公开(公告)号：KR102140112B1

公开(公告)日：2020-08-03

申请号：KR1020180165072

申请日：2018-12-19

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 김성준 ,  신훈규 ,  김홍기 ,  강민재 ,  이남석

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L29/16 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78 ,  H01L21/04

公开(公告)号：KR102130364B1

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：KR1020180095487

申请日：2018-08-16

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 신훈규 ,  이남석 ,  강민재 ,  구상모 ,  오종민 ,  김성준 ,  김홍기

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

公开(公告)号：KR102132646B1

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：KR1020180173363

申请日：2018-12-31

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 김홍기 ,  신훈규 ,  이남석 ,  김성준 ,  강민재

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/033

公开(公告)号：KR102037589B1

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：KR1020180006205

申请日：2018-01-17

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 김성준 ,  강민재 ,  강민식 ,  이남석 ,  김홍기 ,  신훈규

IPC: H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

公开(公告)号：KR102166666B1

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：KR1020180173380

申请日：2018-12-31

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 김홍기 ,  김성준 ,  강민재 ,  신훈규 ,  이남석

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/36 ,  H01L21/324 ,  H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66

公开(公告)号：KR102149660B1

公开(公告)日：2020-08-31

申请号：KR1020180173377

申请日：2018-12-31

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 김홍기 ,  김성준 ,  강민재 ,  신훈규 ,  이남석

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/36 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66

公开(公告)号：KR102084085B1

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：KR1020180120918

申请日：2018-10-11

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 김성준 ,  신훈규 ,  김홍기 ,  강민재 ,  성민제 ,  이남석

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/324 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66

公开(公告)号：KR102013515B1

公开(公告)日：2019-08-22

申请号：KR1020180006177

申请日：2018-01-17

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 김성준 ,  강민재 ,  강민식 ,  이남석 ,  김홍기 ,  신훈규

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

公开(公告)号：KR102247767B1

公开(公告)日：2021-05-03

申请号：KR1020190179344

申请日：2019-12-31

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 노한솔 ,  신훈규 ,  이남석 ,  강민재 ,  김홍기 ,  김성준 ,  성민제

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은 SiC MOSFET 제조방법에관한것이다. 보다구체적으로본 발명은, 트렌치(trench) 구조 MOSFET의제조방법에있어서, 기판(substrate)을형성하는단계, 상기기판상에드리프트층을형성하는단계, 상기기판과상기드리프트층에트렌치(trench)를형성하는단계, 상기형성된트렌치에비등방성(Anisotropic) 증착방식으로제 1 산화막을형성하는단계, 및상기제 1 산화막이형성된트렌치에등방성(Isotropic) 증착방식으로제 2 산화막을형성하는단계를포함하는것을특징으로하는, MOSFET의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020200082622A

公开(公告)日：2020-07-08

申请号：KR1020180173370

申请日：2018-12-31

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 김홍기 ,  신훈규 ,  이남석 ,  김성준 ,  강민재

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/762 ,  H01L29/66