반도체 성장용 기판 및 이의 제조 방법
    2.
    发明公开
    반도체 성장용 기판 및 이의 제조 방법 有权
    用于半导体生长的衬底及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160135120A

    公开(公告)日:2016-11-24

    申请号:KR1020160152627

    申请日:2016-11-16

    Inventor: 이관재 김진수

    Abstract: 본발명은반도체성장용기판및 이의제조방법에관한것이다. 상기반도체성장용기판은표면에레이저를조사하여형성된결정구조변형영역을포함한다. 상기반도체성장용기판은반도체박막의구조, 광및 전기적특성을개선하여이를이용한반도체소자의특성을개선하며, 기판의휨 현상을개선하여대면적의반도체기판을제공할수 있다.

    반도체 성장용 기판 및 이의 제조 방법
    3.
    发明授权
    반도체 성장용 기판 및 이의 제조 방법 有权
    用于半导体生长的衬底及其制造方法

    公开(公告)号:KR101679373B1

    公开(公告)日:2016-11-24

    申请号:KR1020140139880

    申请日:2014-10-16

    Inventor: 이관재 김진수

    Abstract: 본발명은반도체성장용기판및 이의제조방법에관한것이다. 상기반도체성장용기판은표면에레이저를조사하여형성된결정구조변형영역을포함한다. 상기반도체성장용기판은반도체박막의구조, 광및 전기적특성을개선하여이를이용한반도체소자의특성을개선하며, 기판의휨 현상을개선하여대면적의반도체기판을제공할수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于半导体生长的衬底及其制造方法。 用于半导体生长的衬底包括通过向表面照射激光而形成的晶体结构变形区域。 用于半导体生长的衬底改善了半导体薄膜的结构,以及光学和电学性能,以通过使用它们来改善半导体器件的性能并改善衬底的翘曲现象,从而提供大尺寸的半导体衬底。

    질화물계 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
    4.
    发明公开
    질화물계 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 有权
    氮化物半导体发光器件及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020120037215A

    公开(公告)日:2012-04-19

    申请号:KR1020100098845

    申请日:2010-10-11

    CPC classification number: H01L33/22 H01L33/32

    Abstract: PURPOSE: A nitride semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve light extraction efficiency by repeatedly forming a unit pattern consisting of protrusions on a substrate. CONSTITUTION: A pattern(20) consisting of a plurality of protrusions(21) is formed on the surface of a substrate. A unit pattern is formed by controlling diameter and height of the protrusion, and an interval between the protrusions. An n-type compound semiconductor layer, an active layer, and a p-type compound semiconductor layer are formed on the substrate including the plurality of protrusions. A p-type electrode is formed on the p-type compound semiconductor layer. An n-type electrode is formed on the n-type compound semiconductor layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法,以通过在基板上重复地形成由突起组成的单位图案来提高光提取效率。 构成:在基板的表面上形成由多个突起(21)构成的图案(20)。 通过控制突起的直径和高度以及突起之间的间隔来形成单位图案。 在包括多个突起的基板上形成n型化合物半导体层,有源层和p型化合物半导体层。 p型电极形成在p型化合物半导体层上。 n型电极形成在n型化合物半导体层上。

    질화물계 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법
    5.
    发明授权
    질화물계 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법 有权
    氮化物半导体发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号:KR101622097B1

    公开(公告)日:2016-05-18

    申请号:KR1020140169514

    申请日:2014-12-01

    CPC classification number: H01L33/04 Y10S438/93

    Abstract: 본발명에서는제1 또는제2 전도성반도체층과활성층사이에, 인듐함량이순차적으로변화되는그레이딩구조(grading structure)를가지며, 초격자구조체전체에걸쳐실리콘이도입된초격자(superlattice) 구조체를포함함으로써, 구조적, 전기적특성의개선으로구조적결함의발생이감소되고, 소자의저항이감소되어주입전류에따른전류퍼짐효과가향상되며, 또동일한주입전압에서고출력발광효과를나타낼수 있는질화물계반도체발광소자및 이의제조방법이제공된다.

    Abstract translation: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件及其制造方法。 根据本发明,氮化物系半导体发光器件包括:在有源层和第一或第二导电半导体层之间具有铟的分级结构,其量相同的铟连续变化; 以及采用硅到整体超晶格结构的超晶格结构。 因此,结构和电气特性得到改善,结构缺陷减小,器件的电阻降低,从而改善了由注入电流引起的电流扩散效应。 此外,在相同的注入电压中表示高输出发光效果。

    반도체 성장용 기판 및 이의 제조 방법
    6.
    发明公开
    반도체 성장용 기판 및 이의 제조 방법 有权
    用于半导体生长的衬底及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160044863A

    公开(公告)日:2016-04-26

    申请号:KR1020140139880

    申请日:2014-10-16

    Inventor: 이관재 김진수

    CPC classification number: H01L21/02675 H01L21/0254 H01L21/0262

    Abstract: 본발명은반도체성장용기판및 이의제조방법에관한것이다. 상기반도체성장용기판은표면에레이저를조사하여형성된결정구조변형영역을포함한다. 상기반도체성장용기판은반도체박막의구조, 광및 전기적특성을개선하여이를이용한반도체소자의특성을개선하며, 기판의휨 현상을개선하여대면적의반도체기판을제공할수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种半导体生长容器板及其制造方法。 半导体生长容器板包括通过在表面上照射激光而形成的晶体结构变形区域。 该半导体生长板改善了半导体薄膜的结构,光和电特性,改善了使用该半导体薄膜的半导体器件的特性,并且改善了衬底的翘曲,从而提供了大面积的半导体衬底。

    반도체 성장용 기판 및 이의 제조 방법

    公开(公告)号:KR101783258B1

    公开(公告)日:2017-09-29

    申请号:KR1020160152627

    申请日:2016-11-16

    Inventor: 이관재 김진수

    Abstract: 본발명은반도체성장용기판및 이의제조방법에관한것이다. 상기반도체성장용기판은표면에레이저를조사하여형성된결정구조변형영역을포함한다. 상기반도체성장용기판은반도체박막의구조, 광및 전기적특성을개선하여이를이용한반도체소자의특성을개선하며, 기판의휨 현상을개선하여대면적의반도체기판을제공할수 있다.

    질화물계 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
    9.
    发明授权
    질화물계 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 有权
    氮化物半导体发光器件及其制备方法

    公开(公告)号:KR101182104B1

    公开(公告)日:2012-09-12

    申请号:KR1020100098845

    申请日:2010-10-11

    Abstract: 본 발명은 기판 표면에 다수개의 돌기로 형성된 소정 패턴을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 발광소자는 기판 상에 돌기들로 형성된 도형 형상의 단위패턴을 반복하여 형성함으로서 기판으로 입사되는 광을 난반사시킴으로서 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 발광소자는 기판의 계면 특성에 따라 패턴형상을 조절하여 그 위에 적층되는 질화물 반도체와의 격자불일치를 최소화할 수 있다.

    의자
    10.
    发明授权
    의자 失效
    椅子

    公开(公告)号:KR100767449B1

    公开(公告)日:2007-10-17

    申请号:KR1020060129665

    申请日:2006-12-18

    Abstract: A chair is provided to help bathing of the handicapped or old persons, to circulate the blood and eliminate body wastes at low cost, and to utilize effectively a living space. A chair is composed of: a first frame unit(1) supporting the upper body of a user; a second frame unit(2) propping up the femoral region of the user; a third frame unit(3) propping up the lower legs of the user; and a support frame unit(4) supporting the second frame unit from the floor in a separated state. The support frame unit comprises a closing unit(5) rotatably installed between the position of closing up a space where the user sits, together with the first, second, and third frame units and the position of opening the space and a steam feeder(6) for supplying the steam into the space.

    Abstract translation: 提供椅子,帮助残疾人或老人洗澡,散发血液,低成本地排除身体废物,有效利用生活空间。 椅子由以下部件组成:第一框架单元(1),支撑使用者的上身; 第二框架单元(2)支撑所述使用者的股骨区域; 支撑使用者的小腿的第三框架单元(3); 以及支撑框架单元(4),其以分离的状态从所述地板支撑所述第二框架单元。 支撑框架单元包括可旋转地安装在用户所在的空间的位置与第一,第二和第三框架单元以及打开空间的位置之间的关闭单元(5)和蒸汽进料器(6) )用于将蒸汽供应到空间中。

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