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公开(公告)号：KR101030493B1
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：KR1020080129542
申请日：2008-12-18
Abstract: 본 발명은 공진 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 반도체 기판 상부에 형성된 식각 정지층을 이용하여 열적 저항이 많이 걸리는 반도체 기판의 일부분을 제거하고 제거된 부분에 두꺼운 금속층을 형성하거나 반도체 기판의 전부를 제거함으로써, 발광 다이오드에서 생기는 열이 효과적으로 방출되도록 함은 물론, 공진 발광 다이오드의 아래 부분에 DBR층을 형성하여 공진효과를 일으킴으로써, 활성층에서 만들어진 광자들을 효율적으로 방출 및 증폭시키는 고효율 열방출 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 고효율 열방출 공진 발광 다이오드 패키지는 식각 정지층, DBR층, P형 반도체층, 활성층, N형 반도체층을 포함하는 발광 다이오드; 상기 발광 다이오드 하부에 형성되고, 일부가 식각된 기판; 상기 기판의 식각된 부분에 형성되고, 상기 발광 다이오드에서 생성되는 열을 방출하기 위한 열 방출 금속부; 상기 열 방출 금속부를 포함하는 상기 기판 하부에 형성된 제1 전극층과 상기 발광 다이오드 상부에 형성된 제2 전극층; 및 상기 제1 전극층 하부에 형성되고, 상부에 금속 접촉층이 형성된 서브마운트를 포함함에 기술적 특징이 있다.
발광 다이오드, 공진 발광 다이오드, DBR층, 식각 정지층-
公开(公告)号：KR101001185B1
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：KR1020080094241
申请日：2008-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 수발광 일체형 소자에 관한 것으로, 보다 자세하게는 수광소자와 발광소자를 모노리틱(Monolithic)하게 형성하여 콤팩트한 모듈이 가능하며, 금속 그리드(Metal grid)의 형성으로 수광소자의 효율이 우수하고 발광소자에서 나온 광이 수광소자에 직접 입사되는 것을 방지하는 광분리층(Optical isolation layer)을 형성하여 수광소자와 발광소자 간의 크로스토크(Crosstalk)를 줄일 수 있는 수발광 일체형 소자에 관한 것이다.
본 발명의 수발광 일체형 소자는 기판, 상기 기판 하부에 형성되는 제1전극층, 상기 기판 상부에 형성되는 제1N형반도체층, 상기 제1N형반도체층 상부에 형성되는 제1P형반도체층, 상기 제1P형반도체층 상부에 형성되며 발광영역을 정의해주는 제2전극층, 상기 발광영역과 제2전극층이 존재하지 않는 영역에 존재하며 제1P형반도체층 상부에 형성되고 요부와 철부를 갖는 제2N형반도체층, 상기 제2N형반도체층의 철부에 형성되는 제2P형반도체층, 상기 제2N형반도체층의 요부에 형성되는 제3전극층 및 상기 제2P형반도체층 상부에 존재하며 제3전극층과 이격되어 존재하여 수광영역을 정의해주는 제4전극층을 포함함에 기술적 특징이 있다.
수발광, 일체, 모노리틱(monolithic), 크로스토그(crosstalk), 금속 그리드-
公开(公告)号：KR1020100034987A
公开(公告)日：2010-04-02
申请号：KR1020080094251
申请日：2008-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A receiving light emitter monolithic device forms to be monolithic the light receiving element and emitting device. The simplification and compaction of system are realized. CONSTITUTION: A first distributed brag reflection layer and semiconductor layer are respectively formed in the lower part and top of substrate. A first electrode layer(230) is formed in the main part of the semiconductor layer. The light emission region defined in the summit of the semiconductor layer with the first reflection electrode layer(240). The second distributed brag reflection layer is formed in the summit of the semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：接收光发射体单片装置形成为光接收元件和发射装置的单片。 实现了系统的简化和压缩。 构成：在基板的下部和顶部分别形成第一分布式布拉格反射层和半导体层。 第一电极层（230）形成在半导体层的主要部分中。 限定在半导体层的顶点与第一反射电极层（240）的发光区域。 第二分布式布拉格反射层形成在半导体层的顶点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101001193B1
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：KR1020080094251
申请日：2008-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 수발광 일체형 소자에 관한 것으로, 보다 자세하게는 수광소자와 발광소자를 모노리틱(monolithic)하게 형성하여 콤팩트한 모듈이 가능하며, 특정 파장에 대한 선택도(selectivity)를 높일 수 있는 결합공동(coupled cavity) 구조의 수발광 일체형 소자, 이를 이용한 2D 어레이(array) 모듈 및 패키지에 관한 것이다.
본 발명의 수발광 일체형 소자는 기판, 상기 기판 하부에 형성되는 제1DBR층, 상기 기판 상부에 형성되며 발광소자의 전극이 형성될 요부와 그 밖의 철부를 가지는 제1반도체층, 상기 제1반도체층의 요부에 형성되는 제1전극층, 상기 제1반도체층의 철부 중 제1전극층 사이의 영역에 형성되어 발광영역을 정의하는 제1반사전극층, 상기 제1반도체층의 철부 중 제1전극층과 제1반사전극층이 존재하지 않는 영역에 형성되는 제2DBR층, 상기 제2DBR층 상부에 형성되며 요부와 철부를 갖는 제2반도체층, 상기 제2반도체층의 요부에 형성되는 제2전극층 및 상기 제2반도체층의 철부에 형성되어 수광영역을 정의하는 제2반사전극층을 포함함에 기술적 특징이 있다.
수발광, 일체, 결합공동(coupled cavity), DBR(Distributed Bragg Reflector), 반사전극층, 플립칩-
公开(公告)号：KR1020100071542A
公开(公告)日：2010-06-29
申请号：KR1020080130305
申请日：2008-12-19
IPC: H01L33/60
Abstract: PURPOSE: An LED package including a lens and a mirror is provided to improve linearity of light and extraction efficiency of light by comprising the lens and the mirror on the upper side and the lateral side of the LED. CONSTITUTION: An LED with an active mesa layer and an electrode is located on a substrate. The lens is attached to the upper side of the LED. The mirror is formed on the lateral side of the LED. The mirror reflects the light emitted from the lateral side of the active mesa layer to the lens direction. The lens is a fresnel lens or aspheric lens.
Abstract translation: 目的：提供包括透镜和反射镜的LED封装，以通过在LED的上侧和外侧上包括透镜和反射镜来提高光的线性和光的提取效率。 构成：具有活性台面层和电极的LED位于基板上。 镜头连接到LED的上侧。 镜子形成在LED的侧面。 反射镜将从活性台面层的侧面发射到透镜方向的光反射。 透镜是菲涅尔透镜或非球面透镜。
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公开(公告)号：KR1020100034980A
公开(公告)日：2010-04-02
申请号：KR1020080094241
申请日：2008-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A receiving light emitter monolithic device forms to be monolithic the light receiving element and emitting device. The module which is compact is constituted. CONSTITUTION: A first electrode layer(202) and the first N type semiconductor layer are respectively formed in the lower part and top of the substrate(200). The first p-type semiconductor layer is formed on the top of the first N type semiconductor layer. The light emission region defined on the top of the first p-type semiconductor layer with the second electrode layer(208). The second N type semiconductor layer is formed on the top of the first p-type semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：接收光发射体单片装置形成为光接收元件和发射装置的单片。 构成紧凑的模块。 构成：在基板（200）的下部和顶部分别形成第一电极层（202）和第一N型半导体层。 第一p型半导体层形成在第一N型半导体层的顶部。 限定在具有第二电极层（208）的第一p型半导体层的顶部上的发光区域。 第二N型半导体层形成在第一p型半导体层的顶部。
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公开(公告)号：KR101039100B1
公开(公告)日：2011-06-07
申请号：KR1020080130305
申请日：2008-12-19
IPC: H01L33/60
Abstract: 본 발명은 렌즈 및 미러를 구비한 LED 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 LED 상부와 측면에 각각 렌즈 및 미러를 구성하여 LED의 광 추출효율 및 광의 직진성 또는 집광성을 향상시키는 렌즈 및 미러를 구비한 LED 패키지에 관한 것이다.
본 발명에 따르는 렌즈 및 미러를 구비한 LED 패키지는, 기판상에 액티브 메사층과 전극을 구비한 LED; 상기 LED 상부에 접착된 렌즈; 상기 LED 측면에 구성되는 미러를 포함하고, 상기 미러는 상기 액티브 메사층의 측면에서 방출된 광을 상기 렌즈 방향으로 반사하는 것을 구성적 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 따르는 렌즈 및 미러를 구비한 LED 패키지는, 기판상에 액티브 메사층과 전극을 구비한 LED; 상기 LED의 액티브 메사층 상부 및 측면을 모두 감싸도록 접착된 렌즈; 상기 렌즈의 측면에 구성되는 미러를 포함하고, 상기 미러는 상기 액티브 메사층의 측면에서 방출되어 상기 렌즈의 측면에 입사된 광을 상기 렌즈 방향으로 반사하는 것을 구성적 특징으로 한다.
렌즈, PVD, CVD, 미러, 액티브 메사-
公开(公告)号：KR1020100070820A
公开(公告)日：2010-06-28
申请号：KR1020080129542
申请日：2008-12-18
Abstract: PURPOSE: A high efficiency heat emission resonance light-emitting diode package and a manufacturing method thereof are provided to efficiently discharge and amplify photons generated in an active layer by forming a DBR(Distributed Bragg Reflector) layer under a light emitting diode, thereby generating resonance effect. CONSTITUTION: A light emitting diode(200) comprises a DBR layer(230), a P-type semiconductor layer(240), an active layer(250), and a N type semiconductor layer(260). A substrate(210) is formed under the light emitting diode. A heat emission metal part(270) emits heat generated in the light emitting diode. A first electrode layer is formed in the lower part of the substrate including the heat emission metal part. A second electrode layer(290) is formed in the upper part the light emitting diode. A submount(310) is formed in the lower part of the first electrode layer.
Abstract translation: 目的：提供一种高效率的发热共振发光二极管封装及其制造方法，通过在发光二极管下形成DBR（分布式布拉格反射器）层，有效地对有源层中产生的光子进行放电和放大，从而产生共振 影响。 构成：发光二极管（200）包括DBR层（230），P型半导体层（240），有源层（250）和N型半导体层（260）。 衬底（210）形成在发光二极管的下方。 发热金属部件（270）发射在发光二极管中产生的热量。 第一电极层形成在包括发热金属部分的基板的下部。 第二电极层（290）形成在发光二极管的上部。 在第一电极层的下部形成有基座（310）。
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