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1.发明授权강유전체 박막의 형상 기억 형성 방법, 임프린트 현상을나타내는 강유전체 박막 및 이를 이용한 형상 기억 소자 失效使用高K材料形成高K材料，具有印刷效应的高K材料和存储器形状设备的存储器形状的方法
公开(公告)号：KR100991863B1
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：KR1020080007071
申请日：2008-01-23
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L27/105
Abstract: 본 발명은 종류가 다른 두 층의 강유전체 박막을 적층 할 때 발생하는 임프린트(imprint) 현상을 이용하여, 인가 전기장의 방향에 따라 두 가지의 다른 크기를 갖고 외부의 전원이 없이도 형상이 기억되는 형상 기억(shape memory) 방법 및 이를 이용한 소자에 관한 것이다.
강유전체에 임프린트 현상이 발생할 경우, 외부의 전기장이 가해지지 않더라도 즉 외부 전원이 없더라도, 두 가지의 서로 다른 크기의 압전 성질을 갖게 되며, 이는 내부의 전기적 불균형에 의한 것이다.
본 발명은 종류가 다른 두 층의 강유전체 박막 구조와 형성된 두 층으로 이루어진 강유전체 박막 구조와 형성된 박막 구조의 박막 두께 비 조절을 통해, 내부의 전기적인 불균형의 조절이 가능하도록 한 것을 특징으로 한다.
다층 박막, 강유전체, 임프린트, 형상 기억-
Patent Agency Ranking2.发明公开강유전체 박막의 형상 기억 형성 방법, 임프린트 현상을나타내는 강유전체 박막 및 이를 이용한 형상 기억 소자 失效使用高K材料形成高K材料，具有印刷效应的高K材料和存储器形状设备的存储器形状的方法
公开(公告)号：KR1020090081145A
公开(公告)日：2009-07-28
申请号：KR1020080007071
申请日：2008-01-23
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: H01L27/105
Abstract: A ferroelectric thin film and a shape memory device using the same indicating the shape memory formation method of the ferroelectric thin film are provided to control an imprint phenomenon to ferroelectric. A shape memory formation method of a ferroelectric thin film is as follows. The imprint phenomenon that laminates the ferroelectric is used. According to the direction of the applied electric field, it has the other size of two kinds of and the shape is memorized without the external power supply. The thickness-chord ratio of the thin film comprising 2 layer is controlled.
Abstract translation: 提供表示铁电薄膜的形状记忆形成方法的强电介质薄膜和使用其的形状记忆装置，以控制铁电体的印记现象。 铁电薄膜的形状记忆形成方法如下。 使用层压铁电体的印记现象。 根据施加电场的方向，其具有两种尺寸，而外部电源的形状被记忆下来。 控制包含2层的薄膜的厚度和弦比。
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公开(公告)号：KR1020200132165A
公开(公告)日：2020-11-25
申请号：KR1020190057204
申请日：2019-05-15
Applicant: 주식회사 포스코 , 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은표면균열이저감된고망간주편및 그제조방법과이를이용한고망간강판에관한것이다. 본발명의일 실시형태는중량%로, 지르코늄(Zr): 0.1%초과~0.5%이하, 티타늄(Ti): 0.001%미만, 알루미늄(Al): 0.5~2.0%, 질소(N): 0.02% 이하, 보론(B): 0.001% 이하, 탄소(C): 0.4~0.7%, 망간(Mn): 12%초과~24%이하, 실리콘(Si): 0.03% 이하, 인(P): 0.03% 이하, 황(S): 0.03% 이하, 잔부 Fe 및기타불가피한불순물을포함하고, 주조조직을가지며, 상기주조조직의결정립내에 ZrN이 500㎛2당 0.1개이상형성된표면균열이저감된고망간주편및 그제조방법과이를이용한고망간강판을제공한다.
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公开(公告)号：KR102209405B1
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：KR1020190057204
申请日：2019-05-15
Applicant: 주식회사 포스코 , 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은표면균열이저감된고망간주편및 그제조방법과이를이용한고망간강판에관한것이다. 본발명의일 실시형태는중량%로, 지르코늄(Zr): 0.1%초과~0.5%이하, 티타늄(Ti): 0.001%미만, 알루미늄(Al): 0.5~2.0%, 질소(N): 0.02% 이하, 보론(B): 0.001% 이하, 탄소(C): 0.4~0.7%, 망간(Mn): 12%초과~24%이하, 실리콘(Si): 0.03% 이하, 인(P): 0.03% 이하, 황(S): 0.03% 이하, 잔부 Fe 및기타불가피한불순물을포함하고, 주조조직을가지며, 상기주조조직의결정립내에 ZrN이 500㎛2당 0.1개이상형성된표면균열이저감된고망간주편및 그제조방법과이를이용한고망간강판을제공한다.
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公开(公告)号：KR101853323B1
公开(公告)日：2018-04-30
申请号：KR1020160178392
申请日：2016-12-23
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Inventor： 김성규
Abstract: 본발명은 FIB를이용하여탐침형태의분석시편을준비하는단계, 상기분석시편에금속막을코팅하는단계및 상기분석시편을투과전자현미경(TEM)으로분석한후에동일한상기분석시편을원자탐침현미경(APT)으로분석하는단계를포함하는시편의분석방법을제공한다.
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