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公开(公告)号：WO2010150962A1
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：PCT/KR2010/000870
申请日：2010-02-11
IPC: F03G7/08
CPC classification number: F03G7/08
Abstract: 본 발명은 일정거리 이격되어 평행하게 배치되는 제1 부재와 제2 부재; 상기 제1 및 제2 부재 각각에 양단이 결합되는 제1 형상기억합금소자; 상기 제1 및 제2 부재 각각에 양단이 결합되며, 상기 제1 형상기억합금소자와 교차해서 배치된 제2 형상기억합금소자; 및 상기 제1 및 제2 부재 각각에 양단이 결합되는 스프링;을 포함하는 형상기억합금 엑츄에이터에 관한 것이다. 본 발명은 이러한 구성에 의해서, 엑츄에이터가 작동되는 순간에만 전원이 필요하다는 장점이 있어서 전원을 절약할 뿐 아니라 엑츄에이터 반응속도가 빨라지는 장점이 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用形状记忆合金的致动器，包括：彼此间隔开并且彼此平行布置的第一构件和第二构件; 第一形状记忆合金，其两端分别联接到第一构件和第二构件; 第二形状记忆合金，其两端分别联接到第一构件和第二构件，并且与第一形状记忆合金相交; 以及弹簧，其两端分别联接到第一构件和第二构件。 本发明的如此构造的致动器的优点在于，仅在操作致动器时才需要动力，从而降低功率消耗并提高致动器的反作用速度。
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公开(公告)号：KR101651635B1
公开(公告)日：2016-08-29
申请号：KR1020140193414
申请日：2014-12-30
Applicant: 충남대학교산학협력단 , 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은스텐트(Stent)용, 임플란트(Implant)용또는카테터(Catheter)용의소재표면에반자성체를코팅한자기공명영상왜곡완화용생체소재및 이의제조방법에관한것으로, 본발명에따른자기공명영상왜곡완화용생체소재의제조방법은스텐트용, 임플란트용또는카테터용의소재표면에탄소질또는 Bi원소를포함하는반자성체코팅층을형성하는단계(1) 및상기반자성체코팅층상에생체적합표면개질층을형성하는단계(2)를포함한다.
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公开(公告)号：KR101411821B1
公开(公告)日：2014-06-24
申请号：KR1020120116012
申请日：2012-10-18
Applicant: 충남대학교산학협력단 , 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 기판에 회로 패턴을 형성하는 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 플라즈마 처리로 기판의 표면을 개질한 후 무전해 도금으로 회로 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 전도성이 우수한 회로 패턴을 간단하게 형성시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160080691A
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020140193414
申请日：2014-12-30
Applicant: 충남대학교산학협력단 , 한국과학기술연구원
CPC classification number: A61L27/303 , A61F2/82 , A61F2240/001 , A61L27/306 , A61L29/103
Abstract: 본발명은스텐트(Stent)용, 임플란트(Implant)용또는카테터(Catheter)용의소재표면에반자성체를코팅한자기공명영상왜곡완화용생체소재및 이의제조방법에관한것으로, 본발명에따른자기공명영상왜곡완화용생체소재의제조방법은스텐트용, 임플란트용또는카테터용의소재표면에탄소질또는 Bi원소를포함하는반자성체코팅층을형성하는단계(1) 및상기반자성체코팅층상에생체적합표면개질층을형성하는단계(2)를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及用于放松用于支架材料，植入物或导管的材料的表面上用反磁性材料涂覆的磁共振成像变形的生物材料及其制造方法。 用于放松磁共振成像变形的生物材料的制造方法包括以下步骤：（1）在用于支架，植入物或导管的材料的表面上形成包含碳或Bi元素的抗磁性材料涂层; 和（2）在抗磁性材料涂层上形成生物相容性表面改性层。
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公开(公告)号：KR101607519B1
公开(公告)日：2016-03-31
申请号：KR1020140160939
申请日：2014-11-18
Applicant: 충남대학교산학협력단 , 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은회로패턴형성방법에관한것으로, 기판위에마스크를배치하고, 마스크주변에촉매금속이나도전성금속과같은금속물질(Ag, Pt, Pd, Ir)을설치하는단계; 플라즈마를이용하여마스크에의해노출된기판의표면에금속물질미립자가부착된나노크기의요철구조를형성하는단계; 금속물질미립자가부착된나노크기의요철구조가형성된기판에무전해도금혹은전기도금을행하여금속회로패턴을형성하는단계를포함하는회로패턴형성방법을개시한다. 본발명에따른회로패턴형성방법은무전해도금이나전기도금을실시하기위해일반적으로행하여지는전처리과정(민감화처리, 활성화처리, 혹은전극층형성단계)을필요로하지않기때문에공정이단순하고경제적이며, 회로패턴을형성하기위한에칭공정이필요없어친환경적이며, 플라즈마처리시형성되는나노크기의요철구조에의해도금층과폴리머기판사이에우수한접착력을얻을수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及形成电路图案的方法。 公开了一种形成电路图案的方法。 该方法包括以下步骤：在衬底上布置掩模，并在掩模周围安装诸如金属材料（Ag，Pt，Pd，Ir）的催化剂金属或导电金属; 通过使用等离子体形成具有纳米尺寸的不均匀结构，其中金属材料颗粒附着在由掩模曝光的基板的表面上; 并且通过在其上附着有金属材料颗粒的具有纳米尺寸的不平坦结构的基板上进行无电镀或电镀形成金属电路图案。 根据本发明的形成电路图案的方法具有简单和经济的过程，因为该方法不需要进行无电镀或通常执行的预处理（致敏过程，激活过程或电极层形成步骤） 电镀。 形成电路图案的方法是环保的，因为该方法不需要蚀刻工艺来形成电路图案。 该方法可以通过在等离子体工艺中形成的具有纳米尺寸的不平坦结构，在镀层和聚合物基材之间获得优异的粘合强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140049782A
公开(公告)日：2014-04-28
申请号：KR1020120116012
申请日：2012-10-18
Applicant: 충남대학교산학협력단 , 한국과학기술연구원
Abstract: The present invention is a method for forming a circuit pattern on a substrate, and more specifically, to a method for forming a circuit pattern with an electroless plating process after the surface of the substrate is reformed by a plasma treatment. The present invention simply forms the circuit pattern with high conductivity.
Abstract translation: 本发明是在基板上形成电路图案的方法，更具体地说，涉及一种通过等离子体处理将衬底表面重新形成具有无电解电镀工艺的电路图案的方法。 本发明简单地形成具有高导电性的电路图案。
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公开(公告)号：KR101973387B1
公开(公告)日：2019-09-02
申请号：KR1020170057272
申请日：2017-05-08
Applicant: (주)에이원엔지니어링 , 충남대학교산학협력단
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公开(公告)号：KR1020170060676A
公开(公告)日：2017-06-02
申请号：KR1020150165048
申请日：2015-11-24
Applicant: 충남대학교산학협력단 , (주)에이원엔지니어링
Abstract: 본발명은폐주석으로부터주석을회수하는방법에관한것으로, 폐주석의금속조석제조단계; 철성분제거단계; 구리성분제거단계; 납성분제거단계; 아연성분제거단계; 침전물분리단계; 중화및 세척단계; 및여과및 건조가공단계를포함하는것을특징으로하는본 발명에따른폐주석으로부터주석을회수하는방법은처리비용이저렴하며, 정제시간이짧고, 사용되는시약의양이적은탁월한효과를나타낸다. 또한, 고순도의주석을수득할수 있어폐액처리비용, 시설투자비및 처리인력비용에비해효율이우수하며, 폐주석에함유된주석을추출하여산업자원으로재활용할수 있도록하는고순도의주석을제공하는탁월한효과를나타낸다.
Abstract translation: 涉及一种方法，用于从本发明覆盖锡回收锡，封闭锡金属潮汐制造步骤; 铁成分去除步骤; 铜成分去除步骤; 铅组分去除步骤; 锌成分除去工序; 沉淀分离步骤; 中和和洗涤步骤; 并过滤，为根据本发明的从废物中回收锡的锡，所述方法包括干法步骤是低和处理成本，短纯化时间，示出了少量的所用试剂的优异的效果。 此外，提供高纯度的锡，它可以给高纯度高于废液处理成本高效的锡的良好效果，设备投资和工艺人员费用yiwoosu，并提取包含在废锡锡工业资源回收 它代表。
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公开(公告)号：KR101055396B1
公开(公告)日：2011-08-08
申请号：KR1020090002986
申请日：2009-01-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/265 , C23C14/48
Abstract: 고체 이온의 플라즈마 이온주입을 가능하게 하는 고체 원소 플라즈마 이온주입 방법 및 장치가 개시된다. 이 장치 및 방법에 따르면, 진공조 내의 시료 장착대 위에 시료를 위치시키고, 진공조의 내부를 진공상태로 유지한다. 그리고, 진공조 내에 플라즈마화 할 가스를 공급하고, 박막증착을 위한 증착원에 제1 전력을 인가하여 고체 원소의 플라즈마 이온들을 발생한다. 증착원으로부터 스퍼터링되는 고체 원소의 플라즈마 이온들은 시료의 표면에 이온주입된다. 여기서 제1 전력은, 낮은 평균 전력을 유지하면서도 펄스가 인가되는 순간 높은 전력을 인가할 수 있는 펄스 직류 전력이다. 또한, 제1 전력을 인가함과 동시에, 시료 장착대에 제2 전력을 제공할 수 있는데, 제2 전력은 고체 원소의 플라즈마 이온들을 시료 측으로 가속시키며 펄스 직류 전력에 동기화된 고전압 펄스이다. 또한, 진공조 내에 유도결합 플라즈마를 발생하여, 고체 원소의 이온화율을 증가시키고 증착원의 작동 압력을 낮출 수 있다.
이온주입, 플라즈마 이온주입, 고체원소 이온주입, 펄스 직류 마그네트론, 고전압 펄스
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