Abstract:
본 발명은 각종 고분자 수지 제품 또는 수지층 상에 단순화된 공정으로 미세한 도전성 패턴을 형성할 수 있게 하며, 다양한 색상 구현 등의 당업계의 요구를 보다 효과적으로 충족할 수 있게 하는 도전성 패턴 형성용 조성물 및 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체에 관한 것이다. 상기 도전성 패턴 형성용 조성물은 고분자 수지; 및 소정의 화학 구조를 갖는 비도전성 금속 화합물을 포함하고, 전자기파 조사에 의해 상기 비도전성 금속 화합물로부터 금속핵이 형성되는, 전자기파 조사에 의한 도전성 패턴 형성용 조성물로 될 수 있다.
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본 발명은 각종 고분자 수지 제품 또는 수지층 상에 단순화된 공정으로 미세한 도전성 패턴을 형성할 수 있게 하며, 다양한 색상 구현 등의 당업계의 요구를 보다 효과적으로 층족할 수 있게 하는 도전성 패턴 형성용 조성물 및 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체에 관한 것이다.
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본 발명은 각종 고분자 수지 제품 또는 수지층 상에 매우 단순화된 공정으로 미세한 도전성 패턴을 형성할 수 있게 하는 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체에 관한 것이다. 상기 도전성 패턴 형성용 조성물은 고분자 수지; 및 화폐 금속 원소 [coinage metal element, 11족 (IB족)] 및 비금속 원소를 포함하고: 상기 11족 금속 원소를 포함한 4면체들이 서로 꼭지점을 공유하는 형태로 3차원적으로 연결된 입체 구조를 갖는 비도전성 금속 화합물; 을 포함하고, 전자기파 조사에 의해, 상기 비도전성 금속 화합물로부터, 상기 11족 금속 원소 또는 그 이온을 포함하는 금속핵이 형성되는 것이다.
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본 발명은 각종 고분자 수지 제품 또는 수지층 상에 매우 단순화된 공정으로 미세한 도전성 패턴을 형성할 수 있게 하는 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체에 관한 것이다. 상기 도전성 패턴 형성용 조성물은 고분자 수지; 및 제 1 금속 및 제 2 금속을 포함하는 소정의 비도전성 금속 화합물로서, 상기 제 1 및 제 2 금속 중 적어도 1종의 금속을 포함하고 모서리를 공유하는 8면체들이 서로 2차원적으로 연결된 구조를 갖는 복수의 제 1 층(edge-shared octahedral layer)과, 상기 제 1 층과 다른 종류의 금속을 포함하고 서로 인접하는 제 1 층 사이에 배열된 제 2 층을 포함하는 입체 구조를 갖는 비도전성 금속 화합물;을 포함하고, 전자기파 조사에 의해, 상기 비도전성 금속 화합로부터 상기 제 1 또는 제 2 금속이나 그 이온을 포함하는 금속핵이 형성되는 것이다.
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본 발명은 구형의 질화알루미늄 분말을 제조하기 위한 방법으로서, (i) A1-전구체, 및 플럭스 (Flux)를 용매 하에서 흔합하여 흔합 용액을 제조하는 과정; (ii)상기 과정 (i)에서 제조되는 흔합 용액을 분무건조하는 과정; (iii) 상기 분무건조된 건조분말을 카본계 물질과 흔합하는 과정; (iv) 상기 과정 (iii)의 흔합물을 질소 분위기 하에서 열처리하는 과정; 및 (V) 상기 과정 (iv)의 열처리 화합물을 공기 분위기 하에서 탈탄소 처리하는 과정;을 포함하고, 상기 플럭스는, Cu20, Ti02, Bi203, 및 CuO로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상; 또는 Cu 2 O, TiO 2 , Bi 2 O 3 , 및 CuO로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상과 CaF 2 , 및 Y 2 O 3 로 이루어잔 군에서 선택되는 1종 이상의 흔합물인 구형의 질화알루미늄 분말의 제조방법을 제공한다.
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본 발명은 알루미노실리케이트 입자를 포함한 고무 보강재 및 이를 포함한 타이어용 고무 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 고무 보강재는 고무 조성물 내에서 우수한 분산성과 그에 따른 보강 효과를 나타내어 고효율 및 고연비 특성이 요구되는 친환경 타이어에 적합하게 사용될 수 있다.
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본 발명은 각종 고분자 수지 제품 또는 수지층 상에 단순화된 공정으로 미세한 도전성 패턴을 형성할 수 있으며, 우수한 방열 특성을 나타내는 도전성 패턴 형성용 조성물 및 도전성 패턴을 가지는 수지 구조체에 관한 것이다. 상기 도전성 패턴 형성용 조성물은 고분자 수지; 특정 화학식을 가지는 비도전성 금속 화합물; 및 방열 소재를 포함하며, 전자기파 조사에 의해 상기 비도전성 금속 화합물로부터 금속핵이 형성되는 것이다.
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본 발명은 각종 고분자 수지 제품 또는 수지층 상에, 단순화된 공정으로 미세 도전성 패턴을 형성할 수 있게 하면서, 상기 수지 제품 또는 수지층에 우수한 난연성을 부여할 수 있는 도전성 패턴 형성용 조성물 및 이를 사용해 얻어지는 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체에 관한 것이다. 상기 도전성 패턴 형성용 조성물은 고분자 수지; 제 1 금속 및 제 2 금속을 포함하고 혹은 P63/mmc 공간군 구조를 갖는 비도전성 금속 화합물; 및 난연제를 포함하고, 전자기파 조사에 의해, 상기 비도전성 금속 화합물로부터, 상기 제 1 또는 제 2 금속이나 그 이온을 포함하는 금속핵이 형성되는 것으로 될 수 있다.
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본 발명은 특수한 무기 첨가제를 고분자 수지 자체에 포함시키지 않고도, 각종 고분자 수지 제품 또는 수지층 상에 단순화된 공정으로 미세한 도전성 패턴을 형성할 수 있게 하는 전자기파의 직접 조사에 의한 도전성 패턴의 형성 방법과, 이로부터 형성된 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체에 관한 것이다. 상기 전자기파의 직접 조사에 의한 도전성 패턴의 형성 방법은 고분자 수지 기재에 선택적으로 전자기파를 조사하여 소정의 표면 거칠기를 갖는 제 1 영역을 형성하는 단계; 고분자 수지 기재 상에 전도성 시드(conductive seed)를 형성하는 단계; 전도성 시드가 형성된 고분자 수지 기재를 도금하여 금속층을 형성하는 단계; 및 제 1 영역보다 작은 표면 거칠기를 갖는 고분자 수지 기재의 제 2 영역에서 상기 전도성 시드 및 금속층을 제거하는 단계를 포함하는 것이다.
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본 발명은 각종 고분자 수지 제품 또는 수지층 상에 매우 단순화된 공정으로 미세한 도전성 패턴을 형성할 수 있게 하는 도전성 패턴 형성용 조성물, 이를 사용한 도전성 패턴 형성 방법과, 도전성 패턴을 갖는 수지 구조체에 관한 것이다. 상기 도전성 패턴 형성용 조성물은 고분자 수지; 및 제 1 금속, 제 2 금속 및 제 3 금속을 포함하는 비도전성 금속 화합물로서, 상기 제 1 금속, 제 2 금속 및 제 3 금속 중 2종의 금속을 포함하고 모서리를 공유하는 8면체들이 서로 2차원적으로 연결된 구조를 갖는 복수의 제 1 층(edge-shared octahedral layer)과, 상기 제 1 층과 다른 종류의 금속을 포함하고 서로 인접하는 제 1 층 사이에 배열된 제 2 층을 포함하는 입체 구조를 갖는 비도전성 금속 화합물을 포함하고, 전자기파 조사에 의해, 상기 비도전성 금속 화합물로부터, 상기 제 1 금속, 제 2 금속 또는 제 3 금속이나 그 이온을 포함하는 금속핵이 형성되는 것이다.