公告)日：2007-03-16

申请号：KR1020050105107

申请日：2005-11-03

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김형준 ,  송호근

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02529 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262

Abstract: An Fe doped semi-insulating 4H-SiC monocrystalline thin film is provided to reduce costs by securing an insulating characteristic enough using a metallic-organic source containing Fe. A semi-insulating 4H-SiC monocrystalline thin film is grown on a monocrystalline SiC substrate. The semi-insulating 4H-SiC monocrystalline thin film is doped with Fe ions, wherein the Fe ions are supplied from a metallic-organic source. The metallic-organic source contains Fe. The metallic-organic source is made of one selected from a group consisting of a ferrocene, a t-butylferrocene, or an n-butylferrocene. The dose of the Fe ions is in a predetermined range of 10^12 to 10^21 number/cm^3.

Abstract translation: 提供掺杂Fe的半绝缘4H-SiC单晶薄膜，通过使用含有Fe的金属有机源确保足够的绝缘特性来降低成本。 半绝缘4H-SiC单晶薄膜生长在单晶SiC衬底上。 半绝缘4H-SiC单晶薄膜掺杂有Fe离子，其中Fe离子由金属有机源提供。 金属有机源含有Fe。 金属有机源由选自二茂铁，叔丁基二茂铁或正丁基二茂铁中的一种制成。 Fe离子的剂量在10 ^ 12至10 ^ 21数/ cm 3的预定范围内。