公开(公告)号：KR1020100096533A

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：KR1020090015444

申请日：2009-02-24

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  김태언 ,  문종하 ,  김선훈 ,  김회종 ,  고항주

IPC: H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/04

Abstract: PURPOSE: An optical absorption layer for a solar battery and a manufacturing method thereof are provided to improve reliability and yield by depositing SiO2 or the SiNx compound on a thin film through a PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) method. CONSTITUTION: A predetermined amount of Se is deposited on a thin film according to composition ratio(S100). A protective layer is formed on the deposited Se(S200). The thin film is heat-treated(S300). The protective layer is removed by an etching process(S400). A ternary thin film includes CIS or CIGS. The protective layer is formed by depositing SiO2 or SiNx.

Abstract translation: 目的：提供一种用于太阳能电池的光吸收层及其制造方法，以通过PECVD（等离子体增强化学气相沉积）方法将SiO 2或SiN x化合物沉积在薄膜上来提高可靠性和产率。 构成：按照组成比将预定量的Se沉积在薄膜上（S100）。 在沉积的Se上形成保护层（S200）。 对薄膜进行热处理（S300）。 通过蚀刻工艺去除保护层（S400）。 三元薄膜包括CIS或CIGS。 保护层通过沉积SiO 2或SiN x形成。

公开(公告)号：KR100994830B1

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：KR1020090015444

申请日：2009-02-24

Applicant: 전남대학교산학협력단

Inventor： 김진혁 ,  김태언 ,  문종하 ,  김선훈 ,  김회종 ,  고항주

IPC: H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 태양전지용 광흡수층 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 CIS 또는 CIGS화합물로 이루어진 박막에 SiO
2 또는 SiN
x 화합물을 PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition)를 통하여 상기 박막에 증착함으로써, 셀렌(Se)조성을 일정하게 조절하여 높은 수율을 갖는 태양전지용 광흡수층 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
태양전지, 광흡수층, CIS, CIGS, 셀레나이제이션(Selenization), Se(Selenium)