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公开(公告)号：KR100960691B1
公开(公告)日：2010-05-31
申请号：KR1020080020574
申请日：2008-03-05
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: H01L29/72 , H01L21/265 , B82B3/00 , B82Y10/00
Abstract: 고집적 반도체 소자에 적합한, 나노와이어를 이용한 바이폴라-접합 트랜지스터의 제조 방법이 제공된다. 기판 상에, 제 1 영역, 제 2 영역 및 제 3 영역을 갖는 적어도 하나의 나노와이어를 제공한다. 상기 적어도 하나의 나노와이어의 상기 제 1 영역에 이온 주입을 이용하여 제 1 도전형의 제 1 불순물들을 도핑하여 베이스 영역을 형성한다. 상기 적어도 하나의 나노와이어의 상기 제 2 영역에 이온 주입을 이용하여 상기 제 1 도전형의 반대인 제 2 도전형의 제 2 불순물들을 도핑하여 콜렉터 영역을 형성한다. 그리고, 상기 적어도 하나의 나노와이어의 상기 제 3 영역에 이온 주입을 이용하여 상기 제 2 도전형의 제 3 불순물들을 도핑하여 에미터 영역을 형성한다.
나노와이어, 바이폴라-접합 트랜지스터, 이온 주입-
公开(公告)号：KR101310145B1
公开(公告)日：2013-09-23
申请号：KR1020120021487
申请日：2012-02-29
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 반도체 나노선의 제조방법 및 이로써 제조된 반도체 나노선을 구비한 열전소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 기판 상에 고분자 나노 비드를 배열하고, 이 비드 사이에 금속 마스크를 형성하되, 타겟인 금속 입자가 기판에 90도 미만의 일정한 각도로 비스듬하게 입사하도록 하여 증착시킨 후, 고분자 나노 비드 제거 후 금속 마스크를 이용한 식각 공정을 통해 반도체 나노선을 제조하고, 이로써 제조된 반도체 나노선을 구비한 열전소자에 관한 것이다.
상기 반도체 나노선은 높은 거칠기도와 불규칙성을 갖는 반도체 나노선은 다양한 분야에 적용할 수 있으며, 특히 반도체 나노선의 불규칙성이 요구되는 전기소자, 센서, 열전소자에 적용할 경우 그 효율을 적극적으로 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020130099752A
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：KR1020120021487
申请日：2012-02-29
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor nanowire and a thermoelectric wire including the semiconductor nanowire manufactured by the same are provided to easily control the irregularity of the semiconductor nanowire and to control the diameter of the semiconductor nanowire with a top-down method. CONSTITUTION: A semiconductor substrate is provided (S1). A polymer nanobead is arranged on the semiconductor substrate (S2). The size of the polymer nanobead is reduced (S3). A metal mask is formed on the front side of the semiconductor substrate by depositing metal (S4). The polymer nanobead is removed (S5). The semiconductor substrate is etched by using the metal mask (S6). A nanowire is formed on the semiconductor substrate by removing the metal mask (S7). [Reference numerals] (AA) Semiconductor substrate with a semiconductor nanowire manufacturing; (S1) Semiconductor substrate is provided; (S2) Polymer nanobead is arranged on the semiconductor substrate; (S3) Size of the polymer nanobead is reduced; (S4) Metal mask is formed on the front side of the semiconductor substrate by depositing metal; (S5) Polymer nanobead is removed; (S6) Semiconductor substrate is etched by using the metal mask; (S7) Metal mask is removed
Abstract translation: 目的：提供一种半导体纳米线的制造方法和由该半导体纳米线制造的热电电线，以便容易地控制半导体纳米线的不规则性，并且以自顶向下的方法控制半导体纳米线的直径。 构成：提供半导体衬底（S1）。 聚合物纳米棒布置在半导体衬底（S2）上。 聚合物纳米棒的尺寸减小（S3）。 金属掩模通过沉积金属形成在半导体衬底的前侧上（S4）。 去除聚合物纳米珠（S5）。 通过使用金属掩模蚀刻半导体衬底（S6）。 通过去除金属掩模，在半导体衬底上形成纳米线（S7）。 （附图标记）（AA）具有半导体纳米线制造的半导体衬底; （S1）提供半导体基板; （S2）聚合物纳米棒布置在半导体衬底上; （S3）聚合物纳米棒的尺寸减小; （S4）通过沉积金属在半导体衬底的前侧形成金属掩模; （S5）除去聚合物纳米珠; （S6）使用金属掩模蚀刻半导体基板; （S7）金属掩模被去除
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公开(公告)号：KR1020090095305A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：KR1020080020574
申请日：2008-03-05
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: H01L29/72 , H01L21/265 , B82B3/00 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/66318 , H01L29/0673
Abstract: A method of fabricating a bipolar-junction transistor using a nano-wire form a high-integrated bipolar junction transistor by injecting impurities, which have different polarities, to the selective locations through ion-injection. At least one nano-wire(120) having first, second and third regions is prepared on a substrate(110). A base region(135) is formed by injecting an ion to a first region of the nano-wire and doping first conductive impurities. A collector region(150) is formed by injecting an ion to a second region of the nano-wire and doping second conductive impurities. An emitter region(165) is formed by injecting an ion to a third region of the nano-wire and dopping third conductive impurities.
Abstract translation: 使用纳米线制造双极结型晶体管的方法通过离子注入向选择性位置注入具有不同极性的杂质构成高集成双极结型晶体管。 在衬底（110）上制备具有第一，第二和第三区域的至少一个纳米线（120）。 通过将离子注入纳米线的第一区域并掺杂第一导电杂质形成基极区（135）。 通过将离子注入到纳米线的第二区域并掺杂第二导电杂质形成集电极区域（150）。 通过将离子注入纳米线的第三区域并掺杂第三导电杂质形成发射极区域（165）。
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