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公开(公告)号：KR1020070105579A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：KR1020060037880
申请日：2006-04-27
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: A tactile sensor array and a method for manufacturing the same are provided to form a metal interconnection on a polymer layer provided with a tactile sensor so that the tactile sensor makes contact with a driving circuit without an additional printed circuit board. A polymer layer is formed on a substrate. The first metal interconnection and a deformation detector are provided at the upper portion of the polymer layer. A photoresist layer is formed on the entire surface of the polymer layer. The photoresist layer is patterned such that a contact hole is formed in the upper portion of the deformation detector. The second metal interconnection is formed on the photoresist layer. A support block is formed at the end of the upper portion of the photoresist layer. A protective block is formed on the photoresist layer except for the support block area. The polymer layer is delaminated from the substrate. A load block is formed in the lower portion of the polymer layer.
Abstract translation: 提供了触觉传感器阵列及其制造方法，以在设置有触觉传感器的聚合物层上形成金属互连，使得触觉传感器与驱动电路接触而不需要附加的印刷电路板。 在基板上形成聚合物层。 第一金属互连和变形检测器设置在聚合物层的上部。 在聚合物层的整个表面上形成光致抗蚀剂层。 图案化光致抗蚀剂层，使得在变形检测器的上部形成接触孔。 第二金属互连形成在光刻胶层上。 在光致抗蚀剂层的上部的端部形成支撑块。 除了支撑块区域之外，在光致抗蚀剂层上形成保护块。 聚合物层从基材脱层。 负载块形成在聚合物层的下部。
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公开(公告)号：KR100755436B1
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：KR1020060039039
申请日：2006-04-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/76802
Abstract: A method for manufacturing a through hole type electrode of a semiconductor substrate is provided to minimize stress applied on the semiconductor substrate by not performing a CMP(Chemical Mechanical Polishing) process. A semiconductor substrate(300) is etched to form a through hole(310). A metal layer(330) is formed on a glass substrate(320). The semiconductor substrate and the glass substrate are joined so that the metal layer is located on a lower surface of the through hole. The through hole is coated to bury a coating layer into the through hole. The glass substrate and the metal layer are removed in order. The joining is performed as common joining by 350°C to 420°C and piston pressure. The glass substrate is removed by dipping a glass layer remaining after grinding in a diluted HF.
Abstract translation: 提供一种用于制造半导体衬底的通孔型电极的方法，以通过不进行CMP（化学机械抛光）工艺来最小化施加在半导体衬底上的应力。 蚀刻半导体衬底（300）以形成通孔（310）。 金属层（330）形成在玻璃基板（320）上。 半导体基板和玻璃基板接合，使得金属层位于通孔的下表面。 通孔被涂覆以将涂层掩埋在通孔中。 依次去除玻璃基板和金属层。 接合是通过350°C至420°C的共同连接和活塞压力进行的。 通过将研磨后剩余的玻璃层浸入稀释的HF中来除去玻璃基板。
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公开(公告)号：KR100809284B1
公开(公告)日：2008-03-04
申请号：KR1020060037880
申请日：2006-04-27
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명에 따른 촉각센서 어레이 제조방법은 기판의 상부에 고분자층을 형성하는 단계(S1), 상기 고분자층의 상부에 변형 검출기 및 제1금속배선을 형성하는 단계(S2), 상기 고분자층의 전면에 감광막을 형성하는 단계(S3), 상기 감광막을 패터닝하여 상기 변형 검출기의 상부에 콘택홀을 형성하는 단계(S4), 상기 감광막의 상부에 제2금속배선을 형성하는 단계(S5), 상기 감광막 상부의 끝단에 지지블록을 형성하는 단계(S6), 상기 지지블록이 형성된 영역을 제외한 상기 감광막 상부에 보호블록을 형성하는 단계(S7), 상기 기판으로부터 상기 고분자층을 분리하는 단계(S8) 및 상기 고분자층의 하부에 하중블록을 형성하는 단계(S9)를 포함한다.
따라서, 본 발명은 고분자층의 상부에 촉각센서 어레이 및 금속배선을 동시에 형성함으로써, 공정 수율의 향상 및 공정 비용의 절감 효과가 있으며, 각종 산업분야에 적용이 용이하여 가상환경 구현 기술에 중요한 촉각제시 기술에 유효하게 적용 및 채택할 수 있는 이점이 있다.
촉각센서 어레이, 고분자층
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