公开(公告)号：KR101182104B1

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：KR1020100098845

申请日：2010-10-11

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 이광재 ,  김진수 ,  이진홍

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/20

Abstract: 본 발명은 기판 표면에 다수개의 돌기로 형성된 소정 패턴을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 발광소자는 기판 상에 돌기들로 형성된 도형 형상의 단위패턴을 반복하여 형성함으로서 기판으로 입사되는 광을 난반사시킴으로서 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 발광소자는 기판의 계면 특성에 따라 패턴형상을 조절하여 그 위에 적층되는 질화물 반도체와의 격자불일치를 최소화할 수 있다.

公开(公告)号：KR101622097B1

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：KR1020140169514

申请日：2014-12-01

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 이관재 ,  김진수 ,  이진홍

IPC: H01L33/04

CPC classification number: H01L33/04 ,  Y10S438/93

Abstract: 본발명에서는제1 또는제2 전도성반도체층과활성층사이에, 인듐함량이순차적으로변화되는그레이딩구조(grading structure)를가지며, 초격자구조체전체에걸쳐실리콘이도입된초격자(superlattice) 구조체를포함함으로써, 구조적, 전기적특성의개선으로구조적결함의발생이감소되고, 소자의저항이감소되어주입전류에따른전류퍼짐효과가향상되며, 또동일한주입전압에서고출력발광효과를나타낼수 있는질화물계반도체발광소자및 이의제조방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件及其制造方法。 根据本发明，氮化物系半导体发光器件包括：在有源层和第一或第二导电半导体层之间具有铟的分级结构，其量相同的铟连续变化; 以及采用硅到整体超晶格结构的超晶格结构。 因此，结构和电气特性得到改善，结构缺陷减小，器件的电阻降低，从而改善了由注入电流引起的电流扩散效应。 此外，在相同的注入电压中表示高输出发光效果。

公开(公告)号：KR1020120037215A

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：KR1020100098845

申请日：2010-10-11

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 이광재 ,  김진수 ,  이진홍

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/32

Abstract: PURPOSE: A nitride semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve light extraction efficiency by repeatedly forming a unit pattern consisting of protrusions on a substrate. CONSTITUTION: A pattern(20) consisting of a plurality of protrusions(21) is formed on the surface of a substrate. A unit pattern is formed by controlling diameter and height of the protrusion, and an interval between the protrusions. An n-type compound semiconductor layer, an active layer, and a p-type compound semiconductor layer are formed on the substrate including the plurality of protrusions. A p-type electrode is formed on the p-type compound semiconductor layer. An n-type electrode is formed on the n-type compound semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，以通过在基板上重复地形成由突起组成的单位图案来提高光提取效率。 构成：在基板的表面上形成由多个突起（21）构成的图案（20）。 通过控制突起的直径和高度以及突起之间的间隔来形成单位图案。 在包括多个突起的基板上形成n型化合物半导体层，有源层和p型化合物半导体层。 p型电极形成在p型化合物半导体层上。 n型电极形成在n型化合物半导体层上。