-
公开(公告)号：KR1020080105264A
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：KR1020070052620
申请日：2007-05-30
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01R1/067 , G01R1/06755 , G01R3/00 , G01R31/2601
Abstract: The insulating method of the probe for the probe card using the glass ink coating is provided to obtain the excellent insulating property by coating the glass ink on the probe for the probe card. The method for insulating the probe for the probe card comprises as follows. A step is for making the probe(100) in the plating or the etching process. The step is for performing coating using the glass ink(110) after probe is cleaned. The step is for polishing both ends of the coated probe and being inserted into the probe unit. A step is for connecting the probe unit to the PCB circuit part after fixing epoxy probe.
Abstract translation: 提供使用玻璃油墨涂层的探针卡的探针的绝缘方法，以通过在探针卡的探针上涂覆玻璃墨来获得优异的绝缘性。 探针卡的探头绝缘方法如下。 步骤是在电镀或蚀刻工艺中制造探针（100）。 该步骤是在探针清洁之后使用玻璃油墨（110）进行涂覆。 该步骤用于抛光涂覆的探针的两端并插入探针单元中。 固定环氧树脂探头后，将探针单元连接到PCB电路部分。
-
公开(公告)号：KR100709282B1
公开(公告)日：2007-04-19
申请号：KR1020040112875
申请日：2004-12-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 마이크로 결정질 실리콘 박막 트랜지스터를 사용하여 캐리어의 이동도가 높고, 추가적인 열처리 공정이 필요하지 않은 박막 트랜지스터 및 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 박막 트랜지스터는 투명한 기판; 상기 기판 상에 형성되어 있는 게이트; 상기 게이트를 덮고 있는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 형성되어 있는 마이크로 결정질 실리콘 박막; 상기 마이크로 결정질 실리콘 박막의 소정 부분을 덮고 있는 제1 절연막; 상기 제1 절연막의 소정 부분을 덮고 있는 N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막; 상기 N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막의 소정 부분을 덮고 있는 제2 절연막 및 상기 제2 절연막과 N-형 마이크로 결정질 실리콘 박막 사이에 형성된 금속층으로 구성됨에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 박막 트랜지스터 및 제조 방법은 마이크로 결정질 실리콘 박막 트랜지스터를 사용함으로써 간단한 공정으로 능동형 디스플레이 구동소자, 능동형 액정 디스플레이 구동소자 또는 능동형 유기 디스플레이 구동소자에 적용이 가능한 장점이 있고, 간단한 공정으로 우수한 특성을 갖는 구동소자를 제작하여 생산 단가의 감소와 제품 특성이 향상되는 효과가 있다.
마이크로 결정질 박막, 박막 트랜지스터, 구동소자-
公开(公告)号：KR100951543B1
公开(公告)日：2010-04-27
申请号：KR1020070076731
申请日：2007-07-31
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 전자빔 증착법을 이용하여 게이트 전극 상부에 텅스텐 소재의 탐침이 형성된 원자간력 캔틸레버를 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명의 원자간력 캔틸레버는 SOI 기판상에 소스, 드레인 및 게이트로 형성된 MOSFET 구조물에 있어서, 상기 게이트 상부에 형성된 텅스텐 탐침; 및 상기 탐침을 제외한 MOSFET 전면에 형성된 패시배이션층을 포함한다.
본 발명의 원자간력 캔틸레버의 제조방법은 SOI 기판을 이용하여 MOSFET을 형성하는 단계; 상기 MOSFET 전면에 패시배이션층을 형성한 후 패터닝하여 게이트를 노출시키는 단계; 상기 SOI 기판의 하부 실리콘과 절연막을 식각하는 단계; 및 상기 게이트 상에 텅스텐 탐침을 형성하는 단계를 포함한다.
MOSFET, 캔틸레버, SOI, 텅스텐, 탐침-
公开(公告)号：KR1020090012694A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：KR1020070076731
申请日：2007-07-31
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01Q60/42 , G01B21/30 , G01Q70/12 , G01R1/06727 , H01L21/203
Abstract: An atomic force cantilever and a method of manufacturing the cantilever are provided to form a passivation layer and then form a tungsten probe so as to maintain high sensitivity of the cantilever. A method of manufacturing an atomic force cantilever includes a step of forming a MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) using an SOI(Silicon On Insulator), a step of forming a passivation layer on the overall surface of the MOSFET and patterning the passivation layer to expose a gate of the MOSFET, a step of etching a lower silicon layer and an insulating layer of the SOI substrate, and a step of forming a tungsten probe(180) on the gate.
Abstract translation: 提供原子力悬臂和制造悬臂的方法以形成钝化层，然后形成钨探针，以保持悬臂的高灵敏度。 制造原子力悬臂的方法包括使用SOI（绝缘体上硅）形成MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的步骤，在MOSFET的整个表面上形成钝化层并使钝化图形化的步骤 以暴露MOSFET的栅极，蚀刻SOI衬底的下硅层和绝缘层的步骤，以及在栅极上形成钨探针（180）的步骤。
-
公开(公告)号：KR1020050011212A
公开(公告)日：2005-01-29
申请号：KR1020030050215
申请日：2003-07-22
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/03767 , H01L31/02167 , H01L31/075 , H01L31/1864 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A solar cell and manufacturing method thereof are provided to prevent the degradation of properties in a thin film due to Staebler-Wronski effect by integrating a thin film heater in the solar cell. CONSTITUTION: A solar cell element region(50) is formed by depositing sequentially a first electrode, a P type semiconductor layer, an absorption layer, an N type semiconductor layer and a second electrode on a substrate. An insulating layer(16) is formed on the second electrode. A thin film heater pattern(17) is formed on the insulating layer. A protecting layer for protecting the thin film heater pattern from the outside is formed thereon.
Abstract translation: 目的：提供太阳能电池及其制造方法，以通过在太阳能电池中集成薄膜加热器来防止由于Staebler-Wronski效应引起的薄膜性能的劣化。 构成：通过在基板上依次沉积第一电极，P型半导体层，吸收层，N型半导体层和第二电极来形成太阳能电池元件区域（50）。 绝缘层（16）形成在第二电极上。 在绝缘层上形成薄膜加热器图案（17）。 在其上形成用于将薄膜加热器图案从外部保护的保护层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090019226A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：KR1020070083492
申请日：2007-08-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: C03C17/30
CPC classification number: C03C23/006 , C03C17/32 , C03C23/007
Abstract: A silica glass film formation method for passivating surface using polysilazane is provided to have no deformity by impurity when cured in a room temperature and to form glass film having high density. A glass film formation method for passivating surface comprises steps of: coating polysilazane on a substrate; and curing the polysilazane by using atmospheric pressure plasma process. A process time of the curing step is 10-20 minutes. A processing temperature of the curing step is 50~120°C. A process gas of the atmospheric pressure plasma process is argon gas and oxygen gas.
Abstract translation: 提供使用聚硅氮烷钝化表面的二氧化硅玻璃膜形成方法，其在室温下固化时不会产生杂质变形，并形成高密度的玻璃膜。 钝化表面的玻璃成膜方法包括以下步骤：在基材上涂布聚硅氮烷; 并使用大气压等离子体处理固化聚硅氮烷。 固化步骤的处理时间为10-20分钟。 固化步骤的加工温度为50〜120℃。 大气压等离子体工艺的工艺气体是氩气和氧气。
-
公开(公告)号：KR1020090019059A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：KR1020070083195
申请日：2007-08-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: B32B33/00
CPC classification number: B32B33/00 , B32B17/06 , B32B38/0008 , B32B2255/205 , B32B2307/402 , B32B2307/554 , B32B2307/584 , B32B2310/14
Abstract: A structure having a glass protection layer formed on the surface thereof is provided to protect the surface of the structure from scratches, wear, finger printing, dust, etc. while maintaining color or gloss of the substrate, to reduce the entire coating process time, and to allow the glass protection layer to exhibit best physical properties even at room temperature. In a structure having a glass protection layer(240) in which a matrix(210) and a silver coating layer(220) are sequentially formed, a structure having a glass protection layer formed on the surface thereof comprises the glass protection layer formed on the silver coating layer using polysilazane. The structure having a glass protection layer formed on the surface thereof further comprises a coloring layer(230) formed between the silver coating layer and glass protection layer to display gloss and color of the structure. The formation of the glass protection layer is performed using atmospheric pressure plasma hardening, pressurized wet hardening, or seam hardening. The sliver coating layer and glass protection layer are formed by spray coating, dip coating, or spin coating. The glass protection layer is coated to a thickness of 0.1 to 5 mum.
Abstract translation: 提供了在其表面上形成有玻璃保护层的结构，以保持结构的表面免受划伤，磨损，指纹印刷，灰尘等，同时保持基底的颜色或光泽，从而减少整个涂布处理时间， 并且即使在室温下也允许玻璃保护层表现出最好的物理性能。 在其中依次形成有基体（210）和银涂层（220）的玻璃保护层（240）的结构中，在其表面上形成有玻璃保护层的结构包括形成在玻璃保护层 银涂层采用聚硅氮烷。 具有形成在其表面上的玻璃保护层的结构还包括形成在银涂层和玻璃保护层之间的着色层（230），以显示结构的光泽和颜色。 玻璃保护层的形成使用大气压等离子体硬化，加压湿固化或接缝硬化进行。 纱线涂层和玻璃保护层通过喷涂，浸涂或旋涂形成。 将玻璃保护层涂覆至0.1〜5μm的厚度。
-
公开(公告)号：KR100827994B1
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：KR1020060030582
申请日：2006-04-04
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01R1/067
Abstract: 본 발명은 이종 도금 결합방식을 이용한 하이브리드형 고강도 탐침 구조물 및 그 제작 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 반도체 칩 또는 디스플레이의 회로패드와 직접 접촉되는 탐침부는 고강도 도금으로 제작하고, 나머지 스프링부는 패턴의 일부가 상기 탐침부와 상호 겹치도록 정렬한 상태에서 이종의 다른 재질로 도금하여 상기 탐침부와 상기 스프링부가 상호 결합된 형태를 갖는 탐침 구조물 및 그 제작 방법에 관한 것이다.
본 발명의 이종 도금 결합방식을 이용한 하이브리드형 고강도 탐침 구조물 제작 방법은 탐침 구조물을 제작함에 있어서, 기판상에 탐침부를 형성하는 제1단계; 상기 탐침부가 형성된 상기 기판상에 제2감광막을 형성하는 제2단계; 상기 제2감광막에 스프링부 패턴을 형성하는 제3단계; 상기 스프링부 패턴에 도금하는 제4단계; 및 상기 제2감광막을 제거하는 제5단계를 포함한다.
탐침구조물, 이종도금, MEMS, 탐침, 스프링Abstract translation: 提供了使用不同种类材料的电镀结合方法的混合高强度探针结构制造方法，以确保探针结构的机械稳定性，并且通过组合具有缓和电镀应力的弹簧单元和高强度探针单元来防止耐磨性 通过电镀使用不同种类的材料。 使用不同种类的材料的电镀结合方法的混合高强度探针结构体的制造方法由在基板上形成探针单元（260）的工序， 在具有探针单元的基板上形成第二感光膜; 在第二感光膜上形成弹簧单元（270）的图案; 电镀弹簧单元的图案; 去除第二感光膜; 将探针结构（280）与基底分离; 并将探针结构插入载体孔中。
-
公开(公告)号：KR1020070081997A
公开(公告)日：2007-08-20
申请号：KR1020060030582
申请日：2006-04-04
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01R1/067
CPC classification number: G01R3/00 , G01R1/067 , G01R1/06716 , G01R1/06733
Abstract: A hybrid high-strength probe structure manufacturing method using a plating binding method of different kinds of materials is provided to secure mechanical stability of a probe structure and to prevent wear resistance by combining a spring unit with relieved plating stress and a high-strength probe unit through plating using the different kinds of materials. A hybrid high-strength probe structure manufacturing method using a plating binding method of different kinds of materials is composed of steps for forming a probe unit(260) on a substrate; forming a second photosensitive film on the substrate having the probe unit; forming a pattern of a spring unit(270) on the second photosensitive film; plating the pattern of the spring unit; removing the second photosensitive film; separating a probe structure(280) from the substrate; and inserting the probe structure into a carrier hole.
Abstract translation: 提供了使用不同种类材料的电镀结合方法的混合高强度探针结构制造方法，以确保探针结构的机械稳定性，并且通过组合具有缓和电镀应力的弹簧单元和高强度探针单元来防止耐磨性 通过电镀使用不同种类的材料。 使用不同种类的材料的电镀结合方法的混合高强度探针结构体的制造方法由在基板上形成探针单元（260）的工序， 在具有探针单元的基板上形成第二感光膜; 在第二感光膜上形成弹簧单元（270）的图案; 电镀弹簧单元的图案; 去除第二感光膜; 将探针结构（280）与基底分离; 并将探针结构插入载体孔中。
-
公开(公告)号：KR100539639B1
公开(公告)日：2005-12-29
申请号：KR1020030050215
申请日：2003-07-22
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/03767 , H01L31/02167 , H01L31/075 , H01L31/1864 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 열화 현상을 제거할 수 있는 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기판 상부에 제 1 전극, P형 반도체층, 흡수층, N형 반도체층과 제 2 전극이 순차적으로 적층된 태양전지 소자영역과; 상기 제 2 전극 상부에 형성된 절연막과; 상기 절연막 상부에 형성된 박막히터 패턴로 구성된다.
따라서, 본 발명은 태양전지 내에 박막히터를 내장하여 장시간 빛에 노출시킨 후 박막히터에 전류 또는 전압을 인가해 열처리함으로써, SW(Staebler- Wronski) 효과에 의한 박막의 특성저하 현상을 해결할 수 있는 효과가 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.02 seconds)
