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    반도체 조립용 접착 테이프
    1.
    发明申请
    반도체 조립용 접착 테이프 审中-公开
    胶带用于组装半导体

    公开(公告)号：WO2013085277A1

    公开(公告)日：2013-06-13

    申请号：PCT/KR2012/010478

    申请日：2012-12-05

    Applicant: 제일모직주식회사

    Inventor： 송규석 ,  호종필 ,  김상균 ,  전종철 ,  최재원

    IPC: H01L21/301

    CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/10 ,  C09J2201/28 ,  C09J2203/326 ,  H01L2221/68327

    Abstract: 본 발명의 반도체 조립용 접착 테이프는, 이형필름, 상기 이형필름 상에 형성된 원형 모양의 접착층, 상기 접착층을 덮고 상기 접착층의 주위에서 상기 이형필름에 접촉하도록 설치된 원형 모양의 점착필름, 및 상기 이형필름의 길이 방향의 양단부에 연속적으로 형성된 패턴 점착필름을 포함하며, 상기 패턴 점착필름 아래에 상기 접착층과 동일한 두께의 패턴 접착층이, 상기 접착층 원주의 폭방향 접선과 이웃하는 접착층 원주의 폭방향 접선 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

    Abstract translation: 本发明的半导体装配用胶带包括：剥离膜; 形成在剥离膜上的圆形粘合剂层; 覆盖粘合剂层的圆形粘合膜，设置成与粘合剂层附近的剥离膜接触; 以及在剥离膜的长度方向上的两端连续形成的图案粘合膜，其中，在图案粘合膜下形成与粘合剂层相同厚度的图案粘合剂层，位于图案粘合剂膜之间的宽度方向切线 粘合剂层的周长和相邻粘合剂层的圆周上的宽度方向切线。

    감광성 수지막의 제조 방법, 및 그 제조 방법에 의해 제조된 감광성 수지막
    3.
    发明公开
    감광성 수지막의 제조 방법, 및 그 제조 방법에 의해 제조된 감광성 수지막 有权
    用相同方法制造感光树脂薄膜和感光树脂薄膜的方法

    公开(公告)号：KR1020150028583A

    公开(公告)日：2015-03-16

    申请号：KR1020130107398

    申请日：2013-09-06

    Applicant: 제일모직주식회사

    Inventor： 김상수 ,  강진희 ,  김대윤 ,  김상권 ,  김상균 ,  김용태 ,  박은비 ,  송재환 ,  이범진 ,  홍충범 ,  황인철

    IPC: G03F7/039 ,  G03F7/028 ,  G03F7/40

    CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/028 ,  G03F7/40 ,  Y10S430/1055

    Abstract: (A) 알칼리 가용성 수지, 가교제, 광산 발생제, 및 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 단계; (B) 상기 도포된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 건조한 후, 150℃ 내지 200℃에서 사전 가열하는 단계(Pre baking); (C) 상기 사전 가열 후 노광하는 단계; (D) 상기 노광 후 현상하는 단계; 및 (E) 상기 현상 후 경화하는 단계를 포함하는 감광성 수지막의 제조 방법, 및 상기 방법에 따라 제조된 감광성 수지막을 제공한다.

    Abstract translation: 本发明提供一种感光性树脂薄膜和通过该感光性树脂薄膜制造的感光性树脂薄膜的制造方法，其特征在于，包括以下工序：（A）涂布含有碱溶性树脂的正型感光性树脂组合物， 药剂，光致酸产生剂和溶剂; （B）将涂布的正型感光性树脂组合物干燥并在150〜200℃下进行预烘烤; （C）加热并将其暴露于光; （D）发展; 和（E）硬化相同。

    실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법
    9.
    发明公开
    실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权
    用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物，用于制造基于二氧化硅的绝缘层的组合物的方法，基于二氧化硅的绝缘层以及用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法

    公开(公告)号：KR1020120080383A

    公开(公告)日：2012-07-17

    申请号：KR1020110001802

    申请日：2011-01-07

    Applicant: 제일모직주식회사

    Inventor： 임상학 ,  김봉환 ,  오정강 ,  곽택수 ,  배진희 ,  윤희찬 ,  한동일 ,  김상균 ,  이진욱

    IPC: H01B3/46 ,  H01B17/62 ,  C08L83/04

    CPC classification number: C08G77/54 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L28/40

    Abstract: PURPOSE: A composition for forming a silica-based insulation layer is provided to remarkably reduce defects in the silica based insulation layer, thereby capable of improving gap-fill performance, insulative performance required for the silica-based insulation layer. CONSTITUTION: A composition for forming a silica-based insulation layer comprises hydrogenated polysiloxazane comprising a moiety in chemical formula 1, and a moiety in chemical formula 2, and has chlorine content of 1 ppm or less. In chemical formulas R1-R7 is respectively hydrogen, a substituted or unsubstituted C1-30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3-30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6-30 aryl group, a substituted or unsubstituted C7-30 arylalkyl group, a substituted or unsubstituted C1-30 heteroalkyl group, a substituted or unsubstituted C2-30 heterocycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C2-30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted alkoxy group, a substituted or unsubstituted carbonyl group, hydroxy group, or combinations thereof, and at least one of R1-R7 is hydrogen.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物，以显着减少二氧化硅基绝缘层的缺陷，从而能够提高二氧化硅基绝缘层所需的间隙填充性能，绝缘性能。 构成：用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物包含氢化聚硅氧氮烷，其包含化学式1的部分和化学式2的部分，并且氯含量为1ppm以下。 在化学式中，R 1 -R 7分别是氢，取代或未取代的C 1-30烷基，取代或未取代的C 3-30环烷基，取代或未取代的C 6-30芳基，取代或未取代的C 3-30芳基烷基， 取代或未取代的C1-30杂烷基，取代或未取代的C2-30杂环烷基，取代或未取代的C2-30烯基，取代或未取代的烷氧基，取代或未取代的羰基，羟基或其组合 ，R 1 -R 7中的至少一个为氢。

    레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법
    10.
    发明公开
    레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 有权
    使用相同的底层组合物和制造集成电路装置的方法

    公开(公告)号：KR1020110079195A

    公开(公告)日：2011-07-07

    申请号：KR1020090136179

    申请日：2009-12-31

    Applicant: 제일모직주식회사

    Inventor： 김미영 ,  김상균 ,  조현모 ,  고상란 ,  윤희찬 ,  정용진 ,  김종섭

    IPC: G03F7/11 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/0752 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  C08L83/06 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332 ,  G03F7/091

    Abstract: PURPOSE: A resist sublayer composition and a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit using the same are provided to easily control the surface of a hydrophilic characteristic or the hydrophobic characteristic by increasing the content of silicon without a silane compound. CONSTITUTION: A resist sublayer composition includes a solvent and an organic silane-based polycondensate containing a structural unit represented by chemical formula 1. In the chemical formula 1, the ORG is selected from a group including C6 to C30 functional group containing substituted or non-substituted aromatic ring, C1 to C12 alkyl group, and Y-(Si(OR)_3)_a. The R is C1 to C6 alkyl group. The Y is linear or branched substituted or non-substituted C1 to C20 alkylene group, or substituted alkylene group. The a is 1 or 2. The Z is selected from a group including hydrogen and C1 to C6 alkyl group.

    Abstract translation: 目的：提供抗蚀剂亚层组合物和使用其的半导体集成电路的制造方法，通过增加不含硅烷化合物的硅含量，容易地控制亲水性特性或疏水性表面。 构成：抗蚀剂亚层组合物包含溶剂和含有由化学式1表示的结构单元的有机硅烷类缩聚物。在化学式1中，ORG选自含有取代或未取代的C6〜C30官能团的基团， 取代芳环，C1〜C12烷基，Y-（Si（OR）_3）_a。 R为C1至C6烷基。 Y是直链或支链取代或未取代的C1至C20亚烷基或取代的亚烷基。 a为1或2.Z选自包括氢和C 1至C 6烷基的基团。

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