公开(公告)号：KR1020160135120A

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：KR1020160152627

申请日：2016-11-16

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 이관재 ,  김진수

IPC: H01L21/02

Abstract: 본발명은반도체성장용기판및 이의제조방법에관한것이다. 상기반도체성장용기판은표면에레이저를조사하여형성된결정구조변형영역을포함한다. 상기반도체성장용기판은반도체박막의구조, 광및 전기적특성을개선하여이를이용한반도체소자의특성을개선하며, 기판의휨 현상을개선하여대면적의반도체기판을제공할수 있다.

公开(公告)号：KR101679373B1

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：KR1020140139880

申请日：2014-10-16

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 이관재 ,  김진수

IPC: H01L21/02

Abstract: 본발명은반도체성장용기판및 이의제조방법에관한것이다. 상기반도체성장용기판은표면에레이저를조사하여형성된결정구조변형영역을포함한다. 상기반도체성장용기판은반도체박막의구조, 광및 전기적특성을개선하여이를이용한반도체소자의특성을개선하며, 기판의휨 현상을개선하여대면적의반도체기판을제공할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于半导体生长的衬底及其制造方法。 用于半导体生长的衬底包括通过向表面照射激光而形成的晶体结构变形区域。 用于半导体生长的衬底改善了半导体薄膜的结构，以及光学和电学性能，以通过使用它们来改善半导体器件的性能并改善衬底的翘曲现象，从而提供大尺寸的半导体衬底。

公开(公告)号：KR101783258B1

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：KR1020160152627

申请日：2016-11-16

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 이관재 ,  김진수

IPC: H01L21/02

Abstract: 본발명은반도체성장용기판및 이의제조방법에관한것이다. 상기반도체성장용기판은표면에레이저를조사하여형성된결정구조변형영역을포함한다. 상기반도체성장용기판은반도체박막의구조, 광및 전기적특성을개선하여이를이용한반도체소자의특성을개선하며, 기판의휨 현상을개선하여대면적의반도체기판을제공할수 있다.

公开(公告)号：KR1020160044863A

公开(公告)日：2016-04-26

申请号：KR1020140139880

申请日：2014-10-16

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 이관재 ,  김진수

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 본발명은반도체성장용기판및 이의제조방법에관한것이다. 상기반도체성장용기판은표면에레이저를조사하여형성된결정구조변형영역을포함한다. 상기반도체성장용기판은반도체박막의구조, 광및 전기적특성을개선하여이를이용한반도체소자의특성을개선하며, 기판의휨 현상을개선하여대면적의반도체기판을제공할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体生长容器板及其制造方法。 半导体生长容器板包括通过在表面上照射激光而形成的晶体结构变形区域。 该半导体生长板改善了半导体薄膜的结构，光和电特性，改善了使用该半导体薄膜的半导体器件的特性，并且改善了衬底的翘曲，从而提供了大面积的半导体衬底。

公开(公告)号：KR101622097B1

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：KR1020140169514

申请日：2014-12-01

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 이관재 ,  김진수 ,  이진홍

IPC: H01L33/04

CPC classification number: H01L33/04 ,  Y10S438/93

Abstract: 본발명에서는제1 또는제2 전도성반도체층과활성층사이에, 인듐함량이순차적으로변화되는그레이딩구조(grading structure)를가지며, 초격자구조체전체에걸쳐실리콘이도입된초격자(superlattice) 구조체를포함함으로써, 구조적, 전기적특성의개선으로구조적결함의발생이감소되고, 소자의저항이감소되어주입전류에따른전류퍼짐효과가향상되며, 또동일한주입전압에서고출력발광효과를나타낼수 있는질화물계반도체발광소자및 이의제조방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件及其制造方法。 根据本发明，氮化物系半导体发光器件包括：在有源层和第一或第二导电半导体层之间具有铟的分级结构，其量相同的铟连续变化; 以及采用硅到整体超晶格结构的超晶格结构。 因此，结构和电气特性得到改善，结构缺陷减小，器件的电阻降低，从而改善了由注入电流引起的电流扩散效应。 此外，在相同的注入电压中表示高输出发光效果。