公开(公告)号：KR101310145B1

公开(公告)日：2013-09-23

申请号：KR1020120021487

申请日：2012-02-29

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 이상권 ,  김길성 ,  이승용 ,  형정환 ,  이미리

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/12

Abstract: 본 발명은 반도체 나노선의 제조방법 및 이로써 제조된 반도체 나노선을 구비한 열전소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 기판 상에 고분자 나노 비드를 배열하고, 이 비드 사이에 금속 마스크를 형성하되, 타겟인 금속 입자가 기판에 90도 미만의 일정한 각도로 비스듬하게 입사하도록 하여 증착시킨 후, 고분자 나노 비드 제거 후 금속 마스크를 이용한 식각 공정을 통해 반도체 나노선을 제조하고, 이로써 제조된 반도체 나노선을 구비한 열전소자에 관한 것이다.
상기 반도체 나노선은 높은 거칠기도와 불규칙성을 갖는 반도체 나노선은 다양한 분야에 적용할 수 있으며, 특히 반도체 나노선의 불규칙성이 요구되는 전기소자, 센서, 열전소자에 적용할 경우 그 효율을 적극적으로 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130099752A

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：KR1020120021487

申请日：2012-02-29

Applicant: 전북대학교산학협력단

Inventor： 이상권 ,  김길성 ,  이승용 ,  형정환 ,  이미리

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/12

CPC classification number: H01L35/34 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L35/32

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor nanowire and a thermoelectric wire including the semiconductor nanowire manufactured by the same are provided to easily control the irregularity of the semiconductor nanowire and to control the diameter of the semiconductor nanowire with a top-down method. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is provided (S1). A polymer nanobead is arranged on the semiconductor substrate (S2). The size of the polymer nanobead is reduced (S3). A metal mask is formed on the front side of the semiconductor substrate by depositing metal (S4). The polymer nanobead is removed (S5). The semiconductor substrate is etched by using the metal mask (S6). A nanowire is formed on the semiconductor substrate by removing the metal mask (S7). [Reference numerals] (AA) Semiconductor substrate with a semiconductor nanowire manufacturing; (S1) Semiconductor substrate is provided; (S2) Polymer nanobead is arranged on the semiconductor substrate; (S3) Size of the polymer nanobead is reduced; (S4) Metal mask is formed on the front side of the semiconductor substrate by depositing metal; (S5) Polymer nanobead is removed; (S6) Semiconductor substrate is etched by using the metal mask; (S7) Metal mask is removed

Abstract translation: 目的：提供一种半导体纳米线的制造方法和由该半导体纳米线制造的热电电线，以便容易地控制半导体纳米线的不规则性，并且以自顶向下的方法控制半导体纳米线的直径。 构成：提供半导体衬底（S1）。 聚合物纳米棒布置在半导体衬底（S2）上。 聚合物纳米棒的尺寸减小（S3）。 金属掩模通过沉积金属形成在半导体衬底的前侧上（S4）。 去除聚合物纳米珠（S5）。 通过使用金属掩模蚀刻半导体衬底（S6）。 通过去除金属掩模，在半导体衬底上形成纳米线（S7）。 （附图标记）（AA）具有半导体纳米线制造的半导体衬底; （S1）提供半导体基板; （S2）聚合物纳米棒布置在半导体衬底上; （S3）聚合物纳米棒的尺寸减小; （S4）通过沉积金属在半导体衬底的前侧形成金属掩模; （S5）除去聚合物纳米珠; （S6）使用金属掩模蚀刻半导体基板; （S7）金属掩模被去除