公开(公告)号：KR1020080075330A

公开(公告)日：2008-08-18

申请号：KR1020070014346

申请日：2007-02-12

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 윤순길 ,  성낙진 ,  전상용

IPC: H01L21/205 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B05D3/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45565 ,  H05K3/146

Abstract: A chemical vapor deposition method performed on a flexible polymer substrate is provided to deposit a dielectric film on the flexible polymer substrate without heating up the substrate by performing a CVD process at room temperature. A source vapor, which is vaporized by a vaporizer, is heated, such that the source vapor is thermally decomposed in a shower head, which is arranged in a reaction chamber, and the source vapor is turned into a nano-sized single phase material. The nano-sized single phase source vapor is deposited on a flexible polymer substrate, which is not heated in the reaction chamber. The source vapor is a mixture of bismuth and niobium and heated to a temperature between 220 and 270 °C in the shower head. A temperature of the flexible polymer substrate lies between 40 and 60 °C.

Abstract translation: 提供在柔性聚合物基材上进行的化学气相沉积方法，以在柔性聚合物基材上沉积电介质膜，而不通过在室温下进行CVD工艺来加热基板。 被汽化器蒸发的源蒸气被加热，使得源蒸汽在布置在反应室中的喷淋头中热分解，并且源蒸气变成纳米尺寸的单相材料。 纳米尺寸的单相源蒸气沉积在柔性聚合物基底上，其在反应室中不被加热。 源蒸气是铋和铌的混合物，并在淋浴头中加热到220和270℃之间的温度。 柔性聚合物基材的温度为40-60℃。

公开(公告)号：KR1020080029113A

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：KR1020060094695

申请日：2006-09-28

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 윤순길 ,  성낙진 ,  이우성

IPC: H01L27/105

Abstract: A method for fabricating a titanium oxide-based diluted magnetic semiconductor thin film of a super-lattice structure having ferromagnetic properties at room temperature is provided to prevent presence of a precipitation within a super-lattice thin film. An epitaxial growth process includes a process for growing epitaxially a Ti1-xFexO2-delta thin film and a Ti1-yMnyO2-delta thin film on a single crystalline substrate. The Ti1-xFexO2-delta thin film and the Ti1-yMnyO2-delta thin film are formed by substituting Fe and Mn at a Ti lattice position. The single crystalline substrate is an Al2O3 substrate. A crystalline structure of a diluted magnetic semiconductor thin film is a rutile structure. The thickness of the Ti1-xFexO2-delta thin film or the thickness of the Ti1-yMnyO2-delta thin film is 0.15 to 0.6.

Abstract translation: 提供了一种在室温下制造具有铁磁特性的超晶格结构的基于氧化钛的稀释磁性半导体薄膜的方法，以防止在超晶格薄膜内析出。 外延生长工艺包括在单晶衬底上外延生长Ti1-xFexO2-δ薄膜和Ti1-yMnyO2-δ薄膜的工艺。 通过在Ti晶格位置取代Fe和Mn来形成Ti1-xFexO2-δ薄膜和Ti1-yMnyO2-δ薄膜。 单晶衬底是Al 2 O 3衬底。 稀释的磁性半导体薄膜的晶体结构是金红石结构。 Ti1-xFexO2-δ薄膜的厚度或Ti1-yMnyO2-δ薄膜的厚度为0.15至0.6。

公开(公告)号：KR100857590B1

公开(公告)日：2008-09-09

申请号：KR1020070014346

申请日：2007-02-12

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 윤순길 ,  성낙진 ,  전상용

IPC: H01L21/205 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B05D3/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45565 ,  H05K3/146

Abstract: 본 발명은, (A) 증발기에 의해 증기화된 소스증기를 반응챔버 내에 있는 샤워헤드에서 열분해 되도록 가열하여 나노크기의 단일상(single phase)으로 변환시키는 단계와 (B) 상기 나노크기의 단일상으로 된 소스증기를 반응챔버 내의 별도로 가열되지 않는 연성 폴리머 기판에 증착하는 단계를 포함하는 상온 연성 폴리머 기판위에 화학증착법에 관한 것이다.
증착, 화학증착, 연성 기판, 폴리머 기판, 단일상, 분사장치

公开(公告)号：KR100851632B1

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：KR1020060094695

申请日：2006-09-28

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 윤순길 ,  성낙진 ,  이우성

IPC: H01L27/105

Abstract: 본 발명은 상온에서 자성 반도체의 특성을 나타내는 초격자 박막구조의 TiO
2 계 묽은 자성 반도체 박막 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 Ti 격자 위치에 Fe와 Mn이 각각 치환된 Ti
1-x Fe
x O
2-δ (0 1-y Mn
y O
2-δ (0 2 계 묽은 자성 반도체 박막 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 TiFeO/TiMnO 초격자 박막은 초격자 박막내에 석출물이 존재하지 않아 상온에서도 강자성 특성을 나타내는 묽은 자성 반도체로서, 이를 이용한 magnetic tunneling junction (MTJ) 및field-effect transistor (FET) 소자응용에 활용할 수 있다.
스핀트로닉스, 자성 반도체, 초격자, 박막구조, 티타늄 옥사이드, 증착