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公开(公告)号：KR100782133B1
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：KR1020060105936
申请日：2006-10-30
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 한국원자력연구원
CPC classification number: B82B3/0038 , B01J19/085 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: A production method of nano material by radiating electronic beam is provided to mass-produce nano material having uniform particle size distribution or having different form for each production. A production method of nano material comprises a step of radiating electronic beam onto an organic-inorganic monomer compound represented by a structure formula: wherein M is metal element, X is selected from a group consisting of S, P, O and N, and R is a substituted or unsubstituted alkyl group. The organic-inorganic compound is prepared by polymerizing a metallic salt or at least two metallic salt compounds with hydrocarbon having at least one functional group. The other production method of nano material comprises a step of radiating electronic beam onto an organic-inorganic mixture prepared by mixing metallic salt or at least two metallic salts and hydrocarbon substituted by at least one functional group having one selected from a group consisting of S, P, O and N. Both a hydrocarbon having at least one functional group and the other hydrocarbon substituted by at least one functional group are selected from a group consisting of C1-C20 alkanethiol having -SH group, alkane thiol derivatives and di-thiol and tri-diol derivatives, or from a group consisting of compounds having C1-C20 alkyl group having at least one functional group selected from -OH, -C6H5, -NO2, -COOH, -H3PO4. The metal is selected from a group consisting of Au, Ag, Cu, Pt, Zn, Ni, Co, Mo, Mn, W, Ca, Ge, Se, Fe, Al, Ti, Pd, In, Sn and Pb. The electronic beam is radiated directly onto the organic-inorganic polymer compound or onto the organic-inorganic mixture depending on the selected method with varing the energy strength and radiation time.
Abstract translation: 提供通过辐射电子束的纳米材料的制造方法，以批量生产具有均匀粒度分布或具有不同形式的纳米材料。 纳米材料的制备方法包括将电子束辐射到由以下结构式表示的有机 - 无机单体化合物的步骤：其中M是金属元素，X选自S，P，O和N，R 是取代或未取代的烷基。 通过使金属盐或至少两种金属盐化合物与具有至少一个官能团的烃聚合来制备有机 - 无机化合物。 纳米材料的其他制造方法包括将电子束辐射到有机 - 无机混合物上的步骤，该有机 - 无机混合物是通过混合金属盐或至少两种金属盐和被至少一个选自S， P，O和N.具有至少一个官能团的烃和被至少一个官能团取代的其它烃选自由具有-SH基团的C1-C20链烷硫醇，烷烃硫醇衍生物和二硫醇组成的组，以及 或由具有至少一个选自-OH，-C 6 H 5，-NO 2，-COOH，-H 3 PO 4的官能团的C 1 -C 20烷基的化合物组成的组中。 金属选自Au，Ag，Cu，Pt，Zn，Ni，Co，Mo，Mn，W，Ca，Ge，Se，Fe，Al，Ti，Pd，In，Sn和Pb。 电子束根据所选择的方法直接照射到有机 - 无机高分子化合物或有机 - 无机混合物上，具有改变能量强度和辐射时间。
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公开(公告)号：KR100841398B1
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：KR1020070020391
申请日：2007-02-28
Applicant: 한국원자력연구원 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L29/73
Abstract: A method and an apparatus for improving an electrical characteristic of a BRT device are provided to manufacture the BRT device having a high performance switching by irradiating an optimized electron beam on the BRT device. An electron beam is irradiated on a BRT(Base Resistance controlled Thyristor) device to extract a first specific condition value of the electron beam which shortens a lifespan of minor carrier. The electron beam of the extracted first specific condition value is irradiated on other BRT device. The other BRT device is subjected to a thermal annealing process to extract a second specific condition value which increases a threshold voltage. Another BRT device is subjected to the thermal annealing process of the extracted specific condition value.
Abstract translation: 提供一种用于改善BRT装置的电气特性的方法和装置，以通过在BRT装置上照射优化的电子束来制造具有高性能切换的BRT装置。 电子束照射在BRT（基极电阻控制晶闸管）器件上，以提取缩短次要载流子寿命的电子束的第一特定条件值。 提取的第一特定条件值的电子束照射在其他BRT装置上。 对其他BRT器件进行热退火处理，以提取增加阈值电压的第二特定条件值。 对另一BRT装置进行提取的特定条件值的热退火处理。
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公开(公告)号：KR101028506B1
公开(公告)日：2011-04-11
申请号：KR1020080128628
申请日：2008-12-17
Applicant: 한국원자력연구원
IPC: C01G23/00 , C01G23/047 , B82B3/00
Abstract: 본 발명은 방사선 조사를 이용한 이산화티타늄의 제조방법에 관한 것으로서 보다 상세하게는 이산화티타늄의 제조에 있어서, 티타늄을 포함한 전구체 용액을 물에 용해한 후 저에너지 또는 고에너지의 방사선을 조사하여 나노 크기의 이산화티타늄 입자를 제조하는 단계를 포함하는 방사선 조사를 이용한 이산화티타늄 제조방법에 관한 것이다.
티타늄 전구체, 방사선 조사, 나노입자, 이산화티타늄-
公开(公告)号：KR1020100128427A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：KR1020090046808
申请日：2009-05-28
Applicant: 한국원자력연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: PURPOSE: A large-area electron beam irradiator including a triode-structure is provided to radiate electron beam to a wide range of area by including a vacuum chamber with a gate electrode and a ground potential in order to control the density of a current from an electric filed radiating tip. CONSTITUTION: An electron beam radiating window is formed to a longitudinal direction on one side of the circumference of a vacuum chamber(510). A cathode(520) is arranged to a longitudinal direction on the inner center part of the vacuum chamber. A gate electrode is formed on the upper side of an insulating layer. A cathode voltage applying part(540) is installed in the vacuum chamber. A gate voltage applying part(550) is installed in the vacuum chamber.
Abstract translation: 目的：提供一种包括三极管结构的大面积电子束照射器，通过包括具有栅电极和接地电位的真空室，将电子束辐射到宽范围的区域，以便控制来自 电场辐射尖端。 构成：在真空室（510）的圆周的一侧上沿纵向方向形成电子束辐射窗。 阴极（520）沿真空室的中心部分的纵向布置。 在绝缘层的上侧形成栅电极。 阴极电压施加部（540）安装在真空室中。 栅极电压施加部（550）安装在真空室中。
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公开(公告)号：KR100997040B1
公开(公告)日：2010-11-26
申请号：KR1020080051047
申请日：2008-05-30
Applicant: 홍익대학교 산학협력단 , 한국원자력연구원 , 한국화학연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
Abstract: 본 발명은 나노 플로팅 게이트 메모리의 제조 방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 전자빔 조사 및 어닐링 공정에 의해 메모리 특성을 향상키는데 있다.
이를 위해 본 발명은 반도체 기판 준비 단계와, 터널링층 형성 단계와, 전하 저장층 형성 단계와, 제어층 형성 단계로 이루어진 나노 플로팅 게이트 메모리의 제조 방법에 있어서, 제어층의 표면에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사 단계 및/또는 어닐링 단계가 더 포함된 나노 플로팅 게이트 메모리의 제조 방법을 개시한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100830929B1
公开(公告)日：2008-05-22
申请号：KR1020060109933
申请日：2006-11-08
Applicant: 한국원자력연구원
Abstract: 본 발명은 도전성 나노튜브와 자성체 금속입자를 이용한 전계방출형 전자원 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 도전성 나노튜브가 손상되지 않는 낮은 온도에서 용융되는 나노미터 크기의 자성체 금속입자를 매개체로 하여 도전성 나노튜브와 금속팁을 용융 결합하고 정렬함으로써, 양호한 전기전도성과 낮은 동작전압 및 높은 전류밀도를 갖는, 도전성 나노튜브와 자성체 금속입자를 이용한 전계방출형 전자원 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 도전성 나노튜브와 자성체 금속입자를 이용한 전계방출형 전자원은, 금속팁과, 상기 금속팁의 종단부에 구비되는 자성체층과, 상기 자성체층의 표면에 형성되는 자성체 금속입자들로 이루어진 자성체 미세팁과, 상기 자성체 미세팁의 자성체 금속입자들을 매개체로 하여 상기 금속팁에 접합되는 도전성 나노튜브를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
도전성 나노튜브, 자성체 금속입자, 전계방출형 전자원-
公开(公告)号：KR100577473B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020040015693
申请日：2004-03-09
Applicant: 한국원자력연구원
Abstract: 본 발명은 전계방출팁을 이용하여 높은 전류밀도로 광범위한 전자빔의 조사가 이루어질 수 있도록 하는 전자빔 조사장치에 관한 것이다.
본 발명은 둘레의 일측에 길이방향으로 전자빔 조사창이 형성된 진공챔버; 상기 진공챔버의 내부 중심 길이방향으로 구비되고, 둘레의 일측으로 상기 전자빔 조사창에 대응되는 전계방출팁이 형성된 음극; 및 상기 진공챔버의 일단에 구비되고, 상기 음극측으로 고전압을 인가시키는 고전압 인가부; 를 포함하는 전자빔 조사장치를 구비한다.
본 발명에 의하면, 전자석을 사용하지 않고서도 넓은 폭으로 광범위한 전자빔의 조사가 이루어질 수 있을 뿐만 아니라 필라멘트와 같은 가열수단이나 별도의 추가적인 전원장치 등이 없이도 높은 전류밀도의 전자빔의 조사가 이루어질 수 있고, 또한 이로 인해 구조의 단순화 및 소형화를 확보할 수 있는 효과가 있다.
전자빔 조사장치, 탄소나노튜브, 진공챔버, 음극-
公开(公告)号：KR1020090124694A
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：KR1020080051048
申请日：2008-05-30
Applicant: 홍익대학교 산학협력단 , 한국원자력연구원 , 한국화학연구원
IPC: H01L29/788 , H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/66825 , B82Y10/00 , H01L21/0226 , H01L29/42324 , H01L29/788
Abstract: PURPOSE: A nano floating gate memory and manufacturing method thereof are provided to obtain the memory characteristic by irradiating electron beam on the insulating layer of high dielectric constant. CONSTITUTION: The semiconductor substrate is prepared(S11). The charge storage layer is formed in the above semiconductor substrate by the atomic layer deposition reaction. The insulating layer is formed in the semiconductor substrate(S12). The electronic beam is irradiated in the surface of the insulating layer(S13). The insulating layer of dielectric constant is the high dielectric constant which is larger than 3. The thickness of insulating layer is 0.1~100nm.
Abstract translation: 目的：提供一种纳米浮动栅极存储器及其制造方法，通过在高介电常数的绝缘层上照射电子束来获得存储特性。 构成：制备半导体衬底（S11）。 电荷存储层通过原子层沉积反应形成在上述半导体衬底中。 在半导体衬底中形成绝缘层（S12）。 在绝缘层的表面照射电子束（S13）。 介电常数绝缘层的介电常数大于3.绝缘层的厚度为0.1〜100nm。
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公开(公告)号：KR101091567B1
公开(公告)日：2011-12-13
申请号：KR1020090047252
申请日：2009-05-29
Applicant: 한국원자력연구원
IPC: B82B3/00
Abstract: 본 발명은 나노입자의 제조장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제조하고자 하는 나노입자의 적정 제조조건에 에너지와 전류 밀도 및 선량 등을 독립적으로 제어할 수 있어 나노입자를 손쉽게 제조할 수 있는 장치에 관한 것이다.
본 발명의 나노입자 제조장치는 둘레의 일측에 길이방향으로 전자빔 조사창이 형성된 진공챔버; 상기 진공챔버 내부 중심에 길이방향으로 구비되며, 상기 전자빔 조사창에 대응되는 일측에 전계방출팁이 형성된 음극; 상기 음극 상에 형성되며, 상기 전계방출팁을 표면에 노출시키는 공동이 형성된 절연막; 상기 절연막 상부에 형성된 게이트 전극; 상기 진공챔버에 구비되고, 상기 음극에 전압을 인가하는 음극 전압인가부; 및 상기 진공챔버에 구비되고, 상기 게이트 전극에 음 또는 양의 전압을 인가하는 게이트 전압인가부를 포함하는 3극형 대면적 전자빔 조사장치와 상기 전자빔 조사장치의 전자빔 조사측에 위치하는 전자빔 조사부를 포함한다.
나노입자, 전자빔, 3극형 전자빔 조사장치, 금속 나노입자-
公开(公告)号：KR101028715B1
公开(公告)日：2011-04-12
申请号：KR1020090046808
申请日：2009-05-28
Applicant: 한국원자력연구원
IPC: H01J1/30
Abstract: 전계방출팁을 이용한 3극형 대면적 전자빔 조사장치가 제공된다.
상기 3극형 대면적 전자빔 조사장치는 둘레의 일측에 길이방향으로 전자빔 조사창이 형성된 진공챔버; 상기 진공챔버 내부 중심에 길이방향으로 구비되며, 상기 전자빔 조사창에 대응되는 일측에 전계방출팁이 형성된 음극; 상기 음극 상에 형성되며, 상기 전계방출팁을 표면에 노출시키는 공동이 형성된 절연막; 상기 절연막 상부에 형성된 게이트 전극; 상기 진공챔버에 구비되고, 상기 음극에 전압을 인가하는 음극 전압인가부; 및 상기 진공챔버에 구비되고, 상기 게이트 전극에 음 또는 양의 전압을 인가하는 게이트 전압인가부;를 포함하여 구성된다.
이러한 3극형 대면적 전자빔 조사장치는 음극에 형성된 전계방출팁, 전계방출팁에서 방출되는 전류 밀도를 제어할 수 있는 게이트 전극 및 접지전위를 갖는 진공챔버로 구성됨으로써, 전류 밀도와 에너지가 독립적으로 제어된 전자빔이 넓은 폭으로 광범위한 영역에 조사되는 효과를 갖는다.
전자빔, 3극형, 전계방출, 게이트 전극, 접지
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