公开(公告)号：KR101693612B1

公开(公告)日：2017-01-06

申请号：KR1020130017054

申请日：2013-02-18

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김윤준 ,  권효영 ,  김혜정 ,  이충헌 ,  조연진 ,  최유정

IPC: C07C39/12 ,  G03F7/004

Abstract: 하기화학식 1로표현되는하드마스크조성물용모노머, 상기모노머를포함하는하드마스크조성물및 이를사용한패턴형성방법에관한것이다. [화학식 1]상기화학식 1에서, A, A′, A″, L, L′,X내지 X및 n은명세서에서정의한바와같다.

Abstract translation: 本发明涉及由式1表示的硬掩模组合物用单体，包含该单体的硬掩模组合物以及使用该硬掩模组合物形成图案的方法。 在式1中，A，A'，A“，L，L'，X ^ 1至X ^ 3和n与说明书中所定义相同。

公开(公告)号：KR101556273B1

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：KR1020120090232

申请日：2012-08-17

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 최유정 ,  권효영 ,  김영민 ,  신승욱 ,  이충헌 ,  조연진

IPC: C07C309/67 ,  C08F20/38 ,  G03F7/027

Abstract: 하기화학식 1로표현되는열산발생제결합모노머, 상기열산발생제결합모노머로부터얻어진중합체, 상기중합체를포함하는레지스트하층막용조성물및 상기레지스트하층막용조성물을사용한패턴형성방법에관한것이다. [화학식 1]상기화학식 1에서, A, L, R, R및 n은명세서에서정의한바와같다.

公开(公告)号：KR1020150002929A

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：KR1020130073947

申请日：2013-06-26

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 박유정 ,  김윤준 ,  박유신 ,  송현지 ,  김고은 ,  김영민 ,  김혜정 ,  문준영 ,  박요철 ,  신승욱 ,  윤용운 ,  이충헌 ,  최유정 ,  홍승희

IPC: C07D401/14 ,  C07D407/10 ,  G03F7/11

CPC classification number: C07D401/14 ,  C07D407/10 ,  G03F7/11

Abstract: According to an embodiment, in the present invention, provided is a monomer for a hardmask composition, which secures gap-fill and flatness properties while having etch resistance. The present invention relates to a monomer for a hardmask composition denoted by chemical formula 1, a hardmask composition including the monomer, and a forming method of patterns using the same. In chemical formula 1, A, A′, A″, L, L′, X, X′, m and n are described as defined in the specification.

Abstract translation: 根据一个实施方案，在本发明中，提供了用于硬掩模组合物的单体，其确保了间隙填充性和平坦性，同时具有耐蚀刻性。 本发明涉及由化学式1表示的硬掩模组合物单体，包含该单体的硬掩模组合物以及使用其的形成方法。 在化学式1中，A，A'，A“，L，L'，X，X'，m和n如说明书中所定义。

公开(公告)号：KR1020150001446A

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：KR1020130074689

申请日：2013-06-27

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김혜정 ,  김윤준 ,  김고은 ,  김영민 ,  문준영 ,  박요철 ,  박유신 ,  박유정 ,  송현지 ,  신승욱 ,  윤용운 ,  이충헌 ,  최유정 ,  홍승희

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/265 ,  H01L21/0273 ,  H05K3/46

Abstract: 하기 화학식 1로 표현되는 모노머, 하기 화학식 2로 표현되는 부분을 가지는 중합체, 그리고 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 제공한다.
[화학식 1]

[화학식 2]

상기 화학식 1 및 2에서, A, A', A″, L, L', X, X′, m, n, Ar 및 B는 명세서에서 정의한 바와 같다.

Abstract translation: 在一个实施方案中提供了具有在溶剂中的溶解性和间隙填充和平坦化性能，同时具有令人满意的耐热性和耐蚀刻性的硬掩模组合物。 提供由化学式1表示的单体，具有由化学式2表示的部分的聚合物和包含溶剂的硬掩模组合物。 [化学式1] [化学式2]在化学式1和2中，A，A'，A“，L，L'，X，X'，m，n，Ar和B与 规范。

公开(公告)号：KR101432605B1

公开(公告)日：2014-08-21

申请号：KR1020100129101

申请日：2010-12-16

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 송지윤 ,  김민수 ,  전환승 ,  오승배 ,  최유정

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/094 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0271

Abstract: 하기 화학식 1로 표현되는 방향족 고리 함유 화합물 및 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 제공한다.
[화학식 1]

상기 화학식 1에서, A, R
1 내지 R
6 , X
1
내지 X
6 , n
1
내지 n
6 의 정의는 명세서에 정의한 바와 같다.
또한 상기 하드마스크 조성물을 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 방법으로 형성된 복수의 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 또한 제공한다.

公开(公告)号：KR1020140033533A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：KR1020120090232

申请日：2012-08-17

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 최유정 ,  권효영 ,  김영민 ,  신승욱 ,  이충헌 ,  조연진

IPC: C07C309/67 ,  C08F20/38 ,  G03F7/027

CPC classification number: C07C309/67 ,  C08F20/38 ,  G03F7/027

Abstract: The present invention relates to: a thermal acid generator bound monomer denoted by chemical formula 1; a polymer obtained from the thermal acid generator bound monomer; a resist under-layer composition including the polymer; and a formation method of patterns using the resist under-layer composition. In the chemical formula 1, A, L, R1, R2, and n are described in the present specification.

Abstract translation: 本发明涉及：由化学式1表示的热酸产生剂结合单体; 从热酸发生剂结合的单体获得的聚合物; 包含所述聚合物的抗蚀剂底层组合物; 以及使用抗蚀剂底层组合物的图案的形成方法。 在化学式1中，在本说明书中描述了A，L，R1，R2和n。

公开(公告)号：KR101776265B1

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：KR1020140065273

申请日：2014-05-29

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 문준영 ,  이충헌 ,  최유정 ,  김윤준 ,  박유정 ,  윤용운

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01L21/324

Abstract: 일구현예에따르면, 기판위에재료층을형성하는단계, 상기재료층 위에하드마스크조성물을적용하는단계, 그리고상기하드마스크조성물을다단계(multi-step) 열처리하는단계를포함하는하드마스크층의형성방법으로서, 상기다단계열처리는공정 1 또는공정 2에따라진행되며, 상기공정 1은 50 ℃내지 170 ℃의온도에서열처리하는베이크공정 1-1, 및 100 ℃내지 500 ℃의온도에서열처리하는베이크공정 1-2를포함하고, 상기공정 2는 50 ℃내지 300 ℃의온도에서열처리하는베이크공정 2-1, 100 ℃내지 500 ℃의온도에서열처리하는베이크공정 2-2, 및 150 ℃내지 600 ℃의온도에서열처리하는베이크공정 2-3을포함하며, 상기베이크공정 1-2의온도는상기베이크공정 1-1의온도보다높거나같고, 상기베이크공정 2-2의온도는상기베이크공정 2-1의온도보다높거나같고상기베이크공정 2-3의온도는상기베이크공정 2-2의온도보다높거나같은하드마스크층의형성방법을제공한다. 단, 상기베이크공정 1-1의완결시점과상기베이크공정 1-2의개시시점이동일한경우상기베이크공정 1-2의온도는상기베이크공정 1-1의온도보다높아야하고, 상기베이크공정 2-1의완결시점과상기베이크공정 2-2의개시시점이동일한경우상기베이크공정 2-2의온도는상기베이크공정 2-1의온도보다높아야하며, 상기베이크공정 2-2의완결시점과상기베이크공정 2-3의개시시점이동일한경우상기베이크공정 2-3의온도는상기베이크공정 2-2의온도보다높아야한다.

Abstract translation: 根据一个实施例，提供了一种形成硬掩模层的方法，该方法包括在基底上形成材料层，在该材料层上施加硬掩模组合物，并且多步热处理该硬掩模组合物 作为一种方法，根据步骤1中的多级热处理工序1或方法2进行是在烘烤热处理步骤1-1烘烤的步骤，和在500至100℃℃的温度下在50℃至170℃的温度下进行热处理 如图1-2所示，步骤2包括用于在50-300℃的温度下进行热处理的烘烤步骤2-1，用于在100-500℃的温度下进行热处理的烘烤步骤2-2， 烘烤步骤1-2的温度高于或等于烘烤步骤1-1的温度，并且烘焙步骤2-2的温度低于烘烤步骤2-1的温度 高于或等于烘烤步骤2-3的温度 温度提供或大于烘烤步骤2-2的温度高形成硬掩模层的方法。 如果烘烤过程1-1的完成时刻与烘烤过程1-2的开始时刻相同，则烘烤过程1-2的温度应当高于烘烤过程1-1的温度， 1等于烘烤步骤2-2的起点时，烘烤步骤2-2的温度应高于烘烤步骤2-1的温度， 当步骤2-3的起点相同时，烘烤步骤2-3的温度应高于烘烤步骤2-2的温度。

公开(公告)号：KR1020150079199A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：KR1020130169260

申请日：2013-12-31

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 박유신 ,  김윤준 ,  문준영 ,  박유정 ,  송현지 ,  신승욱 ,  윤용운 ,  이충헌 ,  최유정

IPC: C09D4/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L21/0276 ,  C08G2261/135 ,  C08G2261/1422 ,  C08G2261/3142 ,  C08G2261/3424 ,  C08G2261/76 ,  C08L61/06 ,  C08L65/00 ,  C09D165/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  C09D4/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 하기화학식 1a 내지 1c 중에서선택된어느하나로표현되는부분을포함하는중합체, 하기화학식 2로표현되는모노머, 그리고용매를포함하는하드마스크조성물을제공한다. [화학식 1a][화학식 1b][화학식 1c][화학식 2]상기화학식 1a, 1b, 1c 및 2에서, R, R, R, R, R, R, R, R및 R은명세서에서정의한바와같다.

Abstract translation: 提供一种包含由选自1a至1c的一部分表示的部分的聚合物; 由下式2表示的单体; 和包含溶剂的硬掩模组合物。 在式1a，1b，1c和2中，R 1（1a），R 1（1b），R 4（4a），R 4（4b），R 9（2a），R 9（2b） 5a）中，R 5（5b）和R 9如说明书中所定义。

公开(公告)号：KR1020150013415A

公开(公告)日：2015-02-05

申请号：KR1020140191112

申请日：2014-12-26

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김윤준 ,  이충헌 ,  권효영 ,  조연진 ,  최유정

IPC: G03F7/11

Abstract: Provided in an embodiment is a monomer for a hardmask composition which satisfies the solubility in a solvent, gap-filling properties, and planarizing properties, while obtaining the chemical resistance, heat resistance, and etching resistance. The present invention relates to a monomer for a hardmask composition represented by chemical formula 1, a hardmask composition, and a method for forming a pattern. In chemical formula 1a, L^1 and L^2 are independently single bond or a substituted or unsubstituted alkylene group of C1 to C6.

Abstract translation: 在一个实施方案中提供了在获得耐化学性，耐热性和耐蚀刻性的同时满足溶剂中的溶解性，间隙填充性和平坦化性质的硬掩模组合物的单体。 本发明涉及由化学式1表示的硬掩模组合物的单体，硬掩模组合物和形成图案的方法。 在化学式1a中，L 1和L 2独立地是单键或C1至C6的取代或未取代的亚烷基。

公开(公告)号：KR1020150002928A

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：KR1020130073946

申请日：2013-06-26

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 홍승희 ,  김윤준 ,  박유신 ,  김고은 ,  김영민 ,  김혜정 ,  문준영 ,  박요철 ,  박유정 ,  송현지 ,  신승욱 ,  윤용운 ,  이충헌 ,  최유정

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/09

CPC classification number: G03F7/2041 ,  B41C2210/24 ,  C07C43/257 ,  C07C211/57 ,  C08G61/10 ,  G03F7/004 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

Abstract: 하기 화학식 1로 표현되는 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]

상기 화학식 1에서, A, A′, L, X, X′, k, l, m 및 n은 명세서에서 정의한 바와 같다.

Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的硬掩模组合物单体，包含该单体的硬掩模组合物和使用其形成图案的方法。 在化学式1中，A，A'，L，X，X'，k，l，m和n与专利说明书中的相同。