-
公开(公告)号：KR101814957B1
公开(公告)日：2018-01-04
申请号：KR1020170055462
申请日：2017-04-28
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: G08B21/10 , G01W1/02 , G08B21/182 , G08B27/00
Abstract: 본발명은재해발생가능성이있는장소에설치되는위험감지장치, 위험감지장치로부터이벤트정보를수신하고이벤트정보에근거하여푸쉬메시지를생성하는푸쉬메시지제공측의어플리케이션서버, 어플리케이션서버와네트워크를통해결합되는푸쉬서버, 및푸쉬서버와네트워크를통해연결되고유선또는무선장치로이루어진복수의사용자측단말을포함하는정보확산시스템을이용하여비상정보를확산하는방법이제공되고, 이방법은, 푸쉬알림을받고자하는복수의사용자측단말을푸쉬서버에등록하는단계; 상기어플리케이션서버가위험감지장치로부터검출된이벤트정보를수신하는단계; 상기어플리케이션서버가푸쉬서버로푸쉬메시지를생성하여전송하는단계; 및푸쉬서버에서등록된복수의사용자측단말에푸쉬메시지를전송하는단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明的危险检测装置的基础上，其安装在一个地方接收与所述应用服务器，应用服务器和用于产生推送消息的网络的推送消息服务侧组合从所述风险检测系统和事件信息中的事件信息，其中潜在的灾难 提供了一种使用信息传播系统传播紧急信息的方法，该信息传播系统包括连接到推送服务器的推送服务器和通过网络连接并由有线或无线设备组成的多个用户终端， 将多个用户侧终端注册到推送服务器; 由应用服务器接收从危险检测装置检测到的事件信息; 由应用服务器生成推送消息并将其发送到推送服务器; 并且向在推送服务器中注册的多个用户侧终端发送推送消息。
-
公开(公告)号：KR101615341B1
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：KR1020140101226
申请日：2014-08-06
Applicant: 주식회사 포스코 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L33/00
Abstract: 화합물반도체소자, 및이를제조하기위한웨이퍼본딩방법에관한것으로, 구체적으로는, 질화갈륨계반도체기판; 상기반도체기판상에형성된제 1 전도성확산방지층; 상기제 1 전도성확산방지층상에형성된금속접합층; 상기금속접합층상에형성된제 2 전도성확산방지층; 및상기제 2 전도성확산방지층상에위치하고, 니켈을함유하는강철기판;을포함하는화합물반도체소자를제공하는한편, 상기제 2 전도성확산방지층에의해, 상기니켈을함유하는강철기판및 상기금속접합층내 원소들의확산및/또는상기니켈을함유하는강철기판및 상기금속접합층사이의반응이제어되는것인웨이퍼본딩방법을제공할수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020140093340A
公开(公告)日：2014-07-28
申请号：KR1020130004376
申请日：2013-01-15
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/145 , H01L21/31116 , H01L33/06 , H01L33/42 , H01L2933/0008
Abstract: The present invention relates to a forming method of a current blocking layer and a manufacturing method of an LED using the same and, more specifically, to the manufacturing method of the LED which forms the current blocking layer (CBL) with an etching method instead of the insertion of a nonconductor material or the surface processing and has high light extraction efficiency. The forming method of the CBL according to the present invention comprises a step of forming a dry etching protection film having a pattern of an electrode type on a p-type semiconductor layer which is formed on the top of a semiconductor substrate, an n-type semiconductor layer, and an active layer which are laminated in order; a step of forming the CBL on the p-type semiconductor layer by dry-etching the p-type semiconductor layer; and a step of eliminating the dry-etching protection layer.
Abstract translation: 本发明涉及一种电流阻挡层的形成方法和使用该阻挡层的LED的制造方法，更具体地说，涉及通过蚀刻方法代替形成电流阻挡层（CBL）的LED的制造方法 插入非导体材料或表面处理，并具有高光提取效率。 根据本发明的CBL的形成方法包括在形成在半导体衬底的顶部上的p型半导体层上形成具有电极型图案的干蚀刻保护膜的步骤，n型 半导体层和有源层; 通过干式蚀刻p型半导体层在p型半导体层上形成CBL的步骤; 以及消除干蚀刻保护层的步骤。
-
公开(公告)号：KR102156858B1
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：KR1020180099193
申请日：2018-08-24
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: G05B19/402 , G05B23/02 , G06N20/00
-
公开(公告)号：KR101744533B1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：KR1020160062841
申请日：2016-05-23
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 안동대학교 산학협력단
CPC classification number: Y02A10/46 , H04L51/38 , G06Q50/30 , H04L51/24 , H04L67/16 , H04L67/26 , H04L69/162 , H04W4/14
Abstract: 본발명은재해및 리스크정보확산시스템에관한것으로, 본발명에따르면, 재해발생가능성이있는장소에설치되는위험감지장치, 위험감지장치로부터위험정보를수신하고위험정보에근거하여리스크메시지를생성하는정보확산서버, 정보확산서버와네트워크를통해결합되는푸쉬서버, 및푸쉬서버와네트워크를통해연결되고유선및 무선장치로이루어진복수의사용자측단말을포함하고, 정보확산서버로부터위험정보메시지가푸쉬서버를통해사용자소유의복수의단말로푸쉬통보되는것을특징으로하는 N 스크린기반재해및 리스크정보확산시스템이제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种安装在可能发生灾难的地方的风险信息检测装置和风险信息检测装置，并且接收风险信息并且基于风险信息生成风险消息 以及经由网络连接到推送服务器并由有线和无线设备配置的多个用户终端，其中风险信息消息包括来自信息传播服务器的推送服务器 提供了基于N屏幕的灾害和风险信息传播系统。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160017533A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：KR1020140101226
申请日：2014-08-06
Applicant: 주식회사 포스코 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L33/00
Abstract: 화합물반도체소자, 및이를제조하기위한웨이퍼본딩방법에관한것으로, 구체적으로는, 질화갈륨계반도체기판; 상기반도체기판상에형성된제 1 전도성확산방지층; 상기제 1 전도성확산방지층상에형성된금속접합층; 상기금속접합층상에형성된제 2 전도성확산방지층; 및상기제 2 전도성확산방지층상에위치하고, 니켈을함유하는강철기판;을포함하는화합물반도체소자를제공하는한편, 상기제 2 전도성확산방지층에의해, 상기니켈을함유하는강철기판및 상기금속접합층내 원소들의확산및/또는상기니켈을함유하는강철기판및 상기금속접합층사이의반응이제어되는것인웨이퍼본딩방법을제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。 更具体地，提供了一种化合物半导体器件，其包括：氮化镓基半导体衬底; 形成在所述半导体衬底上的第一导电扩展防止层; 形成在所述第一导电铺展防止层上的金属接合层; 形成在所述金属接合层上的第二导电铺展防止层; 以及设置在第二导电铺展防止层上并含有镍的金属基板。 金属接合层和金属基板之间的反应，包含镍，和/或金属接合层和金属基板中的元素的扩散由第二导电铺展防止层控制。
-
公开(公告)号：KR101346803B1
公开(公告)日：2014-01-03
申请号：KR1020120051446
申请日：2012-05-15
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사 , 주식회사 글로우원
Abstract: 본 발명은 발광 다이오드 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 제1형 반도체층, 활성층 및 제2형 반도체층을 포함하는 반도체 구조체; 상기 반도체 구조체 상에 구비된 투명 전극; 상기 투명 전극 상에 구비된 리플로 결합 패턴; 및 상기 리플로 결합 패턴에 그 일부가 묻힌 복수 개의 나노 구조체를 포함하는 발광 다이오드 소자가 제공된다.
-
8.发明公开나노 임프린트 몰드 제조방법, 이 방법에 의해 제조된 나노 임프린트 몰드를 이용한 발광다이오드 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 无效制造纳米印模的方法，使用纳米印模和发光二极管制造发光二极管的方法
公开(公告)号：KR1020150094220A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：KR1020140015249
申请日：2014-02-11
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L21/027 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/027 , H01L33/00
Abstract: 본 발명은 금속 기판을 이용한 나노 임프린트 몰드 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 나노 임프린트 몰드의 제조방법은, 금속 기판 상에 폴리머 필름을 형성하고 가열하는 단계, 패턴이 형성된 임프린트 몰드로 상기 폴리머 필름을 가압하여 상기 패턴이 상기 폴리머 필름에 전사되도록 단계, 상기 임프린트 몰드를 제거하는 단계 및 상기 금속 기판과 폴리머 필름을 냉각하는 단계를 포함하고, 상기 금속 기판의 열팽창 계수 또는 가열 온도를 조절하여 형성되는 패턴의 치수를 조절하는 것을 특징으로 한다.Abstract translation: 本发明涉及使用金属基板的纳米压印模具的制造方法。 根据本发明的纳米压印模具的制造方法包括：在金属基板上形成聚合物膜并对其加热的步骤; 用压印模具加压聚合物膜的步骤，其中形成图案并将图案转印到聚合物膜上; 去除压印模具的步骤; 以及冷却金属基板和聚合物膜的步骤。 控制通过控制金属基板的热膨胀系数和加热温度而形成的图案的尺寸。
-
公开(公告)号：KR1020140036404A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：KR1020120101703
申请日：2012-09-13
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사
CPC classification number: H01L33/44 , H01L2933/0091
Abstract: A light emitting diode is disclosed. The light emitting diode comprises: a transparent substrate having a first surface and a second surface; a gallium nitride-based semiconductor laminated structure disposed on the first surface of the transparent substrate and comprising a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer; and a refractive index adjusting layer formed on the second surface of the transparent substrate and having a pattern on a lower surface. The present invention can improve the light extraction efficiency by reducing the loss of light generated from the lower surface of the transparent substrate depending on the refractive index adjustment layer.
Abstract translation: 公开了一种发光二极管。 发光二极管包括：具有第一表面和第二表面的透明基板; 设置在所述透明基板的所述第一表面上并且包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层的氮化镓基半导体层叠结构; 以及形成在所述透明基板的第二表面上并且在下表面上具有图案的折射率调节层。 本发明可以通过减少根据折射率调节层从透明基板的下表面产生的光的损失来提高光提取效率。
-
公开(公告)号：KR1020130127717A
公开(公告)日：2013-11-25
申请号：KR1020120051446
申请日：2012-05-15
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 서울바이오시스 주식회사 , 주식회사 글로우원
CPC classification number: H01L33/42 , B82Y30/00 , H01L2933/0016
Abstract: The present invention relates to a light emitting diode device and a method for manufacturing the same. According to the present invention, the light emitting diode device which includes; a semiconductor structure including a first type semiconductor layer, an active layer, and a second type semiconductor layer; a transparent electrode which is formed on the semiconductor structure; a reflow combination pattern which is formed on the transparent electrode; multiple nano structures in which a part is buried in the reflow combination pattern is provided.
Abstract translation: 本发明涉及发光二极管装置及其制造方法。 根据本发明，发光二极管装置包括： 包括第一类型半导体层，有源层和第二类型半导体层的半导体结构; 形成在半导体结构上的透明电极; 形成在透明电极上的回流组合图案; 提供其中部分被埋置在回流组合图案中的多个纳米结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.022 seconds)
