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公开(公告)号：KR100919692B1
公开(公告)日：2009-10-06
申请号：KR1020060038310
申请日：2006-04-27
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115
Abstract: 본 발명은 상변화 물질 부분이 절연물질에 의해 서로 분리되는 성질을 이용하여 상변화 메모리 소자의 동작에 있어서 전류의 경로를 줄여 높은 전류밀도를 획득하여 상변화에 필요한 전기에너지의 소모가 작은 상변화 메모리셀 및 그의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 상변화메모리셀의 상변화층은 상변화물질(예를 들어, GeSbTe)과 절연물질(예를 들어, SiOx)이 혼합되고, 상기 절연물질에 의해 상기 상변화물질이 일정 크기로 분리된다.
상변화메모리, 상변화층, 절연물질, GeSbTe, SiOx-
公开(公告)号：KR1020090068817A
公开(公告)日：2009-06-29
申请号：KR1020070136585
申请日：2007-12-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: G11C13/0038 , G11C5/14 , G11C7/20 , G11C13/0004
Abstract: An operation method of the phase change memory device is provided, which recovers the phase-change layer to the steady-state by authorizing the treatment voltage greater than the reset voltage to the phase-change layer. An operation method of the phase change memory device authorizes the treatment voltage which is greater than the reset voltage to the phase-change layer. The authentication hour of the treatment voltage is longer than the authentication hour of the reset voltage. The intensity of the treatment voltage is 1.1 times or greater of the reset voltage. The authentication hour of the treatment voltage is one micro-second or greater. The treatment voltage is one pulse voltage. The treatment voltage comprises two or more pulse voltages which are consecutively applied.
Abstract translation: 提供了相变存储器件的操作方法，通过授权处理电压大于相变层的复位电压，将相变层恢复到稳态。 相变存储器件的操作方法授权处理电压大于相变层的复位电压。 处理电压的认证时间长于复位电压的认证时间。 处理电压的强度是复位电压的1.1倍以上。 治疗电压的认证时间为1微秒或更大。 处理电压为一脉冲电压。 处理电压包括连续施加的两个或更多个脉冲电压。
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公开(公告)号：KR1020070105752A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：KR1020060038310
申请日：2006-04-27
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: A phase change random access memory cell and a method for manufacturing the same are provided to maintain a stable state of information stored therein by separating a phase change material such as GeSbTe by using an insulating material such as SiOx. A phase change random access memory cell includes a lower electrode, a phase change layer mixed with a phase change material on the lower electrode, and an upper electrode formed on the phase change layer. The phase change material is separated into a constant size by using the phase change material. The phase change material of the phase change layer is formed of a chalcogenide material of one element which is selected from a group including Te, Se, Ge, Sb, Bi, Pb, Sn, As, S, Si, P, and O.
Abstract translation: 提供了相变随机存取存储单元及其制造方法，以通过使用绝缘材料如SiOx分离诸如GeSbTe的相变材料来保持其中存储的信息的稳定状态。 相变随机存取存储单元包括下电极，与下电极上的相变材料混合的相变层和形成在相变层上的上电极。 通过使用相变材料将相变材料分离成恒定尺寸。 相变层的相变材料由选自由Te，Se，Ge，Sb，Bi，Pb，Sn，As，S，Si，P和O组成的一种元素的硫族化物材料形成。
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公开(公告)号：KR1020070031714A
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020050086454
申请日：2005-09-15
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 본 발명은 상변화층과 전기적 발열체인 하부전극 간의 접촉면적을 감소시키고, 이를 통해 높은 전류밀도를 획득하여 문턱전류, 문턱전압 및 되돌이 전류 등의 값을 감소시킬 수 있는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 하부전극과, 상기 하부전극 상에 다공성 부도체 박막을 주형으로 이용하고, 상기 다공성 부도체 박막에 형성된 기공을 발열체 또는 상변화 물질로 매립시켜 형성된 오믹 컨택층과, 상기 오믹 컨택층 상에 형성된 상변화층과, 상기 상변화층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
상변화 메모리 소자, 하부전극, 발열체, 다공성 부도체 박막, 상변화 물질, 기공-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100868321B1
公开(公告)日：2008-11-11
申请号：KR1020060034258
申请日：2006-04-14
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004
Abstract: 본 발명은 하나의 단위 셀 내에서 상변화층이 모두 동일한 선폭을 가져도 각각의 상태를 독립적으로 제어할 수 있는 상변화 메모리 소자의 단위 셀 구조를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 상변화층과, 상기 상변화층과 동일 층 내에서 상기 상변화층과 평행하게 배치된 보조 저항층을 구비하는 상변화 메모리 소자의 단위 셀을 제공한다.
상변화 메모리 소자, 하부전극, 발열체, 상변화 물질, 보조 저항층, 병렬, 결정질상, 비정질상-
公开(公告)号：KR1020080019905A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：KR1020060082419
申请日：2006-08-29
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: A thin film deposition method is provided to modify a thin film stably without deformation of the substrate even in the case where glass or a polymer material is used as a substrate, and a thin film deposition apparatus that can realize the thin film deposition method is provided. A thin film deposition method for depositing a thin film on a substrate comprises irradiating electrons onto the thin film deposited onto the substrate through an electron showering process while the thin film is deposited onto the substrate to modify the thin film. The electron showering process comprises sequentially irradiating electrons onto the substrate or the thin film deposited onto the substrate before and after the thin film is deposited onto the substrate. The electron showering process comprises varying intensity and distribution of the electrons irradiated. The electron showering process is conducted in an electron energy range of 0.1 eV to 100 keV.
Abstract translation: 提供了薄膜沉积方法，即使在使用玻璃或聚合物材料作为基板的情况下也能稳定地修饰薄膜而不会发生基板的变形，并且提供可实现薄膜沉积方法的薄膜沉积设备 。 用于在衬底上沉积薄膜的薄膜沉积方法包括通过电子喷镀工艺将电子照射到沉积在衬底上的薄膜上，同时将薄膜沉积到衬底上以改变薄膜。 电子淋洗过程包括在薄膜沉积到衬底上之前和之后，将电子依次照射到衬底上或沉积在衬底上的薄膜。 电子喷淋工艺包括照射的电子的强度和分布变化。 电子喷淋过程在0.1eV至100keV的电子能量范围内进行。
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公开(公告)号：KR1020070102295A
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：KR1020060034258
申请日：2006-04-14
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004
Abstract: A unit cell of a multi-bit phase changeable memory device is provided to control independently each state of one unit cell according to the phase change of a phase changeable material in spite of the same CDs(Critical Dimensions) of phase changeable layers by forming a parallel structure together with the phase changeable material using a predetermined material with a proper electric resistivity between first resistivity of a crystalline phase of the phase changeable material and a second resistivity of an amorphous phase of the phase changeable material. A unit cell of a phase changeable memory device includes a phase changeable layer(112) and an auxiliary resistive layer. The auxiliary resistive layer(111) is arranged parallel with the phase changeable layer in the same layer as that of the phase changeable layer. A plurality of phase changeable layers and auxiliary resistive layers are capable of being alternately arranged in the same layer. The auxiliary resistive layer has a predetermined resistivity between a first resistivity and a second resistivity. The first resistivity is obtained from the phase changeable layer of a crystalline phase. The second resistivity is acquired from the phase changeable layer of an amorphous phase.
Abstract translation: 提供多位相位可变存储器件的单位单元，用于根据可相变材料的相位变化来独立地控制一个单元电池的每个状态，尽管通过形成相变层可以具有相同的CD（临界尺寸） 使用具有在相变材料的结晶相的第一电阻率和可相变材料的非晶相的第二电阻率之间具有适当电阻率的预定材料的相变材料。 相变存储器件的单元单元包括相变层（112）和辅助电阻层（112）。 辅助电阻层（111）与相变层平行地设置在与相变层相同的层中。 多个相变层和辅助电阻层能够交替布置在同一层中。 辅助电阻层在第一电阻率和第二电阻率之间具有预定的电阻率。 第一电阻率是从结晶相的相变层获得的。 从非晶相的相变层获取第二电阻率。
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公开(公告)号：KR1020090076597A
公开(公告)日：2009-07-13
申请号：KR1020080002636
申请日：2008-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/126 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/143
Abstract: A phase change memory device and a method of manufacturing the same are provided, which can prevent misalignment problem of the bottom electrode and diffusion stopper. The phase change memory device comprises the storage node and the switching element connected to the storage node. The storage node comprises electrode and phase-change layer(30). The diffusion stopper(20) includes the silicide compound between the electrode and phase-change layer. The silicide compound includes at least one among silicide, silicide oxide, and silicide nitride. The electrode is the bottom electrode(10).
Abstract translation: 提供了一种相变存储器件及其制造方法，其可以防止底部电极和扩散塞的不对准问题。 相变存储器件包括存储节点和连接到存储节点的开关元件。 存储节点包括电极和相变层（30）。 扩散阻挡层（20）包括电极和相变层之间的硅化物。 硅化物化合物包括硅化物，硅化物氧化物和氮化硅中的至少一种。 电极是底部电极（10）。
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公开(公告)号：KR100713943B1
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020050086454
申请日：2005-09-15
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115
Abstract: 본 발명은 상변화층과 전기적 발열체인 하부전극 간의 접촉면적을 감소시키고, 이를 통해 높은 전류밀도를 획득하여 문턱전류, 문턱전압 및 되돌이 전류 등의 값을 감소시킬 수 있는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 하부전극과, 상기 하부전극 상에 다공성 부도체 박막을 주형으로 이용하고, 상기 다공성 부도체 박막에 형성된 기공을 발열체 또는 상변화 물질로 매립시켜 형성된 오믹 컨택층과, 상기 오믹 컨택층 상에 형성된 상변화층과, 상기 상변화층 상에 형성된 상부전극을 포함하는 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
상변화 메모리 소자, 하부전극, 발열체, 다공성 부도체 박막, 상변화 물질, 기공Abstract translation: 本发明减少了相变层和下部电极的电加热元件，并且此，其获得的高电流密度可以降低到的值，如阈值电流，电压，和通过返回电流和相变存储器件之间的接触面积 旨在提供一种制造方法，本发明的欧姆接触被用于下部电极，并在所述下部电极作为模板的多孔非导电性薄膜，形成由填充形成在多孔绝缘膜作为加热元件或一相变材料用于此目的的孔 它提供了一个相变存储器件和形成在形成于接触层上的欧姆相变层上形成上部电极的制造方法，及层，所述相变层。
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