Abstract:
본 발명에 따른 고(高) 발광 이리듐(Ⅲ) 오소메탈 착화합물은 전기인광소자의 발광층에 사용되는 것으로 하기 화학식 1의 구조를 갖는다: [화학식 1]
상기식에서, R은 각각 알킬, 아릴 및 아릴 치환체로 이루어진 군으로부터 선택되며, 피리딘 고리의 3, 4 또는 5번 위치에 치환될 수 있다. 상기 오소메탈 착화합물은 Ir(acac) 3 과 Hmpp의 몰비를 1 : 6 으로 하고 반응 온도를 160 ℃까지 점차적으로 증가시키면서 반응물의 교반에 의해 제조한다. facial -[Ir(mpp) 3 ](이하 "Ir(mpp) 3 "이라 함)의 수율을 60 %로 높이기 위하여 개시물질인 Ir(acac) 3 과 Hmpp의 비율을 1 : 12로 변화시키고, 반응시간에 따라 온도를 160 ℃에서 220 ℃로 변화시키는 것이 바람직하다.
Abstract:
본 발명은 전기인광소자(electrophosphorescent light emitting diodes)와 같은 광전자 소자에 발광 도펀트(dopant)로 사용되는 하기 화학식 1의 구조를 갖는 오소메탈 포스핀 및 시안화 이리듐(Ⅲ) 착화합물에 관한 것이다: [화학식 1]
상기 식에서, R은 알킬, 아릴, 및 치환된 아릴로 이루어지는 군으로부터 선택되고, R'은 H, F, 알킬, 알콕시, 아릴, 및 치환된 아릴로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
Abstract:
A manufacturing method of the dye sensitized solar cell is provided to increase the efficiency of the dye sensitized solar cell by the ultraviolet ray-ozone treatment. A manufacturing method of the dye sensitized solar cell includes the step for forming the titanium oxide layer by spraying the oxide titanium slurry on the first substrate on which the first conductor layer is formed; the step for drying the titanium oxide layer; the step for doing the ultraviolet ray-ozone treatment to the titanium oxide layer; the step that heat-treats the titanium oxide layer and sinters; the step for absorbing the dye in the titanium oxide layer; the step for binding the second substrate including the second conductor layer and the platinum layer with the first substrate; the step for providing the electrolyte between the first substrate and the second substrate.
Abstract:
An organic light emitting device is provided to improve an electric characteristic by improving an interface characteristic of an organic layer. An organic light emitting device includes a substrate(10), a first electrode(20), a second electrode(30), and an intermediate layer(40). The first electrode is formed on the substrate. The second electrode is formed on the first electrode. The intermediate layer is installed between the first electrode and the second electrode, and has the organic light emitting layer and a positive hole injection layer. The positive hole injection layer is contacted with the first electrode, and has a TAPC(Tolyl-AminoPhenyl-Cyclohexene) on which a rhenium oxide is doped. The positive hole injection layer has the rhenium oxide of 1 to 40wt%. A positive hole transfer layer or a diffusion prevention layer is installed between the positive hole injection layer and the organic light emitting layer.
Abstract:
An organic light emitting device is provided to reduce hole injection barrier by forming a surface dipole between a first electrode and a hole implant layer. A first electrode(120) is formed on a substrate(110), and a second electrode(130) is formed on the first electrode. An intermediate layer(140) between the second electrode and the first electrode comprise an organic light-emitting layer and a hole implant layer, and a hole implant layer contains the copper iodide while contacting with the first electrode.
Abstract:
본 발명은 비닐그룹을 갖는 안트라센 뼈대에 기초한 고성능 유기 반도체 화합물 및 이를 이용한 유기 반도체 박막 및 유기 박막 전자 소자에 관한 보다 상세하게는 대칭적으로 치환된 형태의 신규의 유기 반도체 화합물로서 각종 유기 전자용 소재에 적용시 높은 필드-이펙트 이동도(field-effect mobilities; 전하이동도)와 같은 좋은 전기적 특성을 보여주며, 대량으로 쉽게 합성될 수 있고, 또한 낮은 기판 증착 온도에서도 적용가능한 유기 플렉서블 전자공학(organic flexible electronics)에 응용에 대해서 전도유망한 고성능 유기 반도체 화합물에 관한 것이다. 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 포스포네이트 유도체와 화학식 2로 표시되는 알데하이드 유도체간의 반응에 의하여 비닐 그룹을 형성하여 합성되는 유기 반도체 화합물을 제공한다.
상기 식에서 A-는 사이클릭 알킬기, 페닐기, C1 내지 C12의 알킬기치환된 페닐기, 티오페닐기, C1 내지 C12의 알킬치환된 티오페닐기, 나프틸기, C1 내지 C12의 알킬치환된 나프틸기, 비페닐기, C1 내지 C12의 알킬치환된 비페닐기, 안트라세닐기, C1 내지 C12의 알킬치환된 안트라세닐기, 페난트레닐기, C1 내지 C12의 알킬치환된 페난트레닐기, 플루오레닐기, C1 내지 C12의 알킬치환된 플루오레닐기, 피리디닐기, C1 내지 C12의 알킬치환된 피리디닐기, 피롤릴기, C1 내지 C12의 알킬치환된 피롤릴기,푸라닐기, 및 C1 내지 C12의 알킬치환된 푸라닐기로 이루어진 군으로부터 선택된 것이다. 유기 반도체 화합물, 필드-이펙트 이동도, 온/오프 전류비
Abstract:
An organic light emitting device is provided to prevent a color from being changed due to the change of a region where an exciton is formed by the meeting of electrons and holes. An organic light emitting device includes a substrate(100), a first electrode(110), a first organic light emitting layer(140), a second organic light emitting layer(150), a third organic light emitting layer(160), and a second electrode(190). The first electrode is formed on the substrate. The first organic light emitting layer is formed on the first electrode. The second organic light emitting layer is formed on the first organic light emitting layer and includes host and dopant. HOMO energy level of the dopant is higher than HOMO energy level of the host. LUMO energy level of the dopant is higher than LUMO energy level of the host. The third organic light emitting layer is formed on the second organic light emitting layer. The second electrode is formed on the third organic light emitting layer.
Abstract:
PURPOSE: An organic semiconductor compound having high performance based on anthracene having vinyl group is provided to ensure high electrical characteristic and high thermal stability. CONSTITUTION: An organic semiconductor compound with vinyl group is synthesized by reacting phosphonate derivative of chemical formula 1 and aldehyde derivative of chemical formula 2. In chemical formulas 1 and 2, A is substituted or non-substituted cyclic alkyl group, substituted or non-substituted aryl group, substituted or non-substituted thiophenyl group, substituted or non-substituted pyridinyl group, substituted or non-substituted pyrrolyly group or substituted or non-substituted furanyl group. The organic semiconductor compound is denoted by one among chemical formula 3 to 6.