公开(公告)号：KR100868321B1

公开(公告)日：2008-11-11

申请号：KR1020060034258

申请日：2006-04-14

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 이경우 ,  김기범 ,  박영욱 ,  이태연

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C13/0004

Abstract: 본 발명은 하나의 단위 셀 내에서 상변화층이 모두 동일한 선폭을 가져도 각각의 상태를 독립적으로 제어할 수 있는 상변화 메모리 소자의 단위 셀 구조를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 상변화층과, 상기 상변화층과 동일 층 내에서 상기 상변화층과 평행하게 배치된 보조 저항층을 구비하는 상변화 메모리 소자의 단위 셀을 제공한다.
상변화 메모리 소자, 하부전극, 발열체, 상변화 물질, 보조 저항층, 병렬, 결정질상, 비정질상

公开(公告)号：KR1020070102295A

公开(公告)日：2007-10-18

申请号：KR1020060034258

申请日：2006-04-14

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 이경우 ,  김기범 ,  박영욱 ,  이태연

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C13/0004

Abstract: A unit cell of a multi-bit phase changeable memory device is provided to control independently each state of one unit cell according to the phase change of a phase changeable material in spite of the same CDs(Critical Dimensions) of phase changeable layers by forming a parallel structure together with the phase changeable material using a predetermined material with a proper electric resistivity between first resistivity of a crystalline phase of the phase changeable material and a second resistivity of an amorphous phase of the phase changeable material. A unit cell of a phase changeable memory device includes a phase changeable layer(112) and an auxiliary resistive layer. The auxiliary resistive layer(111) is arranged parallel with the phase changeable layer in the same layer as that of the phase changeable layer. A plurality of phase changeable layers and auxiliary resistive layers are capable of being alternately arranged in the same layer. The auxiliary resistive layer has a predetermined resistivity between a first resistivity and a second resistivity. The first resistivity is obtained from the phase changeable layer of a crystalline phase. The second resistivity is acquired from the phase changeable layer of an amorphous phase.

Abstract translation: 提供多位相位可变存储器件的单位单元，用于根据可相变材料的相位变化来独立地控制一个单元电池的每个状态，尽管通过形成相变层可以具有相同的CD（临界尺寸） 使用具有在相变材料的结晶相的第一电阻率和可相变材料的非晶相的第二电阻率之间具有适当电阻率的预定材料的相变材料。 相变存储器件的单元单元包括相变层（112）和辅助电阻层（112）。 辅助电阻层（111）与相变层平行地设置在与相变层相同的层中。 多个相变层和辅助电阻层能够交替布置在同一层中。 辅助电阻层在第一电阻率和第二电阻率之间具有预定的电阻率。 第一电阻率是从结晶相的相变层获得的。 从非晶相的相变层获取第二电阻率。