公开(公告)号：KR101330140B1

公开(公告)日：2013-11-18

申请号：KR1020070135200

申请日：2007-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 전성찬 ,  김선일 ,  손영목 ,  백찬욱 ,  김현진

IPC: H03B1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 공진 수단에 교류 전력을 인가하는 교류 전원부; 상기 공진 수단에 직류 전력을 인가하는 직류 전원부; 및 상기 교류 전원부 및 상기 직류 전원부에 의해 인가된 전력에 의해 상기 공진 수단이 선형 조화 진동(linear harmonic oscillation)하도록 상기 직류 전원부 및 상기 교류 전원부를 제어하는 제어부를 포함하는 공진 수단의 구동 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 공진 수단의 구동 장치 및 방법을 사용하면, 나노 공진기와 같은 공진 수단에 인가되는 구동 전력의 크기를 증가시켜 신호 대 잡음 비율이 향상됨에 따라 신호의 검출이 용이하며, 공진 수단에 직류 전력을 인가함으로써 조화 진동을 유지할 수 있으므로 구동 전력의 크기가 증가하는 경우에도 나노 공진기의 양호도 Q의 값을 높게 유지할 수 있다.
공진, 선형, 조화 진동

公开(公告)号：KR100946723B1

公开(公告)日：2010-03-12

申请号：KR1020080033977

申请日：2008-04-12

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김현진 ,  윤용순

IPC: B62D6/00

CPC classification number: G05D1/0238 ,  G05D1/0217 ,  G05D2201/0207

Abstract: 본 발명은 차량의 조향 방법 및 그 장치에 관한 것으로, 특히 자율 주행 차량에 대한 조향 방법 및 그 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 차량의 조향 장치가 차량을 조향하는 방법에 있어서, (a) 차량의 출발 지점과 목표 지점을 이용하여 제1 경로를 설정하는 단계; (b) 상기 차량의 진행 시 상기 차량에 탑재된 복수의 장애물 센서가 장애물을 감지하여 장애물 위치 신호를 생성하는 단계; (c) 상기 복수의 장애물 센서로부터 수신한 장애물 위치 신호를 이용하여 시차 정보를 생성하는 단계; 및 (d) 상기 시차 정보를 이용하여 상기 장애물을 회피하는 제2 경로를 설정하는 단계를 포함하는 차량의 조향 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 차량의 조향 방법 및 그 장치는 차량이 복잡한 환경에서도 실시간으로 장애물을 회피하여 운행할 수 있도록 하는 효과가 있다.
모델 예측 제어, 장애물 충돌, 자율 주행 차량, 궤도 생성.

公开(公告)号：KR1020090108509A

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：KR1020080033977

申请日：2008-04-12

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 김현진 ,  윤용순

IPC: B62D6/00

CPC classification number: G05D1/0238 ,  G05D1/0217 ,  G05D2201/0207

Abstract: PURPOSE: A steering method and a steering apparatus for a vehicle are provided to drive on a road by considering the shape and the size of the vehicle and avoiding obstacles. CONSTITUTION: A method in which a steering apparatus steers a vehicle comprises followings. A first path is set up using the starting point and the destination of a vehicle(S110). A plurality of obstacle sensors mounted on the vehicle senses the obstacle and produces signals on obstacle positions during the driving of the vehicle(S120). Parallax information is generated using the signals on obstacle positions received from a plurality of obstacle sensors(S130). A second path is set up to avoid the obstacles using the parallax information(S140).

Abstract translation: 目的：通过考虑车辆的形状和尺寸并避开障碍物，提供用于车辆的转向方法和转向装置以在道路上行驶。 构成：转向装置引导车辆的方法包括以下。 使用车辆的起点和目的地建立第一路径（S110）。 安装在车辆上的多个障碍物传感器感测障碍物，并且在驾驶车辆期间在障碍物位置产生信号（S120）。 使用从多个障碍物传感器接收的障碍物位置上的信号生成视差信息（S130）。 设置第二路径以避免使用视差信息的障碍（S140）。

公开(公告)号：KR1020050032297A

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：KR1020030068329

申请日：2003-10-01

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  권순용 ,  김현진 ,  나현석

IPC: H01L21/20

Abstract: A method for growing an epitaxial layer of a nitride semiconductor using a high temperature grown buffer layer is provided to easily grow an epitaxial layer of the same kind as a high temperature grown buffer layer on the high temperature grown buffer layer by growing a buffer layer of a nitride semiconductor on a substrate at a temperature higher than a proper growth temperature of a real epitaxial layer instead of a low temperature buffer layer. A III-group element and a nitrogen element are supplied to a substrate disposed in a chamber to grow a nitride semiconductor buffer layer at a temperature higher than an epitaxial layer growth temperature(S1). The supply of the III-group element is disconnected to convert the nitride semiconductor buffer layer into a nitride semiconductor buffer layer having a two-dimensional uniform thickness(S2). The temperature of the substrate is reduced to the epitaxial layer growth temperature(S3). The III-group element and the nitrogen element are supplied at the epitaxial layer growth temperature to grow a nitride semiconductor epitaxial layer of the same kind as the nitride semiconductor buffer layer(S5).

Abstract translation: 提供了使用高温生长缓冲层来生长氮化物半导体的外延层的方法，以便通过生长高温生长缓冲层上的缓冲层来容易地生长与高温生长缓冲层上相同种类的外延层 氮化物半导体在高于实际外延层的适当生长温度而不是低温缓冲层的温度下在衬底上。 将III族元素和氮元素供给到设置在室中的基板，以在高于外延层生长温度的温度（S1）生长氮化物半导体缓冲层。 断开III族元件的供给，以将氮化物半导体缓冲层转换成具有二维均匀厚度的氮化物半导体缓冲层（S2）。 衬底的温度降低到外延层生长温度（S3）。 以外延层生长温度提供III族元素和氮元素，以生长与氮化物半导体缓冲层相同类型的氮化物半导体外延层（S5）。

公开(公告)号：KR1020090067516A

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：KR1020070135200

申请日：2007-12-21

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 전성찬 ,  김선일 ,  손영목 ,  백찬욱 ,  김현진

IPC: H03B1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: An apparatus and a method for driving a resonant unit are provided to high maintain a value of a quality factor of a nano resonator by applying a DC power to a resonant unit. An AC power source part(10) generates a driving power having a fixed size in order to generate resonance in a resonant unit(30). An attenuating part(11) is connected between the AC power source part and the resonant unit. A phase dividing part(12) is connected between the AC power source part and the resonant unit. The phase dividing part divides an AC power generated in the AC power source part into two or more power having a fixed phase difference. A DC power supply source part(20) generates a DC power of a desired size. The resonant unit is resonated by using the AC power as the driving power. A detecting unit(40) grasps a resonant property of the resonant unit by detecting an inducing voltage. A control part(50) controls the AC power source part and the DC power source part.

Abstract translation: 提供了用于驱动谐振单元的装置和方法，以通过向谐振单元施加DC电力来高度维持纳米谐振器的品质因数的值。 交流电源部分（10）产生具有固定尺寸的驱动电力，以便在谐振单元（30）中产生谐振。 在AC电源部分和谐振单元之间连接有衰减部分（11）。 相位分离部（12）连接在交流电源部与谐振单元之间。 相分离部将交流电源部中产生的交流电力分成具有固定相位差的2个以上的电力。 直流电源部件（20）产生期望尺寸的直流电力。 谐振单元通过使用AC电力作为驱动电力来谐振。 检测单元（40）通过检测感应电压来掌握谐振单元的谐振特性。 控制部（50）控制交流电源部和直流电源部。

公开(公告)号：KR100590444B1

公开(公告)日：2006-06-19

申请号：KR1020030068329

申请日：2003-10-01

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  권순용 ,  김현진 ,  나현석

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 결함 밀도가 낮은 고품질 질화물 반도체 에피층 성장 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 질화물 반도체 에피층 성장 방법에서는, 고온에서 얇은 두께의 평탄한 2차원 질화물 반도체 완충층을 성장시킨 후 온도를 낮추어 적정 성장 온도에서 상기 질화물 반도체 완충층과 동종의 질화물 반도체 에피층을 성장시킨다. 이러한 방법으로 성장시킨 질화물 반도체 에피층은 결함 밀도가 낮고 결정성이 양호하여 고효율 광소자 및 전자소자 제작에 유리하다.