公开(公告)号：KR1020090022086A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：KR1020070087146

申请日：2007-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 이은경 ,  최병룡 ,  국양 ,  최재혁 ,  정훈휘

IPC: B82B3/00

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0673 ,  H01L31/035281 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  Y10S977/70 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/84

Abstract: A regioselectively lateral nanowire growth process is provided to improve integration degree of device by selecting desired location when nano device is manufactured and growing nanowire. A regioselectively lateral nanowire growth process comprises steps of: forming the first oxide silicon thin film on a silicon substrate; forming two or more long grooves; removing the remaining first oxide silicon thin film; forming a silicon core surrounded by the second oxide silicon thin film(3); etching perpendicularly a predetermined part of both sides of a silicon core surrounded by the second silicon thin film by patterning and removing it; forming a hollow channel of which the both sides are opened; depositing a catalyst metal layer on one end of the hollow channel; forming a protective film on a top surface of the catalyst metal layer; and growing nanowire in the hollow channel from the catalyst metal layer(7) to the silicon substrate in horizontal direction.

Abstract translation: 提供区域选择性横向纳米线生长工艺，以通过在纳米器件制造和生长纳米线时选择所需位置来提高器件的集成度。 区域选择性横向纳米线生长方法包括以下步骤：在硅衬底上形成第一氧化硅薄膜; 形成两个或多个长槽; 去除剩余的第一氧化硅薄膜; 形成由所述第二氧化硅薄膜（3）包围的硅芯; 通过图案化和除去由第二硅薄膜包围的硅芯的两侧的预定部分垂直蚀刻; 形成两侧打开的中空通道; 在所述中空通道的一端上沉积催化剂金属层; 在催化剂金属层的顶表面上形成保护膜; 并在中空通道中从水平方向从催化剂金属层（7）到硅衬底生长纳米线。

公开(公告)号：KR100817103B1

公开(公告)日：2008-03-31

申请号：KR1020060073329

申请日：2006-08-03

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박태성 ,  이은경

IPC: G06F17/10

Abstract: 마이크로어레이 데이터 분석 시스템은 복수의 처리 중 i번째 처리에 대한 복수의 반복 중에서 j번째 반복에 포함된 복수의 유전자의 강도로 i번째 처리의 j번째 반복에 대한 표준 벡터를 생성하고, 복수의 i와 복수의 j에 대해서 복수의 표준 벡터를 생성한다. 그리고 시스템은 복수의 표준 벡터 중에서 두 표준 벡터 사이의 상관 계수를 계산하고, 상관 계수로 마이크로어레이 데이터의 품질 및 재현성을 분석한다.
마이크로어레이, 재현성, 품질, 상관, 콜모고로프-스미르노프, 검증

公开(公告)号：KR1020080012474A

公开(公告)日：2008-02-12

申请号：KR1020060073329

申请日：2006-08-03

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박태성 ,  이은경

IPC: G06F17/10

CPC classification number: G06F17/15 ,  G06F17/16

Abstract: A method and a system for analyzing microarray data are provided to analyze quality of the microarray data objectively which is generated from a plurality of treatments by using a chip correlation coefficient according to the same or different treatment. A correlation module(10) generates a plurality of reference vectors according to treatments and treatment repetitions, generates the reference vector for m-th repetition of n-th treatment by using intensity of a plurality of genes included in the m-th repetition of the n-th treatment, and calculates a correlation coefficient between two reference vectors among a plurality of reference vectors. An analyzing module(20) analyzes microarray data by using the correlation coefficient. The analyzing module compares the quality of the first and second treatments by comparing the correlation coefficient of a correlation group in the repeated treatments of the first treatment with the correlation coefficient of the correlation group in the repeated treatments of the second treatment.

Abstract translation: 提供了一种用于分析微阵列数据的方法和系统，用于通过使用根据相同或不同处理的码片相关系数，从多个处理中客观地分析微阵列数据的质量。 相关模块（10）根据处理和处理重复产生多个参考矢量，通过使用包含在第m次重复中的多个基因的强度来生成第n次处理的第m次重复的参考矢量 并且计算多个参考矢量中的两个参考矢量之间的相关系数。 分析模块（20）通过使用相关系数分析微阵列数据。 分析模块通过将第一次处理的重复处理中的相关组的相关系数与第二次处理的重复处理中相关组的相关系数进行比较，来比较第一和第二处理的质量。

公开(公告)号：KR101345456B1

公开(公告)日：2013-12-27

申请号：KR1020070087146

申请日：2007-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 이은경 ,  최병룡 ,  국양 ,  최재혁 ,  정훈휘

IPC: B82B3/00

CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0673 ,  H01L31/035281 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  Y10S977/70 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/84

Abstract: 본발명은위치선택적수평형나노와이어의성장방법, 그에의해형성된나노와이어및 이를포함하는나노소자에관한것으로, 더욱상세하게는소자제작시 원하는위치를선택하여기판과수평방향으로일정한길이와직경을갖는나노와이어를성장시킴으로써, 소자의집적도를향상시킬수 있는위치선택적수평형나노와이어의성장방법, 그에의해형성된나노와이어및 이를포함하는나노소자에관한것이다.