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公开(公告)号：WO2014065560A1
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：PCT/KR2013/009411
申请日：2013-10-22
Applicant: 전북대학교산학협력단
CPC classification number: C09K19/3833 , C09K19/3475 , C09K19/3852 , C09K2019/0448 , C09K2019/122
Abstract: 본 발명은 분자들간의 물리적 결합이 다중으로 형성되어 화합물의 가공성이 증대된 덴드론 형태의 액정화합물 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 덴드론 구조의 액정화합물은 우수한 가공성으로 인해 코팅 및 프린팅이 가능하여 대면적으로 플랙서블 소자의 제작이 가능하다. 본 발명의 액정화합물은 액정간의 물리적 결합력을 극대화 하고, 이를 제어 하여 고차원 구조를 형성할 수 있다. 본 발명의 덴드론 형태의 액정화합물은 기존 액정에 비해서 일반 용매에 용 해도가 우수하며, 액정 온도 범위가 더 넓게 형성된다. 본 발명의 덴드론 행태의 액정화합물은 액정층에 첨가제로 사용 시 액정분자 들의 배열성을 향상 시킬 수 있으며, 또한, 첨가한 덴드론 형태의 액정이 액정층 하부 표면으로 이동하여 배향성을 향상시킬 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过在分子之间形成树枝状形状的多重物理键而具有改进的化合物加工性的液晶化合物及其制备方法。 根据本发明的具有树突状结构的液晶化合物由于其优异的可加工性而允许涂布和印刷，从而能够生产大面积的柔性元件。 根据本发明的液晶化合物可以通过最大化液晶之间的物理结合强度并进行控制来形成高维结构。 根据本发明的树突状形状的液晶化合物与常规液晶相比在一般溶剂中的溶解性优异并且具有更宽的液晶温度范围。 根据本发明的树突状形状的液晶化合物可以改善当用作液晶层的添加剂时液晶分子的布置，并且还可以改善取向性质，因为添加了树状形状的液晶 移动到液晶层的底面。
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公开(公告)号：KR101449139B1
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：KR1020120117031
申请日：2012-10-22
Applicant: 전북대학교산학협력단 , 동우 화인켐 주식회사
CPC classification number: C09K19/3833 , C09K19/3475 , C09K19/3852 , C09K2019/0448 , C09K2019/122
Abstract: 본 발명은 분자들간의 물리적 결합이 다중으로 형성되어 화합물의 가공성이 증대된 덴드론 형태의 액정화합물 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 덴드론 구조의 액정화합물은 우수한 가공성으로 인해 코팅 및 프린팅이 가능하여 대면적으로 플랙서블 소자의 제작이 가능하다.
본 발명의 액정화합물은 액정간의 물리적 결합력을 극대화 하고, 이를 제어하여 고차원 구조를 형성할 수 있다.
본 발명의 덴드론 형태의 액정화합물은 기존 액정에 비해서 일반 용매에 용해도가 우수하며, 액정 온도 범위가 더 넓게 형성된다.
본 발명의 덴드론 행태의 액정화합물은 액정층에 첨가제로 사용 시 액정분자들의 배열성을 향상 시킬 수 있으며, 또한, 첨가한 덴드론 형태의 액정이 액정층 하부 표면으로 이동하여 배향성을 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020140102953A
公开(公告)日：2014-08-25
申请号：KR1020130016507
申请日：2013-02-15
Applicant: 전북대학교산학협력단 , 동우 화인켐 주식회사
Abstract: The present invention relates to a silsesquioxane derivative, a manufacturing method thereof and a liquid crystal display comprising the same. The silsesquioxane derivative is represented by chemical formula 1, P-(R^1-M)n^1. In chemical formula 1, P is silsesquioxane, R1 is one selected from a group consisting of C1-C30 alkylenes, and C1-C30 alkylenes including an amide bond and C1-C30 alkylenes including an ester bond, M is a mesogen group, and n1 is an integer of 1 to 15. The silsesquioxane derivative has excellent dispersibility when mixed with liquid crystal, can be adsorbed to a substrate, does not coagulate when adsorbed to a substrate, induces the vertical alignment of liquid crystal via only coating without specific treatment. The silsesquioxane derivative can be coated in the shape of a monolayer to substitute for a vertical alignment membrane and reduce light leakage.
Abstract translation: 本发明涉及倍半硅氧烷衍生物及其制造方法以及包含该倍半硅氧烷衍生物的液晶显示器。 倍半硅氧烷衍生物由化学式1，P-（R 1 -M）n ^ 1表示。 在化学式1中，P是倍半硅氧烷，R1选自C1-C30亚烷基和包括酰胺键的C1-C30亚烷基和包括酯键的C1-C30亚烷基，M是介晶基团，n1 是1〜15的整数。当与液晶混合时，倍半硅氧烷衍生物具有优异的分散性，可以吸附到基材上，当吸附到基材上时不会凝结，通过仅经过涂层的液晶的垂直取向而没有特别的处理。 倍半硅氧烷衍生物可以以单层形式涂覆以代替垂直取向膜并减少漏光。
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公开(公告)号：KR101310145B1
公开(公告)日：2013-09-23
申请号：KR1020120021487
申请日：2012-02-29
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 반도체 나노선의 제조방법 및 이로써 제조된 반도체 나노선을 구비한 열전소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 기판 상에 고분자 나노 비드를 배열하고, 이 비드 사이에 금속 마스크를 형성하되, 타겟인 금속 입자가 기판에 90도 미만의 일정한 각도로 비스듬하게 입사하도록 하여 증착시킨 후, 고분자 나노 비드 제거 후 금속 마스크를 이용한 식각 공정을 통해 반도체 나노선을 제조하고, 이로써 제조된 반도체 나노선을 구비한 열전소자에 관한 것이다.
상기 반도체 나노선은 높은 거칠기도와 불규칙성을 갖는 반도체 나노선은 다양한 분야에 적용할 수 있으며, 특히 반도체 나노선의 불규칙성이 요구되는 전기소자, 센서, 열전소자에 적용할 경우 그 효율을 적극적으로 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020130099752A
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：KR1020120021487
申请日：2012-02-29
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor nanowire and a thermoelectric wire including the semiconductor nanowire manufactured by the same are provided to easily control the irregularity of the semiconductor nanowire and to control the diameter of the semiconductor nanowire with a top-down method. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is provided (S1). A polymer nanobead is arranged on the semiconductor substrate (S2). The size of the polymer nanobead is reduced (S3). A metal mask is formed on the front side of the semiconductor substrate by depositing metal (S4). The polymer nanobead is removed (S5). The semiconductor substrate is etched by using the metal mask (S6). A nanowire is formed on the semiconductor substrate by removing the metal mask (S7). [Reference numerals] (AA) Semiconductor substrate with a semiconductor nanowire manufacturing; (S1) Semiconductor substrate is provided; (S2) Polymer nanobead is arranged on the semiconductor substrate; (S3) Size of the polymer nanobead is reduced; (S4) Metal mask is formed on the front side of the semiconductor substrate by depositing metal; (S5) Polymer nanobead is removed; (S6) Semiconductor substrate is etched by using the metal mask; (S7) Metal mask is removed
Abstract translation: 目的：提供一种半导体纳米线的制造方法和由该半导体纳米线制造的热电电线，以便容易地控制半导体纳米线的不规则性，并且以自顶向下的方法控制半导体纳米线的直径。 构成：提供半导体衬底（S1）。 聚合物纳米棒布置在半导体衬底（S2）上。 聚合物纳米棒的尺寸减小（S3）。 金属掩模通过沉积金属形成在半导体衬底的前侧上（S4）。 去除聚合物纳米珠（S5）。 通过使用金属掩模蚀刻半导体衬底（S6）。 通过去除金属掩模，在半导体衬底上形成纳米线（S7）。 （附图标记）（AA）具有半导体纳米线制造的半导体衬底; （S1）提供半导体基板; （S2）聚合物纳米棒布置在半导体衬底上; （S3）聚合物纳米棒的尺寸减小; （S4）通过沉积金属在半导体衬底的前侧形成金属掩模; （S5）除去聚合物纳米珠; （S6）使用金属掩模蚀刻半导体基板; （S7）金属掩模被去除
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101127541B1
公开(公告)日：2012-03-23
申请号：KR1020100082173
申请日：2010-08-24
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: 본 발명에 따르는 본 발명에 따르는 실리콘 나노 와이어를 이용한 열전소자 어레이 모듈 제조 방법은, (a) 제1절연기판, 상기 제1절연기판위에 형성된 다수개의 제1금속층, 상기 다수개의 제1금속층 위에 각각 형성된 다수개의 p 타입 나노 와이어 모듈을 포함하는 p 타입 나노 와이어층을 제조하는 단계; (b) 제2절연기판, 상기 제2절연기판 위에 형성된 다수개의 제2금속층, 상기 다수개의 제2금속층 위에 각각 형성된 다수개의 n 타입 나노 와이어 모듈을 포함하는 n 타입 나노 와이어 층을 제조하는 단계; (c) 상기 p 타입 나노 와이어층과 상기 n 타입 나노 와이어층을 서로 대향시켜 상기 다수개의 p 타입 나노 와이어 모듈과 상기 다수개의 n 타입 나노 와이어 모듈이 서로 맞물리게 결합하여 본딩하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020110109591A
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：KR1020100029381
申请日：2010-03-31
Applicant: 전북대학교산학협력단 , 고려대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 실리콘 나노선을 이용한 세포 분리칩에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 기판; 상기 기판 상에 성장된 실리콘 나노선(silicon nanowire); 상기 실리콘 나노선 표면에 고정화된 스트렙타비딘(streptavidin)을 포함하는 세포 분리칩에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 세포독성이 적으며, 생체적합성(biocompatability)이 뛰어난 실리콘 나노선(silicon nanowire)을 이용하여 특정 세포의 선택적 분리가 가능한 세포 분리칩을 제조할 수 있으며, 상기 세포 분리칩은 자성을 이용하지 않으며, 별도의 키트와 장치가 필요하지 않으며, 적은 수의 세포도 분리 가능할 뿐만 아니라, 고수율의 세포 분리능을 얻을 수 있다. 본 발명의 실시예에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 세포 분리칩을 이용하여 마우스의 비장세포로부터 면역세포(CD4+ T cell)를 성공적으로 분리하였다. 이와 같이 세포 분리방법에 있어서 그 방법이 간단하며 재사용할 수 있으므로 기존의 세포 분리 방법을 대체할 수 있는 기술이 될 것이다.-
公开(公告)号：KR1020090095305A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：KR1020080020574
申请日：2008-03-05
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: H01L29/72 , H01L21/265 , B82B3/00 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/66318 , H01L29/0673
Abstract: A method of fabricating a bipolar-junction transistor using a nano-wire form a high-integrated bipolar junction transistor by injecting impurities, which have different polarities, to the selective locations through ion-injection. At least one nano-wire(120) having first, second and third regions is prepared on a substrate(110). A base region(135) is formed by injecting an ion to a first region of the nano-wire and doping first conductive impurities. A collector region(150) is formed by injecting an ion to a second region of the nano-wire and doping second conductive impurities. An emitter region(165) is formed by injecting an ion to a third region of the nano-wire and dopping third conductive impurities.
Abstract translation: 使用纳米线制造双极结型晶体管的方法通过离子注入向选择性位置注入具有不同极性的杂质构成高集成双极结型晶体管。 在衬底（110）上制备具有第一，第二和第三区域的至少一个纳米线（120）。 通过将离子注入纳米线的第一区域并掺杂第一导电杂质形成基极区（135）。 通过将离子注入到纳米线的第二区域并掺杂第二导电杂质形成集电极区域（150）。 通过将离子注入纳米线的第三区域并掺杂第三导电杂质形成发射极区域（165）。
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公开(公告)号：KR1020110069973A
公开(公告)日：2011-06-24
申请号：KR1020090126583
申请日：2009-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원 , 전북대학교산학협력단
IPC: G06K19/07 , G06K19/077
CPC classification number: G06K19/0723
Abstract: PURPOSE: An underground method of an underground RFID tag is provided to maximize recognition distance by controlling a shape of an ground plate and installing the tag to be straight with an underground surface or to a little bit protrude than an earth's surface. CONSTITUTION: A ground plate(400) is bigger than the diameter of an RFID(Radio Frequency ID) tag(200) or a tag antenna, and equips the RFID tag to the top. The ground plate makes a little bit protrude the RFID tag than an earth's surface or makes straight the lower surface of the RFID tag with the earth's surface. The ground plate is composed of metal materials and has a cylinder or square pillar shape. The inside of the ground plate is empty or is filled to insulating materials.
Abstract translation: 目的：提供一种地下RFID标签的地下方法，以通过控制接地板的形状并将标签安装在地下表面或与地球表面稍微突出的位置来最大限度地发现识别距离。 规定：接地板（400）比RFID（射频识别标签）（200）或标签天线的直径大，并将RFID标签装在顶部。 接地板比地球表面稍微突出RFID标签，或者使地球表面的RFID标签的下表面直线。 接地板由金属材料组成，具有圆柱或方柱形状。 接地板的内部是空的或填充到绝缘材料。
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公开(公告)号：KR100810146B1
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：KR1020060094987
申请日：2006-09-28
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: A light emitting diode including nitride-based semiconductor nano wires and a method for fabricating the same are provided to realize high light emitting efficiency and high carrier implant efficiency by using a homogeneous structured nitride-based semiconductor layer/nitride-based semiconductor nano wire structure. A first conductive-type nitride-based semiconductor layer(120) is formed on a substrate(110). A first electrode(130) is formed on the nitride based semiconductor layer. A dielectric(125) is disposed on the nitride based semiconductor layer to form a second electrode(140). The second electrode is separated from the first electrode. Second conductive-type nitride-based semiconductor nano wires(150) are arranged to connect the nitride conductive-type semiconductor layer to the second electrode. The second conductive-type nitride-based semiconductor nano wires are opposite to the first conductive-type nitride-based semiconductor layer. The homojunction of the nitride based semiconductor layer and nitride-based semiconductor nano wires is formed.
Abstract translation: 提供了一种包括氮化物基半导体纳米线的发光二极管及其制造方法，其通过使用均匀结构的氮化物基半导体层/氮化物系半导体纳米线结构来实现高发光效率和高载流子注入效率。 第一导电型氮化物基半导体层（120）形成在衬底（110）上。 第一电极（130）形成在氮化物基半导体层上。 电介质（125）设置在氮化物基半导体层上以形成第二电极（140）。 第二电极与第一电极分离。 第二导电型氮化物基半导体纳米线（150）被布置成将氮化物导电型半导体层与第二电极连接。 第二导电型氮化物系半导体纳米线与第一导电型氮化物系半导体层相反。 形成氮化物系半导体层和氮化物系半导体纳米线的同相。
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