公开(公告)号：KR1020160025781A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：KR1020140113077

申请日：2014-08-28

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 최철종 ,  강민성 ,  임창현

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7848

Abstract: 본발명은반도체소자및 제조방법에관한것으로, Ge 기판및 금속전극을포함하는반도체소자에있어서, 상기금속전극과접촉되는부위의 Ge 기판에형성된 Ge-Se 혼합박막을포함하며, 상기금속전극은상기 Ge-Se 혼합박막을통하여상기 Ge 기판과접촉된다.

Abstract translation: 半导体器件及其制造方法技术领域本发明涉及半导体器件及其制造方法。 包括锗（Ge）衬底和金属电极的半导体器件包括形成在Ge衬底的一部分上的Ge（硒）复合薄膜，该部分与金属电极接触。 金属电极通过Ge-Se复合薄膜与Ge衬底接触。 半导体器件可以限制Ge半导体的费米级钉扎现象。