公开(公告)号：KR100848813B1

公开(公告)日：2008-07-28

申请号：KR1020070041249

申请日：2007-04-27

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 김형준 ,  신영한 ,  우윤성 ,  이한보람 ,  이성균 ,  손종역

IPC: H01L41/107 ,  H01L29/72 ,  B82Y15/00

CPC classification number: G11C13/025 ,  H01L41/107 ,  Y10S977/742

Abstract: A transistor using deformation caused by piezoelectric effect of a carbon nano tube is provided to obtain a transistor of a new concept using deformation of a carbon nano tube caused by deformation of a piezoelectric device by using a device of a several nano meter using a carbon nano tube. A piezoelectric device(6) is disposed at one side of a carbon nano tube(5) so that the carbon nano tube is deformed by contraction or expansion of the piezoelectric device. A switching process is performed by a difference of specific resistance of the carbon nano tube generated by a deformation quantity of the carbon nano tube caused by the contraction or expansion of the piezoelectric device. The piezoelectric device can be a shape memory piezoelectric actuator.

Abstract translation: 提供使用由碳纳米管的压电效应引起的变形的晶体管，以通过使用使用碳纳米管的几纳米器件来获得使用由压电器件的变形引起的碳纳米管的变形的新概念的晶体管 管。 压电装置（6）设置在碳纳米管（5）的一侧，使得碳纳米管通过压电装置的收缩或膨胀而变形。 通过由压电装置的收缩或膨胀引起的碳纳米管的变形量产生的碳纳米管的电阻差的差异进行切换处理。 压电器件可以是形状记忆压电致动器。

公开(公告)号：KR100991863B1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：KR1020080007071

申请日：2008-01-23

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 손종역 ,  신영한 ,  김성규 ,  김형준

IPC: H01L27/105

Abstract: 본 발명은 종류가 다른 두 층의 강유전체 박막을 적층 할 때 발생하는 임프린트(imprint) 현상을 이용하여, 인가 전기장의 방향에 따라 두 가지의 다른 크기를 갖고 외부의 전원이 없이도 형상이 기억되는 형상 기억(shape memory) 방법 및 이를 이용한 소자에 관한 것이다.
강유전체에 임프린트 현상이 발생할 경우, 외부의 전기장이 가해지지 않더라도 즉 외부 전원이 없더라도, 두 가지의 서로 다른 크기의 압전 성질을 갖게 되며, 이는 내부의 전기적 불균형에 의한 것이다.
본 발명은 종류가 다른 두 층의 강유전체 박막 구조와 형성된 두 층으로 이루어진 강유전체 박막 구조와 형성된 박막 구조의 박막 두께 비 조절을 통해, 내부의 전기적인 불균형의 조절이 가능하도록 한 것을 특징으로 한다.
다층 박막, 강유전체, 임프린트, 형상 기억

公开(公告)号：KR1020090081145A

公开(公告)日：2009-07-28

申请号：KR1020080007071

申请日：2008-01-23

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 손종역 ,  신영한 ,  김성규 ,  김형준

IPC: H01L27/105

Abstract: A ferroelectric thin film and a shape memory device using the same indicating the shape memory formation method of the ferroelectric thin film are provided to control an imprint phenomenon to ferroelectric. A shape memory formation method of a ferroelectric thin film is as follows. The imprint phenomenon that laminates the ferroelectric is used. According to the direction of the applied electric field, it has the other size of two kinds of and the shape is memorized without the external power supply. The thickness-chord ratio of the thin film comprising 2 layer is controlled.

Abstract translation: 提供表示铁电薄膜的形状记忆形成方法的强电介质薄膜和使用其的形状记忆装置，以控制铁电体的印记现象。 铁电薄膜的形状记忆形成方法如下。 使用层压铁电体的印记现象。 根据施加电场的方向，其具有两种尺寸，而外部电源的形状被记忆下来。 控制包含2层的薄膜的厚度和弦比。

公开(公告)号：KR101024594B1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：KR1020080093535

申请日：2008-09-24

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 손종역 ,  김형준 ,  신영한

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 종래의 나노 막대에 비해 우수한 전자 방출 효율을 나타낼 뿐 아니라 위치와 형상의 제어가 용이한 나노 핀 어레이의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 제조방법은 기판상에 나노 핀을 구성하는 물질의 박막을 형성하고, 상기 박막 상에 나노템플레이트를 형성한 후, 상기 나노 템플레이트가 완전히 제거될 때까지 나노 템플레이트와 박막을 함께 에칭함으로써, 기판상에 상기 나노 템플레이트의 패턴에 따른 나노 핀 어레이가 형성되도록 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따라 형성된 나노 핀 어레이는 수 나노미터 이하의 아주 날카로운 형태를 가지게 되어 전계 방출원으로서 우수한 효율을 나타낸다.
양극산화 알루미나, 금속 나노핀, 습식 에칭

公开(公告)号：KR1020100034417A

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：KR1020080093535

申请日：2008-09-24

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 손종역 ,  김형준 ,  신영한

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  B82Y40/00

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating metal nanopin array and an electron emission element using the same are provided to manufacture a nonopins having various thickness by etching the nono template and a thin film and forming the nonopin. CONSTITUTION: A thin film of the material comprising a nano pin is formed on a substrate(a). A nano template is formed on the thin film(b). The nano template and the thin film are together etched until the nano template is completely removed(c). The nano pin array according to the pattern of the nano template is formed on the substrate(d).

Abstract translation: 目的：提供一种制造金属纳米颗粒阵列的方法和使用其的电子发射元件，以通过蚀刻非模板和薄膜并形成非接头来制造具有各种厚度的非孔。 构成：在衬底（a）上形成包括纳米针的材料的薄膜。 在薄膜（b）上形成纳米模板。 一起蚀刻纳米模板和薄膜，直到纳米模板完全去除（c）。 根据纳米模板的图案的纳米针阵列形成在基底（d）上。