公开(公告)号：KR1020030009572A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：KR1020010033065

申请日：2001-06-13

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박병국 ,  이종덕 ,  정경훈 ,  성석강

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A method for forming ultra-fine multi-patterns is provided to obtain the ultra-fine multi-patterns of a desired size in a narrow interval by performing a multiple patterning process using a sidewall. CONSTITUTION: A pattern layer, the second pattern layer, and the first pattern layer are sequentially deposited on a substrate. The first pattern is formed on the first pattern layer. The first sidewall layer is deposited on the first pattern. A sidewall is formed by performing a dry etch process. The second pattern is formed by etching the second pattern layer. The sidewall is removed from the second pattern. The second sidewall layer is deposited on the second pattern. The second sidewall(22') is formed by performing the dry etch process. A pattern(P) is formed by etching the pattern layer.

Abstract translation: 目的：提供一种形成超细多图案的方法，通过使用侧壁进行多次图案化处理，以窄间隔获得期望尺寸的超细多图案。 构成：图案层，第二图案层和第一图案层顺序地沉积在基板上。 第一图案形成在第一图案层上。 第一侧壁层沉积在第一图案上。 通过进行干蚀刻工艺形成侧壁。 通过蚀刻第二图案层形成第二图案。 侧壁从第二图案移除。 第二侧壁层沉积在第二图案上。 通过执行干蚀刻工艺形成第二侧壁（22'）。 通过蚀刻图案层形成图案（P）。

公开(公告)号：KR100396137B1

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：KR1020010033065

申请日：2001-06-13

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박병국 ,  이종덕 ,  정경훈 ,  성석강

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A method for forming ultra-fine multi-patterns is provided to obtain the ultra-fine multi-patterns of a desired size in a narrow interval by performing a multiple patterning process using a sidewall. CONSTITUTION: A pattern layer, the second pattern layer, and the first pattern layer are sequentially deposited on a substrate. The first pattern is formed on the first pattern layer. The first sidewall layer is deposited on the first pattern. A sidewall is formed by performing a dry etch process. The second pattern is formed by etching the second pattern layer. The sidewall is removed from the second pattern. The second sidewall layer is deposited on the second pattern. The second sidewall(22') is formed by performing the dry etch process. A pattern(P) is formed by etching the pattern layer.

Abstract translation: 目的：提供一种形成超精细多图案的方法，以通过使用侧壁执行多重图案化工艺来以窄间隔获得期望尺寸的超精细多图案。 构成：图案层，第二图案层和第一图案层依次沉积在基底上。 第一图案形成在第一图案层上。 第一侧壁层沉积在第一图案上。 通过执行干蚀刻工艺形成侧壁。 第二图案通过蚀刻第二图案层而形成。 侧壁从第二图案移除。 第二侧壁层沉积在第二图案上。 第二侧壁（22'）通过执行干式蚀刻工艺而形成。 通过蚀刻图案层形成图案（P）。