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1.发明公开반도체 디바이스의 미세 갭 필용 화합물, 이를 포함하는 조성물 및 반도체 캐패시터의 제조방법 有权用于在半导体器件中填充小GAPS的化合物，包含该化合物的组合物和用于制造半导体电容器的方法
公开(公告)号：KR1020110079609A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020117003554
申请日：2008-12-31
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: C08G77/04 , Y10T428/31663
Abstract: PURPOSE: A compound for filling micro-gap in a semiconductor device, a composition comprising the compound and a process for fabricating a semiconductor capacitor are provided to ensure excellent storage stability since the development rate and molecular weight is not changed according to keeping days. CONSTITUTION: A compound for filling micro-gap in a semiconductor device comprises (a) hydrolyzates prepared by the hydrolysis of compounds represented by formula 1:[RO]3Si-[CH2]nR', formula 2: HOOC[CH2]R2Si-O-SiR'2[CH2]COOH and formula 3: R3Si-O-X in the presence of an acid catalyst or (b) a poly condensate prepared by polycondensation of the hydrolysates, wherein n is from 0 to 10; R and R' are independently a hydrogen atom, a C1-C12 alkyl group or a C6-C20 aryl group; and X is R' or SiR'.
Abstract translation: 目的：提供一种用于填充半导体器件中的微间隙的化合物，包含该化合物的组合物和用于制造半导体电容器的方法，以确保优异的储存稳定性，因为显影速率和分子量根据保持天数不改变。 构成：用于填充半导体器件中的微间隙的化合物包括（a）通过水解由式1表示的化合物制备的水解产物：[RO] 3Si- [CH 2] n R'，式2：HOOC [CH 2] R 2 Si-O -SiR'2 [CH2] COOH和式3：R3Si-OX在酸催化剂存在下反应，或（b）通过水解产物缩聚制备的聚缩合物，其中n为0至10; R和R'独立地是氢原子，C 1 -C 12烷基或C 6 -C 20芳基; X是R'或SiR'。
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公开(公告)号：KR1020090034294A
公开(公告)日：2009-04-07
申请号：KR1020080097419
申请日：2008-10-02
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: C08L83/04 , C08G77/045 , C08G77/12 , C08G77/70
Abstract: A semiconductor micro gap-filling composition is provided to ensure excellent shelf life by not changing the molecular weight according to a storage period and maintaining the dissolution rate constantly. A semiconductor micro gap-filling composition comprises a silicon-based polymer 1-50 parts by weight, an end-capping agent 0.001-10 parts by weight, represented by the formula 1: [HO]x-R-[CO2H]y, and solvent 40-98 parts by weight. In the chemical formula 1, R is C1~12 linear, cyclic or branched alkyl group or allyl group which is substituted or unsubstituted by a hydroxyl group or carboxyl group; X is an integer of 1~4; y is an integer of 0~3.
Abstract translation: 提供了一种半导体微间隙填充组合物，以通过不根据储存期改变分子量并保持溶解速率不断地确保优异的保质期。 半导体微间隙填充组合物包含1-50重量份的硅基聚合物，由式1表示的封端剂0.001-10重量份：[HO] xR- [CO 2 H] y，溶剂 40-98重量份。 在化学式1中，R是被羟基或羧基取代或未取代的C1〜12直链，环状或支链烷基或烯丙基; X为1〜4的整数; y是0〜3的整数。
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公开(公告)号：KR100884264B1
公开(公告)日：2009-02-17
申请号：KR1020060132976
申请日：2006-12-22
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 본 발명은 노드 분리용 중합체 및 이를 이용한 조성물에 관한 것으로서, 하기 화학식 1, 화학식 2, 또는 화학식 3으로 나타내어 지는 반복구조 단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 노드 분리용 중합체 및 이를 이용한 조성물에 관한 것이다.
[화학식 1]
(상기 식에서, Ra는 수소 또는 메틸기를 나타낸다)
[화학식 2]
[화학식 3]
본 발명은 직경이 100nm 이하이며, 높이/직경으로 나타나는 아스팩트비가 1 이상인 홀을 갖는 반도체 기판에 일반적인 스핀코팅 방법으로 공기 보이드(void) 등의 결함없이 완전한 갭 필(Gap-Fill)이 가능하며, 알칼리 수용액(현상액이라고 함)에 의해 원하는 두께만큼 막을 녹여 낼 수 있으며, 베이킹에 의한 경화 후에는 이소프로필 알코올(IPA) 및 플라즈마 에칭에 강한 내성을 가지며, 에싱(Ashing) 처리에 의해서 빠르게 홀 내부에서 제거될 수 있고, 시간에 따른 DR값의 변동이 적어 보관안정성이 우수한 조성물을 제공한다.
노드 분리, 용해속도(Dissolution Rate), 스핀코팅, 반도체-
Patent Agency Ranking4.发明授权반도체 디바이스의 미세 갭 필용 화합물, 이를 포함하는 조성물 및 반도체 캐패시터의 제조방법 有权用于在半导体器件中填充小GAPS的化合物，包含该化合物的组合物和用于制造半导体电容器的方法
公开(公告)号：KR101233385B1
公开(公告)日：2013-02-15
申请号：KR1020117003554
申请日：2008-12-31
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: C08G77/04 , Y10T428/31663
Abstract: 반도체 캐패시터(capacitor) 제조용 노드분리 공정에 사용될 수 있는 화합물 및 이를 포함하는 반도체 미세 갭필용 조성물이 개시된다.
상기 반도체 미세 갭필용 조성물은 보관일수에 따라 분자량이 크게 변하지 않을 뿐만 아니라, 알칼리를 띄는 현상액에 원하는 현상속도(DR; dissolution rate)로 녹아 나오는 동시에, 보관일수에 따라 그 현상속도가 크게 변하지 않는 보관안정성이 우수하다.-
公开(公告)号：KR1020080058836A
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：KR1020060132976
申请日：2006-12-22
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: A polymer for node separation in fabricating a semiconductor device is provided to enable complete gap-fill without generating air voids, to realize a desired solubility to an alkali developer and etching resistance, and to allow easy removal from holes by way of ashing treatment. A polymer for node separation comprises repeating units represented by the following formula 1, formula 2 or formula 3. In formula 1, Ra represents a hydrogen atom or methyl group. The polymer for node separation is selected from a homopolymer of the repeating units represented by formula 1, formula 2 or formula 3, a copolymer thereof, a copolymer of thereof with styrene or benzyl methacrylate, and a blend thereof.
Abstract translation: 提供了用于在制造半导体器件中用于节点分离的聚合物，以实现完全间隙填充而不产生空气空隙，以实现对碱性显影剂的期望的溶解度和耐蚀刻性，并且允许通过灰化处理容易地从孔中移除。 用于节点分离的聚合物包括由下式1，式2或式3表示的重复单元。在式1中，R a表示氢原子或甲基。 用于节点分离的聚合物选自由式1，式2或式3表示的重复单元的均聚物，其共聚物，其与苯乙烯或甲基丙烯酸苄酯的共聚物及其共混物。
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公开(公告)号：KR100989117B1
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：KR1020080097419
申请日：2008-10-02
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: C08L83/04 , C08G77/045 , C08G77/12 , C08G77/70
Abstract: 본 발명은 반도체 캐패시터(capacitor) 제조용 노드분리 공정에 사용될 수 있는 실리콘 조성물의 말단기 보호(end-capping)를 통하여 보관안정성을 향상시키는 반도체 미세 갭 필용 조성물에 관한 것으로서, 본 발명에 의하여 보관일수에 따라 분자량이 변하지 않을 뿐만 아니라, 알칼리를 띄는 현상액에 원하는 현상속도(DR; dissolution rate)로 녹아 나오는 동시에, 보관일수에 따라 그 현상속도가 크게 변하지 않는 보관안정성이 우수한 반도체 미세 갭 필용 조성물을 제공한다.
캐패시터, 실리콘, 말단기 보호, 현상속도, 보관안정성-
7.发明公开불용성 중합체를 형성하는 미세패턴 형성용 수지 조성물, 이를 이용한 반도체 장치의 제조방법 및 그로부터 제조된 반도체 장치 无效HARDMASK组合物制造不溶性聚合物以开发解决方案，使用其制造半导体器件的工艺和由该工艺生产的半导体器件
公开(公告)号：KR1020080014388A
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：KR1020060076027
申请日：2006-08-11
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: G03F7/40 , H01L21/0273 , G03F7/11 , G03F7/091
Abstract: A resin composition for hard mask, a method for preparing a semiconductor device by using the composition, and a semiconductor device prepared by the method are provided to reduce the area of a photoresist pattern in intaglio in photolithographic process. A resin composition comprises a polymer containing an aromatic ring; and water or a mixture solvent comprising water and a water-soluble solvent as a solvent, wherein the aromatic ring is substituted with a water-soluble substituent. The composition is coated on a photoresist pattern to form a coating layer, the water-soluble substituent is removed by an acid catalyst supplied from the photoresist, thereby forming an insoluble region on the coating layer. Preferably the polymer is a homopolymer or copolymer of a novolac, hydroxy styrene-based, naphthol-based monomer, or their mixture.
Abstract translation: 提供一种用于硬掩模的树脂组合物，通过使用该组合物制备半导体器件的方法以及通过该方法制备的半导体器件，以在光刻工艺中减少光刻胶图案在凹版中的面积。 树脂组合物包含含有芳环的聚合物; 和水或包含水和水溶性溶剂作为溶剂的混合溶剂，其中所述芳环被水溶性取代基取代。 将组合物涂布在光致抗蚀剂图案上以形成涂层，通过由光致抗蚀剂提供的酸催化剂除去水溶性取代基，从而在涂层上形成不溶性区域。 优选地，聚合物是酚醛清漆，羟基苯乙烯基，萘酚基单体或其混合物的均聚物或共聚物。
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公开(公告)号：KR100737851B1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：KR1020060064084
申请日：2006-07-07
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: Provided is a resin composition for forming a micropattern, which reduces the area or interval in an engraved portion of a photoresist layer during a semiconductor lithography process, and allows formation of a fine pattern beyond a wavelength limit. The resin composition(4) for forming a micropattern by being coated on a photoresist pattern layer comprises an aqueous solution containing an alcohol or alkali, and a water soluble polymer. The resin composition causes surface swelling of the photoresist pattern layer(3) or formation of entanglement between the photoresist pattern layer(3) and the water soluble polymer. Particularly, the water soluble polymer includes a homopolymer comprising hydrophilic monomer units or a copolymer of at least two hydrophilic monomer units. The resin composition comprises 50-99 wt% of the alcohol- or alkali-containing aqueous solution and 1-50 wt% of the water soluble polymer.
Abstract translation: 本发明提供一种用于形成微细图案的树脂组合物，其在半导体光刻工艺期间减小光致抗蚀剂层的雕刻部分中的面积或间隔，并且允许形成超过波长限制的精细图案。 通过涂布在光致抗蚀剂图案层上形成微图案的树脂组合物（4）包含含有醇或碱的水溶液和水溶性聚合物。 树脂组合物引起光致抗蚀剂图案层（3）的表面溶胀或在光致抗蚀剂图案层（3）与水溶性聚合物之间形成缠结。 特别地，水溶性聚合物包括含有亲水性单体单元的均聚物或至少两种亲水性单体单元的共聚物。 该树脂组合物包含50-99重量％的含醇或碱的水溶液和1-50重量％的水溶性聚合物。
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