Abstract:
A liquid epoxy resin composition for underfilling a semiconductor device, and a semiconductor device using the composition are provided to improve interlayer filling property, curing property and the storage stability at a room temperature. A liquid epoxy resin composition comprises an epoxy resin having at least two epoxy groups in a molecule; a curing agent; and a curing accelerator, wherein the curing accelerator comprises a curing accelerator whose surface is coated with a thermoplastic resin and which has a diameter of 10 micrometers or less. Preferably the curing accelerator is an imidazole-based catalyst represented by the formula 1, wherein R1 to R4 are independently H, a methyl group, an ethyl group, a phenyl group, a cyanoethyl group, a benzyl group or a hydroxyl group.
Abstract:
Provided is an epoxy resin composition for the package of a semiconductor device which is excellent in flame retardancy, moisture resistance, adhesion, bending property and reliance. The epoxy resin composition comprises an epoxy resin which is at least one epoxy compound of the benzimidine-based structure containing a xyloc or biphenyl derivative represented by the formula 1, 2 or 3; a curing agent which is at least one selected from novolac type, xyloc type, multifunctional, polyaromatic, naphthalene type and dicyclopentadiene type phenol resins; a curing accelerator; and 70-92 wt% of an inorganic filler, wherein R1, R4, R5, R8, R9, R10, R11 and R12 are H, an alkyl group or an aryl group; R2, R3, R6 and R7 are H, an alkyl group or an aryl group and can contain 1-2 epoxy groups; a1, d1, a2, d2, a3, b3, c3 and d3 are an integer of 1-4; and b1, c1, b2 and c2 are an integer of 1-5.
Abstract:
Provided is an epoxy resin composition for encapsulating semiconductor devices, which shows an improved adhesion to a Cu lead frame, Ni-plated Cu lead frame and Ni/Pd-plated and Ag/Au-plated Cu lead frame, and thus increases the reliability of a semiconductor package. The epoxy resin composition for encapsulating semiconductor devices comprises an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerant, an inorganic filler and a coupling agent, wherein the coupling agent includes a pyrrole-based silane coupling agent represented by the following formula 1. In the formula 1, R1 is a C1-C3 alkoxy group. The pyrrole-based silane coupling agent and the inorganic filler are used in an amount of 0.01-1 wt% and 82-92 wt%, respectively, based on the total weight of the epoxy resin composition.
Abstract:
본 발명은 재작업이 가능한 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물에 대한 것으로, 보다 상세하게는 저점도 액상 에폭시수지를 사용하여 우수한 유동성에 의한 양호한 간극 충진성을 가지며, 저응력화를 위한 액상 페놀노볼락 경화제의 사용으로 조성물의 열응력 완충 성능을 개선함으로서, 패키지의 신뢰성을 향상시키고. 선형 에폭시 수지를 이용하여 고온에서의 저응력화를 달성하여 재작업이 가능한 반도체 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 에폭시 수지 40∼70중량%, 선형 에폭시 수지 10~30중량%, 경화제 10∼45중량% 및 경화촉매 1∼15중량%를 포함하며, 경우에 따라 무기충진재를 사용하며, 점도가 500~20,000인 것을 특징으로 한다. 재작업, 액상에폭시, 저점도, 언더필, 저응력화, 비스페놀, 페놀노볼락, 선형에폭시
Abstract:
본 발명은 재작업이 가능한 고신뢰성 반도체 소자 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물에 대한 것으로, 보다 상세하게는 저점도 액상 에폭시수지를 사용하여 우수한 유동성에 의한 양호한 간극 충진성을 가지며, 저응력화를 위한 액상 페놀노볼락 경화제의 사용으로 조성물의 열응력 완충 성능을 개선하고, 무기 충진재를 사용함으로서, 패키지의 신뢰성을 향상시키고. 선형 에폭시 수지를 이용하여 고온에서의 저응력화를 달성하여 재작업이 가능한 반도체 언더필용 액상 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 에폭시 수지 10∼45중량%, 선형 에폭시 수지 5~20중량%, 경화제 10∼45중량%, 경화촉매 1∼5중량%, 및 무기충진재 20∼60중량%를 포함하며, 점도가 2,000∼50,000 cps인 것을 특징으로 한다. 재작업, 액상 에폭시, 저점도, 언더필, 저응력화, 비스페놀, 페놀노볼락, 선형에폭시, 무기충진재
Abstract:
본 발명의 반도체 소자 언더필용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 저점도 에폭시 수지, 알킬화 페놀-노볼락 경화제, 경화촉매, 폴리실록산-에폭시 혼성수지, 실란커플링제 및 무기충진재를 포함하여 충진 속도 및 경화시간이 빠르며 흡습성이 낮고 에폭시수지와 무기충진재인 실리카의 접속력이 우수하여 공정성 및 신뢰성이 향상된 반도체 소자 언더필용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다. 반도체 소자, 언더필, 알킬화 페놀-노볼락 경화제, 폴리실록산-에폭시 혼성수지, 무기충진재
Abstract:
본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 비페닐 유도체를 포함하는 노블락 구조의 페놀류 화합물과 4,4'-디히드록시 비페닐의 혼합물을 글리시딜 에테르화시켜 생성되는 변성 에폭시 수지(1) 4.3~11.8 중량%; 경화제로서 비페닐 유도체를 포함하는 페놀 수지와 트리페닐 메탄형 페놀수지의 블록 공중합형 페놀 수지(2) 1.9~8.3 중량%; 경화촉진제(3) 0.1~0.5 중량%; 및 무기 충전제(4) 73~92 중량%;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 의하면, 반도체 소자 패키지 성형시 고유동 특성을 나타내며, 수분의 흡수가 낮고 내열성이 우수할 뿐만 아니라 인체나 기기에 유해한 할로겐계, 삼산화 안티몬 등의 난연제를 함유하지 않으면서도 난연성, 신뢰성 및 성형성이 우수한 특징이 있다. 반도체소자, 비페닐(biphenyl), 변성에폭시, 블록공중합, 난연성
Abstract:
본 발명은 우수한 내-땜납성을 가짐과 동시에 은 도금을 한 구리 리드 프레임, 또는 니켈 도금 및 팔라듐 도금 후 은 및/또는 금 도금을 한 구리 리드 프레임과의 부착성이 우수한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로서, 에폭시 수지, 경화제, 경화촉진제, 실란커플링제 및 무기충전재들을 포함하는 에폭시 수지 조성물에 있어서, 실란커플링제로서 황 함유 커플링제를 포함하고, 부착력 향상 첨가제로서 2-머캅토벤즈이미다졸을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다. 반도체 소자, 부착력, PPF, 신뢰성, 첨가제, 황 함유 커플링제
Abstract:
본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 대한 것으로, 보다 상세하게는 에폭시 수지, 경화제, 경화촉진제, 변성실리콘 오일, 및 무기 충전제를 필수성분으로 하여 이루어지는 에폭시 수지 조성물에 있어서, 난연제로서 징크보레이트 및 하이드로탈사이트가 첨가된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이며, 본 발명에 의해 할로겐화 난연제를 사용하지 않고도 우수한 난연성을 달성함과 동시에 성형성 및 신뢰성면에서도 우수한 특성을 나타내는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 에폭시 수지, 경화제, 경화촉진제, 무기충전제, 착색제 및 첨가제로 이루어지는 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 에폭시 수지로 하기 화학식 1 또는 2로 나타낼 수 있는 에폭시 수지를 5 내지 25중량% 사용하고, 상기 무기충전제로 실리카를 사용하되 실리카의 일부를 수산화알루미늄 1 내지 10중량%로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 메탄기를 갖지않는 에폭시 수지를 사용하고 할로겐화합물이 포함된 난연제를 사용하지 않음로써 공해방지 효과 및 난연제를 사용하지 않고도 우수한 난연효과를 발현할 수 있는 잇점을 갖는다. 화학식 1