公开(公告)号：KR20210033624A

公开(公告)日：2021-03-29

申请号：KR1020190115125A

申请日：2019-09-19

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 이가원 ,  정준교 ,  송현석 ,  조서연 ,  신동민

IPC: G11C14/00

CPC classification number: G11C14/0063 ,  G11C11/412

Abstract: 본 발명은 6T SRAM(Static random access memory)의 휘발성(Volatile) 특성을 개선하여 동작 속도가 빠르면서 전원이 차단된 후에도 정보가 사라지지 않고 유지되는 플래시메모리 기반의 6T 비휘발성 SRAM 및 그 동작 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 플래시메모리 기반의 6T 비휘발성 SRAM은 제1 인버터, 제2 인버터, 제1 패스 게이트(pass gate) 및 제2 패스 게이트(pass gate)를 포함한다. 상기 제1 인버터는 제1 풀업(pull up) 트랜지스터에 연결되는 제1 풀다운(pull down) 트랜지스터로 형성된다. 또한, 상기 제2 인버터는 제2 풀업(pull up) 트랜지스터에 연결되는 제2 풀다운(pull down) 트랜지스터로 형성된다. 또한, 상기 제1 패스 게이트(pass gate)는 상기 제1 인버터의 출력과 비트라인바 노드 사이에 연결되는 비휘발성(Non-volatile) 메모리 소자로 이루어진다. 또한, 상기 제2 패스 게이트(pass gate)는 상기 제2 인버터의 출력과 비트라인 노드 사이에 연결되는 비휘발성(Non-volatile) 메모리 소자로 이루어진다.

公开(公告)号：KR102222813B1

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：KR1020190115122

申请日：2019-09-19

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 이가원 ,  정준교 ,  송현석 ,  조서연 ,  신동민

IPC: H01L27/11 ,  G11C11/412

Abstract: 본발명은 6T SRAM(Static random access memory)의휘발성(Volatile) 특성과낮은집적도를개선하여동작속도가빠르면서전원이차단된후에도정보가사라지지않고유지되며, 고집적도를갖는 3차원플래시메모리가도입된 6T 비휘발성 SRAM에관한것이다. 본발명에따른 3차원플래시메모리가도입된 6T 비휘발성 SRAM은기판상에 3차원으로적층되는리피트(Repeat) 블록과억세스블록을포함할수 있다. 상기리피트블록은제1 인버터와제2 인버터가인버터래치(latch)를이루어기판상에형성된다. 또한, 상기제1 인버터는제1 풀업(pull up) 트랜지스터에연결되는제1 풀다운(pull down) 트랜지스터(220)로형성된다. 또한, 제2 인버터는제2 풀업(pull up) 트랜지스터에연결되는제2 풀다운(pull down) 트랜지스터로형성된다. 또한, 상기억세스블록은두 개의비휘발성(Non-volatile) 메모리소자로이루어져상기리피트블록상에수직으로적층된다. 또한, 상기억세스블록은제1 인버터의출력과비트라인노드사이에연결되는제1 억세스트랜지스터(Access Transistor)와, 상기제2 인버터의출력과비트라인바노드사이에연결되는제2 억세스트랜지스터(Access Transistor)를포함할수 있다.