公开(公告)号：KR101851502B1

公开(公告)日：2018-04-23

申请号：KR1020170104954

申请日：2017-08-18

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 이교우 ,  강건우 ,  강민성 ,  박인호 ,  최도영

IPC: E05B65/10 ,  E05B51/00

CPC classification number: E05B65/1086 ,  E05B51/005 ,  E05B65/104

Abstract: 본발명의일 실시예에따른화재발생시 자동으로해제되는잠금장치는, 내부에슬롯이형성되어있는잠금장치본체; 상기본체의슬롯에설치되어상기슬롯의길이방향으로이동가능한잠금추; 상기잠금추의적어도일부를수용가능한홈이형성되어있으며, 상기슬롯의길이방향단부와대응하는위치에상기홈을위치시키는제1 위치와상기슬롯의길이방향단부와대응하지않는위치에상기홈을위치시키는제2 위치사이에서이동가능한동작부; 및상기본체의슬롯에설치되어상기잠금추를상기동작부의홈 측으로탄성가압하고, 설정온도에도달하면수축하여상기잠금추를상기동작부의홈에서이탈시키는형상기억스프링; 을포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020160025781A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：KR1020140113077

申请日：2014-08-28

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 최철종 ,  강민성 ,  임창현

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7848

Abstract: 본발명은반도체소자및 제조방법에관한것으로, Ge 기판및 금속전극을포함하는반도체소자에있어서, 상기금속전극과접촉되는부위의 Ge 기판에형성된 Ge-Se 혼합박막을포함하며, 상기금속전극은상기 Ge-Se 혼합박막을통하여상기 Ge 기판과접촉된다.

Abstract translation: 半导体器件及其制造方法技术领域本发明涉及半导体器件及其制造方法。 包括锗（Ge）衬底和金属电极的半导体器件包括形成在Ge衬底的一部分上的Ge（硒）复合薄膜，该部分与金属电极接触。 金属电极通过Ge-Se复合薄膜与Ge衬底接触。 半导体器件可以限制Ge半导体的费米级钉扎现象。