公开(公告)号：KR101678776B1

公开(公告)日：2016-11-22

申请号：KR1020150051835

申请日：2015-04-13

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 정광석 ,  이가원 ,  엄기윤

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/314 ,  H01L27/32

Abstract: 본발명의박막트랜지스터제조방법은기판의상면에게이트절연층을형성하는절연층형성단계, 상기게이트절연층의상면에열 원자증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 방법을이용하여, 증착온도를연속적으로변화시키며액티브층을증착하는액티브층증착단계, 상기게이트절연층의하면에게이트전극을형성하는제 1 전극형성단계및 상기액티브층의상면에, 티타늄(Ti)을포함하는금속을증착하여소스전극및 드레인전극을상기액티브층과일부중첩되도록형성하는제 2 전극형성단계를포함하여마련된다. 상기의본 발명의박막트랜지스터제조방법에의해제조된박막트랜지스터는액티브층및 게이트절연층의결함밀도를줄일수 있으며, 높은전압의게이트바이어스에서도, 본발명의액티브층은 Vth의변동폭이낮으므로, 전기적안정성이종래의일반적인박막트랜지스터에비해개선되었다.

公开(公告)号：KR1020160121942A

公开(公告)日：2016-10-21

申请号：KR1020150051835

申请日：2015-04-13

Applicant: 충남대학교산학협력단

Inventor： 정광석 ,  이가원 ,  엄기윤

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/314 ,  H01L27/32

Abstract: 본발명의박막트랜지스터제조방법은기판의상면에게이트절연층을형성하는절연층형성단계, 상기게이트절연층의상면에열 원자증착(Atomic Layer Deposition, ALD) 방법을이용하여, 증착온도를연속적으로변화시키며액티브층을증착하는액티브층증착단계, 상기게이트절연층의하면에게이트전극을형성하는제 1 전극형성단계및 상기액티브층의상면에, 티타늄(Ti)을포함하는금속을증착하여소스전극및 드레인전극을상기액티브층과일부중첩되도록형성하는제 2 전극형성단계를포함하여마련된다. 상기의본 발명의박막트랜지스터제조방법에의해제조된박막트랜지스터는액티브층및 게이트절연층의결함밀도를줄일수 있으며, 높은전압의게이트바이어스에서도, 본발명의액티브층은 Vth의변동폭이낮으므로, 전기적안정성이종래의일반적인박막트랜지스터에비해개선되었다.

Abstract translation: 根据本发明的制造薄膜晶体管的方法包括：在衬底的顶表面上形成绝缘层;通过使用原子层沉积（ALD）在栅绝缘层的顶表面上形成绝缘层， 在栅绝缘层上形成栅电极，并在有源层上沉积包括钛（Ti）的金属以在有源层上形成源电极和漏电极， 以及第二电极形成步骤，形成漏电极以部分地与有源层重叠。 通过的本发明制造的薄膜晶体管的薄膜晶体管的制造方法可以降低在有源层和栅极绝缘层中的缺陷密度，在高电压的栅极偏置，本发明的活性层，因为Vth变化的，是低的， 与常规薄膜晶体管相比，电稳定性得到改善。