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公开(公告)号：KR100794755B1
公开(公告)日：2008-01-15
申请号：KR1020060061844
申请日：2006-07-03
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: C23C14/34
Abstract: P형 산화아연 박막의 제조방법을 제공한다. 스퍼터링(sputtering)법을 이용하여 P형 산화아연 박막을 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법은 챔버내에 기판과 Ⅲ족 원소가 도핑되어 있는 산화아연(ZnO) 타겟을 제공하는 단계, 상기 챔버내에 스퍼터 가스로서 아산화질소(N
2 O) 가스를 제공하는 단계 및 상기 아산화질소(N
2 O) 가스를 상기 타겟과 충돌시켜 상기 기판상에 상기 Ⅲ족 원소와 질소(N)가 함께 도핑된 P형의 산화아연 박막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 갈륨(Ga)과 질소(N)의 코도핑을 이용함으로써 결정성 및 전기적 특성이 우수한 P형 산화아연 박막을 제조할 수 있는 이점을 제공한다. 또한, 시간에 따른 전기적 특성이 저하되지 않는 안정적인 P형 특성을 보여주는 산화아연 박막을 제조할 수 있는 효과를 제공한다.
P형 산화아연(ZnO), 스퍼터링(Sputtering), 갈륨(Ga)-
公开(公告)号：KR1020080003509A
公开(公告)日：2008-01-08
申请号：KR1020060061844
申请日：2006-07-03
Applicant: 전남대학교산학협력단
IPC: C23C14/34
Abstract: A method for manufacturing a P-type zinc oxide thin film by co-doping III-group element and nitrogen is provided to improve crystallization and electric performance favorably and to co-dope the III-group element and the nitrogen with stable P-type characteristics. A method for manufacturing a P-type zinc oxide thin film by co-doping III-group element and a nitrogen includes a step of providing a substrate and a zinc oxide target which is coped by the III-group element to an inside of a chamber; a step of providing nitrous oxide gas to the inside of the chamber as sputtering gas; and a step of plating the P-type zinc oxide thin film doped by the III-group element and the nitrogen, on the substrate by contacting the nitrous oxide gas with the zinc oxide target. The substrate is formed by aluminum oxide or silicon. The temperature of the substrate is in a range of 400~700 degrees.
Abstract translation: 提供了通过共掺杂III族元素和氮制备P型氧化锌薄膜的方法，以有利地改善结晶和电性能，并共同掺杂具有稳定P型特征的III族元素和氮 。 通过共掺杂III族元素和氮制造P型氧化锌薄膜的方法包括将由III族元素配合的基板和氧化锌靶提供到室的内部的步骤 ; 将一氧化二氮气体作为溅射气体向室内提供的步骤; 以及通过使一氧化二氮气体与氧化锌靶接触来在基板上电镀由III族元素和氮掺杂的P型氧化锌薄膜的工序。 衬底由氧化铝或硅形成。 基板的温度在400〜700度的范围内。
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3.发明公开페니바실러스 일리노이센시스 ＫＪＡ-424를 이용한 고추역병 예방 및 치료용 조성물 无效含有PAIIBACILLUS ILLINOISENSIS KJA-424的组合物，用于抑制PHYPOPHTHORA CAPSICI
公开(公告)号：KR1020060018497A
公开(公告)日：2006-03-02
申请号：KR1020040066886
申请日：2004-08-24
Applicant: 전남대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 페니바실러스 일리노이센시스 KJA-424(
Paenibacillus illinoisensis KJA-424) KACC 91109가 생산하는 키티나아제 및 상기 미생물 또는 키티나아제를 이용한 고추 등 역병 예방 및 치료용 조성물에 관한 것이다.
페니바실러스 일리노이센시스 KJA-424 및 그 배양에 의해 얻어지는 키티나아제는 병원균인 파이토프소라 캡사이시에 대한 길항 및 저해 작용을 나타내어 고추 등 역병을 효과적으로 예방·치료할 수 있다.
페니바실러스 일리노이센시스, 키티나아제, 파이토프소라 캡사이시, 고추 역병
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