公开(公告)号：KR100749872B1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：KR1020050115946

申请日：2005-11-30

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 이유진 ,  김성현 ,  신진국 ,  임굉수

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 기존의 비정질, 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 활성층에 채널영역은 마이크로 결정질 실리콘 박막을 적용하고, 채널영역의 상,하부에는 비정질 실리콘 박막을 적용한 3중 구조로 된 실리콘 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 투명한 기판; 상기 기판 상에 형성되어 있는 게이트; 상기 게이트를 덮고 있는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 상에 형성되어 있는 비정질 실리콘 박막/마이크로 결정질 실리콘 박막/비정질 실리콘 박막의 3중 구조로 된 실리콘 박막을 포함하는 박막 트랜지스터로 이루어짐에 기술적인 특징이 있다.
따라서, 기존의 비정질 실리콘 박막 트랜지스터나 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 단점을 최소화하면서, 간단한 공정으로 마이크로결정질 실리콘 박막 트랜지스터를 제작할 수 있고, 기존의 비정질 실리콘 박막 트랜지스터에 비해 이동도 특성은 향상되고, 누설전류 특성의 저하 없이 우수한 소자를 제작할 수 있으므로,능동형 액정 디스플레이(AM-LCD)나 능동형 유기 디스플레이(AM-OLED) 등의 구동소자를 간단한 공정으로 우수한 특성을 갖도록 제작함으로써 생산 단가의 감소 및 제품 특성이 향상되는 효과가 있다.
마이크로 결정질 박막, 박막 트랜지스터, 3중 구조 트랜지스터

公开(公告)号：KR1020070056828A

公开(公告)日：2007-06-04

申请号：KR1020050115946

申请日：2005-11-30

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 이유진 ,  김성현 ,  신진국 ,  임굉수

IPC: H01L29/786

Abstract: A silicon TFT and its manufacturing method are provided to improve the mobility of carrier and to reduce the leakage current by using a triple silicon thin film structure composed of a first amorphous silicon thin film, a micro crystalline silicon thin film and a second amorphous silicon thin film. A gate(110) is formed on a transparent substrate(100). A gate insulating layer(120) is formed on the resultant structure to cover the gate. A triple silicon thin film structure is formed on the gate insulating layer. The triple silicon thin film is composed of a first amorphous silicon thin film(130a), a micro crystalline silicon thin film(140) and a second amorphous silicon thin film(130b).

Abstract translation: 提供硅TFT及其制造方法以通过使用由第一非晶硅薄膜，微晶硅薄膜和第二非晶硅薄膜构成的三硅薄膜结构来提高载流子的迁移率和减小漏电流 电影。 在透明基板（100）上形成栅极（110）。 在所得结构上形成栅极绝缘层（120）以覆盖栅极。 在栅绝缘层上形成三硅薄膜结构。 三硅薄膜由第一非晶硅薄膜（130a），微晶硅薄膜（140）和第二非晶硅薄膜（130b）构成。

公开(公告)号：KR100659044B1

公开(公告)日：2006-12-19

申请号：KR1020040052097

申请日：2004-07-05

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 이유진 ,  신진국 ,  명승엽 ,  임굉수

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 산화아연 박막을 가지는 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 산화아연에 수소화 처리를 하여 박막 태양전지의 특성을 향상할 수 있는 산화아연 박막을 가지는 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 산화아연 박막을 가지는 태양전지는 투명기판; 상기 투명기판 상에 위치하고 수소화된 산화아연 박막으로 구성된 제 1 투명 전도막; 상기 제 1 투명 전도막 상에 위치하고 비정질 실리콘으로 구성된 상부 셀; 상기 상부 셀 상에 위치하고 수소화된 산화아연 박막으로 구성된 제 2 투명 전도막; 상기 제 2 투명 전도막 상에 위치하고 금속막으로 구성된 배면 반사판 및 상기 제 2 투명 전도막과 배면 반사판 사이에 위치하고 마이크로 결정질 실리콘으로 구성된 하부 셀로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 산화아연 박막을 가지는 태양전지 및 그 제조 방법은 종래의 실리콘 박막 태양전지의 전극 또는 반사막으로 사용되는 산화주석 박막 대신에 산화아연 박막을 증착하여 산화아연 박막의 특성을 향상시키고 열화 문제를 해결할 수 있는 장점이 있고, 실리콘 박막 태양전지의 효율 향상과 태양전지에서 발생하는 전력 손실을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
산화아연, 박막, 수소, 태양전지

公开(公告)号：KR1020060003277A

公开(公告)日：2006-01-10

申请号：KR1020040052097

申请日：2004-07-05

Applicant: 전자부품연구원

Inventor： 이유진 ,  신진국 ,  명승엽 ,  임굉수

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 본 발명은 산화아연 박막을 가지는 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 산화아연에 수소화 처리를 하여 박막 태양전지의 특성을 향상할 수 있는 산화아연 박막을 가지는 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 산화아연 박막을 가지는 태양전지는 투명기판; 상기 투명기판 상에 위치하고 수소화된 산화아연 박막으로 구성된 제 1 투명 전도막; 상기 제 1 투명 전도막 상에 위치하고 비정질 실리콘으로 구성된 상부 셀; 상기 상부 셀 상에 위치하고 수소화된 산화아연 박막으로 구성된 제 2 투명 전도막; 상기 제 2 투명 전도막 상에 위치하고 금속막으로 구성된 배면 반사판 및 상기 제 2 투명 전도막과 배면 반사판 사이에 위치하고 마이크로 결정질 실리콘으로 구성된 하부 셀로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 산화아연 박막을 가지는 태양전지 및 그 제조 방법은 종래의 실리콘 박막 태양전지의 전극 또는 반사막으로 사용되는 산화주석 박막 대신에 산화아연 박막을 증착하여 산화아연 박막의 특성을 향상시키고 열화 문제를 해결할 수 있는 장점이 있고, 실리콘 박막 태양전지의 효율 향상과 태양전지에서 발생하는 전력 손실을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
산화아연, 박막, 수소, 태양전지