公开(公告)号：KR1020050032297A

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：KR1020030068329

申请日：2003-10-01

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  권순용 ,  김현진 ,  나현석

IPC: H01L21/20

Abstract: A method for growing an epitaxial layer of a nitride semiconductor using a high temperature grown buffer layer is provided to easily grow an epitaxial layer of the same kind as a high temperature grown buffer layer on the high temperature grown buffer layer by growing a buffer layer of a nitride semiconductor on a substrate at a temperature higher than a proper growth temperature of a real epitaxial layer instead of a low temperature buffer layer. A III-group element and a nitrogen element are supplied to a substrate disposed in a chamber to grow a nitride semiconductor buffer layer at a temperature higher than an epitaxial layer growth temperature(S1). The supply of the III-group element is disconnected to convert the nitride semiconductor buffer layer into a nitride semiconductor buffer layer having a two-dimensional uniform thickness(S2). The temperature of the substrate is reduced to the epitaxial layer growth temperature(S3). The III-group element and the nitrogen element are supplied at the epitaxial layer growth temperature to grow a nitride semiconductor epitaxial layer of the same kind as the nitride semiconductor buffer layer(S5).

Abstract translation: 提供了使用高温生长缓冲层来生长氮化物半导体的外延层的方法，以便通过生长高温生长缓冲层上的缓冲层来容易地生长与高温生长缓冲层上相同种类的外延层 氮化物半导体在高于实际外延层的适当生长温度而不是低温缓冲层的温度下在衬底上。 将III族元素和氮元素供给到设置在室中的基板，以在高于外延层生长温度的温度（S1）生长氮化物半导体缓冲层。 断开III族元件的供给，以将氮化物半导体缓冲层转换成具有二维均匀厚度的氮化物半导体缓冲层（S2）。 衬底的温度降低到外延层生长温度（S3）。 以外延层生长温度提供III族元素和氮元素，以生长与氮化物半导体缓冲层相同类型的氮化物半导体外延层（S5）。

公开(公告)号：KR100590444B1

公开(公告)日：2006-06-19

申请号：KR1020030068329

申请日：2003-10-01

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  권순용 ,  김현진 ,  나현석

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 결함 밀도가 낮은 고품질 질화물 반도체 에피층 성장 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 질화물 반도체 에피층 성장 방법에서는, 고온에서 얇은 두께의 평탄한 2차원 질화물 반도체 완충층을 성장시킨 후 온도를 낮추어 적정 성장 온도에서 상기 질화물 반도체 완충층과 동종의 질화물 반도체 에피층을 성장시킨다. 이러한 방법으로 성장시킨 질화물 반도체 에피층은 결함 밀도가 낮고 결정성이 양호하여 고효율 광소자 및 전자소자 제작에 유리하다.

公开(公告)号：KR100531178B1

公开(公告)日：2005-11-28

申请号：KR1020030046119

申请日：2003-07-08

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  나현석

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/7624

Abstract: 이종기판에 질화물 반도체 에피층을 성장시키는 과정에서 중간에 금속층으로 전환시킬 수 있는 중간 질화물 반도체 에피층을 삽입하고 그것을 금속층으로 전환시키는 방법에 의해 후속적으로 성장시키는 질화물 반도체 에피층의 내부 결함을 크게 낮추면서 응력 발생을 감소시키는 방법을 제공한다. 본 발명에 따라 중간 질화물 반도체 에피층으로부터 변환되어 생성된 금속층은 추후 질화물 반도체 에피층과 이종기판의 분리에 있어서도 선택적 식각 방법 등으로 쉽게 분리해낼 수 있다. 이 방법을 사용하는 경우 현재 2인치 이상의 대면적 기판 제조에 걸림돌이 되고 있는 기판 휨(warpage) 현상을 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050006409A

公开(公告)日：2005-01-17

申请号：KR1020030046119

申请日：2003-07-08

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  나현석

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/7624

Abstract: PURPOSE: A method for growing a semiconductor epi layer by transformation of a nitride interlayer semiconductor epi layer into a metal phase is provided to prevent a substrate from being warped by stress by easily removing a metal layer from a heterogeneous substrate such that the metal layer is transformed from a nitride interlayer epi layer. CONSTITUTION: The first nitride semiconductor epi layer(110) is grown on a heterogeneous substrate(100). A nitride interlayer semiconductor epi layer is grown on the first nitride semiconductor epi layer, capable of being transformed into a metal layer(120a) at a high temperature. While the nitride interlayer semiconductor epi layer is maintained, the second nitride semiconductor epi layer(130) is grown on the nitride interlayer semiconductor epi layer. The nitride interlayer semiconductor epi layer is transformed into a metal layer. The stress generated in a growth process is relaxed, the third nitride epi layer(140) is grown by using the second nitride semiconductor epi layer as a seed layer.

Abstract translation: 目的：提供一种通过将氮化物中间层半导体外延层转变成金属相来生长半导体外延层的方法，以通过容易地从异质衬底去除金属层以防止衬底由于应力而翘曲，使得金属层为 从氮化物中间层外延层转变。 构成：第一氮化物半导体外延层（110）在非均相衬底（100）上生长。 氮化物层间半导体外延层在第一氮化物半导体外延层上生长，能够在高温下转变成金属层（120a）。 在保持氮化物层间半导体外延层的同时，在氮化物层间半导体外延层上生长第二氮化物半导体外延层（130）。 将氮化物中间层半导体外延层转变成金属层。 在生长过程中产生的应力松弛，通过使用第二氮化物半导体外延层作为种子层，生长第三氮化物外延层（140）。