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公开(公告)号:KR102074213B1
公开(公告)日:2020-02-06
申请号:KR1020180038229
申请日:2018-04-02
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L41/113 , G01L1/14 , H01L41/047 , H01L41/29
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公开(公告)号:KR102132646B1
公开(公告)日:2020-07-10
申请号:KR1020180173363
申请日:2018-12-31
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/033
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公开(公告)号:KR102037589B1
公开(公告)日:2019-11-26
申请号:KR1020180006205
申请日:2018-01-17
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L29/16 , H01L21/02 , H01L21/324
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公开(公告)号:KR101885854B1
公开(公告)日:2018-09-11
申请号:KR1020170068194
申请日:2017-06-01
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명에따른열식유량센서는박막, 상기박막의일측에구비되고상기박막에열을가하는가열부재및 상기박막의온도를측정하는온도측정부재가구비되는필름부; 상면이상기필름부의하면에결합되고, 일부가하부방향으로함몰된제1함몰공간이구비되는제1웨이퍼; 및상면이상기제1웨이퍼의하면에결합되고, 상기박막의변형을제한하는제1지지부재가구비되는제2웨이퍼; 를포함한다.
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公开(公告)号:KR102247767B1
公开(公告)日:2021-05-03
申请号:KR1020190179344
申请日:2019-12-31
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은 SiC MOSFET 제조방법에관한것이다. 보다구체적으로본 발명은, 트렌치(trench) 구조 MOSFET의제조방법에있어서, 기판(substrate)을형성하는단계, 상기기판상에드리프트층을형성하는단계, 상기기판과상기드리프트층에트렌치(trench)를형성하는단계, 상기형성된트렌치에비등방성(Anisotropic) 증착방식으로제 1 산화막을형성하는단계, 및상기제 1 산화막이형성된트렌치에등방성(Isotropic) 증착방식으로제 2 산화막을형성하는단계를포함하는것을특징으로하는, MOSFET의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号:KR1020200082622A
公开(公告)日:2020-07-08
申请号:KR1020180173370
申请日:2018-12-31
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/762 , H01L29/66
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公开(公告)号:KR1020200082616A
公开(公告)日:2020-07-08
申请号:KR1020180173363
申请日:2018-12-31
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/033
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